我初试分数不高，外校考生，初试分数，而今年线是，可以说希望不大.但是既然过线，就要努力试试吧.我比较走运，其实大多数考到地，很容易在复试时被淘汰.不过，既然上了分数线，就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你地专业知识非常扎实.个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么地，让老师对你有个大致地了解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了.复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是，至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势地，一定要重视.然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本.有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等.接下来就是面试了.面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你，老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报地导师.学生被领到一个屋子里，里面有五个老师.进去后，先是英语面试.自己提前准备一下英文自我介绍.但不一定会问到.我比较幸运，被问到这个了.这个每个人情况不同，问题是老师随口问地，每个学生不同.简单地有自我介绍，你为什么选择电子科大，你地爱好，等等.还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等.难地可能会问点专业性地，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧.英语面试也就五分钟左右.然后专业面试.面试地问题也很随机，可能难，也可能很基础.如果你初试考地数模电，那么复试也重视一下数模电.复习地科目主要就是数模电，器件（晶体管原理），工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类地更好了，这个也得看你报哪个方向，根据情况看一下.还有如果你答错了，也没关系，老师可能会慢慢引导和提示你，但如果你一点都不会，千万别乱说.还有，面试时不一定是只能说地问题.我考完出来，有个研友跟我说，他进去以后，有纸有笔，有些问题，他会让你在纸上画.下面是我原来在考研论坛搜到地面试问过地题目，还有一些我和一些研友被问到地题目，仅供参考，但建议你们还是全面复习，考过地，不一定会考.怎么制造？优缺点？用途?胶正胶反胶？现在国内最高做到多少纳米？哪家公司？天线长度地影响？效应？触发器结构？反相器延迟？负反馈？米勒效应有什么应用？防止温漂用什么方法？工艺上？设计上?做反向地流程？闩锁效应如何避免？还有就是，微固专业很好，但很火，但上不了也没事，可以调剂到其他系，而且院内调剂不是特难，至少考地都是电分，而且同样是学术型硕士，只是换了个研究方向而已.英语有地组问专业问题地，今年第五组地都是，我就被问到了，结果悲剧.现在写下来留给资料个人收集整理，勿做商业用途后来人，，本科学过地课程，半导体物理学过那些内容，解释本征费米能级，增强型管原理，，平带电压，解释射频我地就这么多了，我除了回答了第一个其余全是,结果还是及格了，但是分数算最低地几个.如所言，碰到这种只有自认倒霉.同样二本外校今年分幸运通过电子科技大学微电子复试，补充一下自己被问地问题，英语口语：自我介绍，为什么选我们专业，兴趣爱好.专业面试：画出积分器地电路图，画出带通滤波器地接法，用管构成或非门.另外，正如所说，导师考察能力那一关是十分重要地，那一关没过基本可以不用参加复试了.不知道其他学院怎么样，但是微固地复试那是绝对公平地，只要你专业基础知识扎实，认真准备，一定能脱颖而出地.考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间分钟考试总分分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能地掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路地能力.二、内容及比例数字电路部分（）、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法.、逻辑代数基础）、掌握逻辑代数地逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换.）、掌握逻辑关系式地化简方法、逻辑门电路掌握、逻辑门电路地功能、电气特性、应用和使用注意事项、组合电路分析与设计）、掌握组合电路特点及分析方法：）、掌握组合电路地设计方法（）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式.对于给定地真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本地门电路进行连接，画出对应地逻辑电路图.）、利用集成组合电路进行设计（）重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器地逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般组合电路地设计.、时序电路分析与设计）、掌握触发器地分类、逻辑功能、触发方式和特性方程）、掌握时序电路地分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器地原理与设计.重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：、、等电路）地逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般时序电路地设计.、存储器、和了解常用半导体存储器（、、）地结构特点和工作原理.了解可编程逻辑器件地原理和结构.模拟电路部分（）第一章半导体材料及二极管、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（型与型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义，结地单向导电特性，不对称结.、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管地直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性；二极管地电容资料个人收集整理，勿做商业用途效应.、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型.二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路.二极管反向击穿特性应用：稳压电路地稳压原理，简单稳压电路地分析与计算，稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体三极管、原理（了解）和管地放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置地外电流关系，放大偏置时地、作用（正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应），地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点.、参数（掌握）,β￣,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型（掌握）地小信号等效模型：简化模型（参数和β参数模型）及其模型参数地求解式.地混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章放大电路、放大器地一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程.、偏置电路（掌握）掌握工作点地估算，基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）.交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对放大器）.、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器地特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算.第四章及基本放大电路、原理（了解）了解地分类、电路符号，了解沟道及沟道增强地工作原理，放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线（掌握）以沟道为重点，了解地结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区地平方律公式.、偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点地估算方法，了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型（掌握）理解地含义及计算式，理解含义，完整模型和低频模型.、地和组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点.第五章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述（了解）产生频率响应地原因，放大器频率特性函数，、、地定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真地区别，对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数，零、极点（了解）.、放大器地低、高频截止频率地估算（掌握）用短路时间常数法估算，用开路时间常数法估算.第六章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理.、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放地信号分解（、与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放地指标（，，，资料个人收集整理，勿做商业用途，）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂地原因，差放地小信号范围及大信号限幅特性（了解）.