2009年本部微电子专业复试笔试题。

建议：复习参考书选择，晶体管原理部分，用罗老师讲课的小本的就行。

如时间充裕可适当看大本的。

电子技术选用本部的基础电子技术和集成电子技术，基本是原题，课后思考题，主要看1---10章，后面的部分不是重点。

半导体集成电路看韩老师讲的课件，本部历年的真题，半导体集成电路那本书也可以适当看看。

题目比较简单，但是题量比较大，文字部分的书写较多，合理分配时间。

晶体管原理
一．简答
1.发射效率和基区输运系数的定义，有什么意义。

2 .JEFT,MOSFET,MAOSFET,MNSFET个代表什么
3.基区宽度扩展对什么参数或什么特性有什么影响
4.镇流电阻如何接，阻值大小有何影响
5.扩散电容的原理.其本质是什么?
二：结合BJT的载流子输运过程，说明为什么说尽量增加发射区掺杂浓度，大于基区掺杂浓度，可以提高共发射极电流放大系数。

三：电荷控制方程以及每部分代表的意义是什么。

四：PN结加正向偏压Vf 和反向偏压Vr 时，画出少数载流子浓度分布图，并写出边界区载流子浓度表达式和载流子浓度分布方程。

五：发射极电流集边效应定义，产生原因。

电子技术
六：本部基础电子技术64页图2.3.1，求其负载电阻分别为无穷大和5K时的Q点，放大倍数、Ri 、Ro。

七：出自本部基础电子技术第3章第5题
【3-5】在图3-5所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be=1.2kΩ。

1．画出共模、差模半边电路的交流通路。

A。

2．求差模电压放大倍数ud
3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR。

V C
V
EE
图3-5题3-5电路图
解：
1. 在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻R e ；在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为R e 和R/2的并联。

+
-
1
图3-5 （a ）共模 （b ）差模 2．od C
ud I1I2
be e 3.5(1)()
2
U R A R U U r R ββ=
=-=--++
3．双端输出条件下：
ud 3.5A =-，uc 0A = ，CMR K =∞
单端输出条件下： ud 1.75A =-， OC C
uc IC be e
0.4(1)U R A U r R ββ=
=-=-++ ud
CMR uc
|
| 4.2A K A == 八. 出自本部集成电子技术八章7题
8-7 最佳化布尔式P=ABC ABC ABC ++，然后用与非门实现之。

九：出自本部集成电子技术9章
9-4-3 简述CMOS-JK 触发器是如何又CMOS-D 触发器转化而来的。

半导体集成电路
十：结合剖面图说明闩锁效应产生的原因和预防闩锁效应的几点措施。

十一：画出npn 管的平面图和刨面图。

十二：分别用CMOS 电路和准NMOS 电路设计F = (A+B)C ，并说明准NMOS 电路和CMOS 电路相比有何缺点。

十三：提取一个CMOS 工艺的与或非门电路。

写出该逻辑表达式，并分析逻辑功能。

（很简单）
十四：给出了CMOS 工艺和双极型工艺 的版图， 1.分别分析两种版图分别用了哪些掩膜版 2.提取电路并分析功能。

（比较简单）。