亥姆xx兹线圈实验报告
【实验原理】
1．载流圆线圈xxxx线圈的磁场
（1）载流圆线圈磁场
一半径为Ｒ，通以电流Ｉ的圆线圈，轴线上磁场的公式为
（1-1）
式中N
0为圆线圈的匝数，X为轴上某一点到圆心O的距离。

它的磁场分布图如图1-1所示。

（2）亥姆xx兹线圈
所谓亥姆霍兹线圈为两个相同线圈彼此平行且共轴，使线圈上通以同方向电流Ｉ，理论计算证明：
线圈间距a等于线圈半径R时，两线圈合磁场在轴上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，如图1-2所示。

2．xx效应法测磁场
（1）xx效应法测量原理
将通有电流I的导体置于磁场中，则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差，这一现象是霍尔于1879年首先发现，故称霍尔效应。

电位差U
H称为xx电压。

如图3-1所示N型半导体，若在MN两端加上电压U，则有电流I沿X轴方向流动（有速度为V运动的电子），此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后，运动着的电子受洛伦兹力F
B的作用而偏移、聚集在S平面；同时随着电子的向S平面（下平面）偏移和聚集，在P平面（上平面）出现等量的正电荷，结果在上下平面之间形成一个电场E
H（此电场称之为霍尔电场）。

这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。

当电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时，就不能向下偏移。

此时在上下平面（S、P平面）间形成一个稳定的电压U
H（xx电压）。

（2）xx系数、xx灵敏度、xx电压
设材料的长度为l，宽为b，厚为d，载流子浓度为n，载流子速度v，则与通过材料的电流I有如下关系：
I=nevbd
xx电压U
H=IB/ned=R
HIB/d=K
HIB
式中xx系数R
H=1/ne，单位为m3/c；霍尔灵敏度K
H=R
H/d，单位为mV/mA 由此可见，使I为常数时，有U
H= K
HIB =k
0B，通过测量xx电压U
H，就可计算出未知磁场强度B。

本实验使用的仪器用集成霍尔元件，已经与显示模块联调，直接显示磁场强度。

【实验仪器】
亥姆霍兹实验仪由二部分组成。

它们分别为励磁线圈架部分（见图〈一〉）和磁场量仪器部分（见图〈二〉）。

图〈二〉4501A型亥姆霍兹线圈磁场实验仪面板
亥姆xx兹线圈架：
二个励磁线圈：
线圈有效半径105mm
线圈匝数500匝
二线圈中心间距105mm
测量磁场传感器：4501A使用霍尔元件测量磁场。

移动装置：
横向可移动距离150mm，纵向可移动距离50mm
距离分辨力0.5mm
【实验内容】
1.测量圆电流线圈轴线上磁场的分布
接好电路。

开机预热5分钟，调零。

调节磁场实验仪的输出功率，使励磁电流有效值为Ｉ＝200mＡ,以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔10.0mm测一个Bm值，测量过程中注意保持励磁电流值不变，记录数据并作出磁场分布曲线图。

2 .测量亥姆xx兹线圈轴线上磁场的分布
关闭电源，把磁场实验仪的两组线圈串联起来（注意极性不要接反），接到磁场测试仪的输出端钮。

调节磁场测试仪的输出功率，使励磁电流有效值仍为Ｉ＝200mＡ。

以两个圆线圈轴线上的中心点为坐标原点，每隔10.0mm测一个Bm值。

记录数据并作出磁场分布曲线图。

【数据处理】
【思考讨论】
1．单线圈轴线上磁场的分布规律如何？亥姆霍兹线圈是怎样组成的？其基本条件有哪些？它的磁场分布特点又怎样？
答：
呈正态分布，两个相同的圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流，理论上当线圈间距等于线圈半径时，两线圈合磁场在轴线是附近是均匀的，然后逐渐减小。

2．分析用霍尔效应测量磁场时，当流过线圈中的电流为零时，显示的磁场值不为零？
答：
由于有地磁场和大楼建筑等因素的影响，当亥姆霍兹线圈没有电流流过时，显示值也不为零。

3．分析磁场分布的对应位置测量有值误差的产生原因？
答：
（1）数据有波动，没有等数据稳定再读数，
（2）实验过程中触碰到导线，影响了电流大小。