i Hc
2 K1 HK 0 M s
s 0
i Hc
s 0 M s
内秉磁性： 只与晶体结构和化学成分有关，与微结构（晶粒大小、取向、杂质、缺陷、 应力）等无关 技术磁性： 不仅与晶体结构和化学成分有关，也与微结构（晶粒大小、取向、杂质、 缺陷、应力）等有关。
内秉磁性 交换常数A居里温度Tc 自发磁化强度
表观（技术）磁性
M s 饱和磁化强度
磁晶各向异性常数 磁晶各向异性场
剩余磁化强度 剩余磁感应强度 表观磁感应强度 FK 矫顽力
HA
Ms Mr Br Bb
i B
Hc Hc
初始磁导率 最大磁导率 最大磁能积 磁ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ伸缩系数
100 111
max
i
( BH )max
i
磁畴体积的变 化：畴壁位移
磁矩转动
顺磁磁化
技术磁化
磁中性
畴壁位移
磁畴转动
H
存在可逆和不 可逆过程
不存在不可逆 过程
可逆转动
H
不可逆转动
剩磁 矫顽力 磁能积
Mr iHc ( BH ) max
H m Lm H g Lg NI 0 H m Lm H g Lg Bm S m Bg S g H m Lm Bm S m H g Lg Bg S g Vm Bm H m Vg Bg H g Vg 0 H g 2 Vm ( BH ) max Vg 0 H g 2 Vm Vg 0 H g 2 ( BH ) max
四、技术磁化
M M s vi cos i
i
vi
第i个磁畴的体积
第i个磁畴的磁化矢量与磁场方向的夹角
i
忽略畴璧磁矩，求和在单位体积内进行
改变磁场时，磁化强度的变化 M
M [ M s cos i vi M s vi (cos i ) vi cos i M s ]
永磁磁路设计的主要任务是把 外部磁场能集中到所需要的空 间，同时使磁体处于最大磁能 积状态，从而把磁体体积减小 到最小。
~
畴壁位移
~
s 0
M s2 d
M s2
i Hc
s
Ms
应力 含杂 磁晶各向异性
应力

1 3
i Hc

2 3
M sd
磁畴转动
M s2 ~ K1 M s2 ~