今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。

我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不大。

但是既然过线，就要努力试试吧。

我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。

不过，既然上了分数线，就别太灰心。

电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。

如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。

个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。

复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是，至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。

然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。

有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。

接下来就是面试了。

面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你，老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。

学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。

进去后，先是英语面试。

自己提前准备一下英文自我介绍。

但不一定会问到。

我比较幸运，被问到这个了。

这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。

简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。

还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。

难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。

英语面试也就五分钟左右。

然后专业面试。

面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。

如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。

复习的科目主要就是数模电，器件（晶体管原理），工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类的更好了，这个也得看你报哪个方向，根据情况看一下。

还有如果你答错了，也没关系，老师可能会慢慢引导和提示你，但如果你一点都不会，千万别乱说。

还有，面试时不一定是只能说的问题。

我考完出来，有个研友跟我说，他进去以后，有纸有笔，有些问题，他会让你在纸上画。

下面是我原来在考研论坛搜到的面试问过的题目，还有一些我和一些研友被问到的题目，仅供参考，但建议你们还是全面复习，考过的，不一定会考。

bicmos怎么制造？优缺点？用途?pM胶正胶反胶？现在国内最高做到多少纳米？哪家公司？天线长度的影响？kirk效应？SR触发器结构？反相器延迟？负反馈？米勒效应有什么使用？防止温漂用什么方法？工艺上？设计上?做反向的流程？闩锁效应如何避免？还有就是，微固专业很好，但很火，但上不了也没事，可以调剂到其他系，而且院内调剂不是特难，至少考的都是电分，而且同样是学术型硕士，只是换了个研究方向而已。

英语有的组问专业问题的，今年第五组的都是，我就被问到了，结果悲剧。

现在写下来留给后来人，1，本科学过的课程2，半导体物理学过那些内容3，解释本征费米能级4，增强型MOS管原理，5，平带电压6，解释射频我的就这么多了，我除了回答了第一个其余全是Sorry,结果还是及格了，但是分数算最低的几个。

如LZ所言，碰到这种只有自认倒霉。

同样二本外校今年344分幸运通过电子科技大学微电子复试，补充一下自己被问的问题，英语口语：自我介绍，为什么选我们专业，兴趣爱好。

专业面试：画出积分器的电路图，画出带通滤波器的接法，用CMOS管构成或非门。

另外，正如LZ所说，导师考察能力那一关是十分重要的，那一关没过基本可以不用参加复试了。

不知道其他学院怎么样，但是微固的复试那是绝对公平的，只要你专业基础知识扎实，认真准备，一定能脱颖而出的。

测试科目829数字电路和模拟电路测试形式笔试（闭卷）测试时间180分钟测试总分150分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析和设计具体数字电路、模拟电路的能力。

二、内容及比例数字电路部分（50%）1、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法。

2、逻辑代数基础1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。

2）、掌握逻辑关系式的化简方法3、逻辑门电路掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电气特性、使用和使用注意事项4、组合电路分析和设计1）、掌握组合电路特点及分析方法：2）、掌握组合电路的设计方法（SSI）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。

对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简和或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。

3）、利用集成组合电路进行设计（MSI）重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法。

能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。

5、时序电路分析和设计1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特性方程2）、掌握时序电路的分析方法和设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理和设计。

重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：74160/2、74161/3、74194等电路）的逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法。

能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。

6、存储器、CPLD和FPGA了解常用半导体存储器（ROM、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。

了解可编程逻辑器件的原理和结构。

模拟电路部分（50%）第一章半导体材料及二极管1、半导体基础知识（了解）：本征半导体和杂质半导体（P型和N型），本征激发和复合，杂质电离，空穴导电原理，多子和少子，漂移电流和扩散电流的概念。

PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。

2、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压和反向饱和电流，二极管的直流电阻和交流电阻（估算式），硅二极管和锗二极管的区别。

二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。

3、二极管使用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。

二极管单向导电特性使用：半波和全波整流电路；单向和双向限幅电路；二极管开关电路。

二极管反向击穿特性使用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析和计算，稳压二极管的串并联等效。

第二章双极型晶体三极管1、BJT原理（了解）NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止和饱和状态。

2、BJT静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。

3、BJT参数（掌握）,β￣,α,β,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义BJT管型判别和BJT的放大、截止和饱和状态判别。

4、BJT模型（掌握）BJT的小信号等效模型：简化模型（gm参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。

BJT的混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。

第三章BJT放大电路1、放大器的一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容和旁路电容，直流通路和交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。

2、BJT偏置电路（掌握）掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。

3、BJT三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入和输出电阻，管端输入和输出电阻。

CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。

交流负载线，放大器动态范围，截止和饱和失真（针对CE放大器）。

4、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。

第四章MOSFET及基本放大电路1、FET原理（了解）了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响2、FET特性曲线（掌握）以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。

3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET和N沟道FET偏置极性的差别。

4、FET的小信号模型（掌握）理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。

5、FET的CS和CD组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点。

第五章放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述（了解）产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL、fH、BW的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其和非线性失真的区别，对数频率特性曲线——波特图的概念。

放大器的增益函数，零、极点（了解）。

2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握）用短路时间常数法估算fL，用开路时间常数法估算fH。

第六章模拟集成单元电路1、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。

2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放的信号分解（vic、vid和任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric,Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。

3、OCL和OTL功率输出电路（掌握）功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。

OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（ICM,PCM,BVCEO）对OCL和OTL功放的限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。

第七章负反馈技术1、单环理想模型（了解）基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf，A放大器、B网络，开环增益A和Af闭环增益，反馈系数B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈和负反馈，深度负反馈。

四种反馈类型及其双口网络模型。

2、实际反馈放大器类型及极性的判断（掌握）3、负反馈对放大电路的影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用4、在深负反馈条件下正确计算Af和Avsf（掌握）5、负反馈放大器的稳定性（掌握）产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T(jω)和A(jω)的波特图判断稳第八章集成运算放大器1、集成运放电路组成及特点（定性了解）2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid，Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIio/dT3、理想运放分析法（重点掌握）虚短路和虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。