现有如下存储器芯片： 现有如下存储器芯片： EPROM：8K×8位(控制端仅有 ： × 位 控制端仅有 控制端仅有CS#); SRAM:16K×1位，2K×8位，4K×8位， × 位 × 位 × 位 8K×8位 × 位 请从上述芯片中选择适当芯片设计该计 算机主存，画出主存储器逻辑 算机主存，画出主存储器逻辑.
3.4.2 FLASH闪速存储器 闪速存储器 1.什么是闪速存储器 1.什么是闪速存储器 闪速存储器是一种高密度、非易 闪速存储器是一种高密度、 失性的读/写半导体存储器， 失性的读/写半导体存储器，又叫快擦除 ROM、闪光ROM或简称闪存。 ROM或简称闪存 ROM、闪光ROM或简称闪存。
3.4.2 Flash闪速存储器 闪速存储器
3.4.2 Flash闪速存储器 闪速存储器
3.闪速存储器与 闪速存储器与CPU的连接 闪速存储器与 的连接
小
结
重点: ROM存储器的特点和分类 ROM 理解EPRO低电压类似于ROM,只能读不 闪存在某种低电压类似于 低电压类似于 只能读不 能写.但在另外一种较高电压下工作时 但在另外一种较高电压下工作时， 能写 但在另外一种较高电压下工作时，又 类似于RAM,可读可写 可读可写,而且闪存的内容不需 类似于RAM,可读可写,而且闪存的内容不需 要电力支持也能保存. 要电力支持也能保存 它突破了传统的存储器体系，它具有非易 它突破了传统的存储器体系，它具有非易 失性，高密度性，可直接执行，固态性能. 失性，高密度性，可直接执行，固态性能
MROM图（32字X8位）：有MOS管处为“1”。
VC A0 A1 A4
地 址 译 码 器
W0 W1 W31
D0
D1
D7
1、ROM分类（续） 、 分类（ 分类 可编程PROM 可编程 出厂时存储元或全为1，或全为 ， 出厂时存储元或全为 ，或全为0， 用户可根据自己的需要进行一次编程， 用户可根据自己的需要进行一次编程， 之后便无法更改。 结击穿（结破坏） 之后便无法更改。有结击穿（结破坏） 型和熔（断）丝型。 型和熔
3.4.1 只读存储器 只读存储器ROM
3、E2PROM存储器 、 存储器 E2PROM存储元 存储元 E2PROM存储元电路见 存储元电路见P83图3.20 存储元电路见 图
EPROM
高压写入
紫外线光照擦除
编程器
紫外线擦除器
举例
的地址线16根 例：CPU的地址线 根(A15—A0)，双向数据 的地址线 ， 为访存允许信号， 总线8根 ， 为访存允许信号 总线 根(D7—D0)，MREQ为访存允许信号， 低电平有效)， 高电平为读， 低电平有效 ，R/W(高电平为读，低电平为 高电平为读 地址空间分配如下 写)。主存地址空间分配如下： 。主存地址空间分配如下： 0—8191为系统程序区，由ROM组成 为系统程序区， 组成. 为系统程序区 组成 8192—32767为用户程序区 为用户程序区. 为用户程序区 最后2K为系统程序工作区 最后 为系统程序工作区. 为系统程序工作区 上述地址为十进制， 字节编址. 上述地址为十进制，按字节编址 编址
1、ROM分类（续） 、 分类（ 分类 EPROM ,EEPROM 可进行多次编程，应用较广， 可进行多次编程，应用较广，有电 型和光擦 光擦型 擦型和光擦型，但可改写的次数也是 有限的。 有限的。
3.4.1 只读存储器 只读存储器ROM
2、EPROM存储器 、 存储器 EPROM存储元 存储元 EPROM存储元电路见 存储元电路见P82图3.19 存储元电路见 图
3.4 只读存储器和闪速存储器 3.4.1 只读存储器 只读存储器ROM
1、ROM的分类 、 的分类 掩模型MROM： 芯片制造时一次写入， 掩模型MROM： 芯片制造时一次写入， 不能改变。 制作工艺复杂， 不能改变。 mask制作工艺复杂，周期长， 制作工艺复杂 周期长， 适合批量生产） 适合批量生产） 。 讲解P81图3.18 图 讲解