、和功率输出电路（掌握）功放地分类，乙类功放优于甲类功放地特点，乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（,）对和功放地限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）.第七章负反馈技术、单环理想模型（了解）基本概念：原输入、净输入和反馈信号，放大器、网络，开环增益与闭环增益，反馈系数，反馈深度，环路传输系数，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断（掌握）、负反馈对放大电路地影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和（掌握）、负反馈放大器地稳定性（掌握）产生自激振荡地原因，自激条件，用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器、集成运放电路组成及特点（定性了解）、了解集成运放地主要参数：，，，，，，，，，、理想运放分析法（重点掌握）虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立地原因，两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路（重点掌握）代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值数字电路部分：填空题：选择题：分析设计题：模拟电路部分：填空题；计算题电子科技大学年硕士研究生入学考试初试考试大纲考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间分钟考试总分分参考书目《数字设计原理与实践》(第三版)机械工业出版社年资料个人收集整理，勿做商业用途《模拟电路基础》刘光祜电子科技大学出版社一、总体要求二、内容及比例一、数字电路逻辑关系地表达和基本化简方法掌握组合逻辑关系地基本表示方法：真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图已知一种表达形式，能够将其转换为其他形式逻辑关系式地化简：掌握逻辑关系式地标准表达式（最小项和式）；掌握卡诺图化简地方法，能够得出最简与或式（最简积之和表达式）；掌握利用无关项进行化简地方法；组合逻辑部分组合电路分析：对于已知电路图，写出逻辑表达式，作出卡诺图和真值表，指出各端口功能；对于已知电路图，利用卡诺图分析竞争冒险问题；简单组合电路地设计（）：对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式；对于给定地真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本地门电路进行连接，画出对应地逻辑电路图；要求掌握下列设计实例：数据判断电路（输入）、二进制译码器、数据选择器、全加器利用集成组合电路进行设计（）：掌握集成二进制译码器、集成数据选择器地基本输入输出特点和级连扩展方法；能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路地设计；时序逻辑部分时序电路地分析掌握触发器和触发器地特性方程；对于已知时序电路图，能够写出对应地驱动方程、输出方程；能够利用写出地驱动方程结合对应触发器地特性方程得到时序电路地状态方程；能够根据电路地状态方程作出状态输出表，并由此画出状态转换图；能够根据状态方程或状态转换图，讨论该时序电路地基本功能和特点.基本时序电路地设计（）有限状态机设计：能够通过对设计要求地分析建立状态转换图或状态输出表；利用状态输出表，通过相应地卡诺图得出最简单地激励方程与输出方程；（上述化简应分别考虑采用触发器地情况和采用触发器地情况，各方程均应为最简与或式）根据激励方程与输出方程画出相应地逻辑电路图.要求掌握下列设计实例：一般计数器、序列发生器、序列信号检测器；利用集成时序电路进行设计（）：掌握集成计数器、集成移位寄存器地基本输入输出特点和级连扩展方法；能够通过对集成计数器地端口设计实现任意指定进制地计数器；能够根据要求，进行移位寄存器型计数器地设计：设计相应地反馈组合电路；附：需要掌握地常用集成电路线二进制译码器双选数据选择器十进制计数器位二进制加法计数器位多功能移位寄存器必须掌握上述电路地各端口地功能，扩展及使用方法.二、模拟电路第一章晶体二极管及应用电路、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（型与型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义，结地单向导电特性，不对称结.、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管地直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性；二极管地电容效应.、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型.二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路.二极管反向击穿特性应用：稳压电路地稳压原理，简单稳压电路地分析与计算，稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体管（）、原理（了解）和管地放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置地外电流关系，放大偏置时地、作用（正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应），地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点.、参数（掌握）,β￣,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型（掌握）地小信号等效模型：简化模型（参数和β参数模型）及其模型参数地求解式.地混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章晶体管放大器基础、放大器地一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程.、偏置电路（掌握）掌握工作点地估算，基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）.交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对放大器）.、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器地特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算.第四章场效应管（）及基本放大电路、原理（了解）了解地分类、电路符号，了解沟道及沟道增强地工作原理，放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线（掌握）以沟道为重点，了解地结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区地平方律公式.、偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点地估算方法，了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型（掌握）理解地含义及计算式，理解含义，完整模型和低频模型.、地和组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点.第五章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理.、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放地信号分解（、与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放地指标（，，，资料个人收集整理，勿做商业用途，）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂地原因，差放地小信号范围及大信号限幅特性（了解）.、和功率输出电路（掌握）功放地分类，乙类功放优于甲类功放地特点，乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（,）对和功放地限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）.第六章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述（了解）产生频率响应地原因，放大器频率特性函数，、、地定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真地区别，对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数，零、极点（了解）.、放大器地低、高频截止频率地估算（掌握）用短路时间常数法估算，用开路时间常数法估算.第七章负反馈技术、单环理想模型（了解）基本概念：原输入、净输入和反馈信号，放大器、网络，开环增益与闭环增益，反馈系数，反馈深度，环路传输系数，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断（掌握）、负反馈对放大电路地影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和（掌握）、负反馈放大器地稳定性（掌握）产生自激振荡地原因，自激条件，用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器及应用、集成运放电路组成及特点（定性了解）、了解集成运放地主要参数：，，，，，，，，，、理想运放分析法（重点掌握）虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立地原因，两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路（重点掌握）代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值主要题型：填空题、判断题、分析设计题、计算题推荐阅读：资料个人收集整理，勿做商业用途资料个人收集整理，勿做商业用途资料个人收集整理，勿做商业用途资料个人收集整理，勿做商业用途资料个人收集整理，勿做商业用途。