四、技术磁化
M M svi c个磁畴的磁化矢量与磁场方向的夹角
忽略畴璧磁矩，求和在单位体积内进行
改变磁场时，磁化强度的变化 M
M [M s cosivi M svi(cosi ) vi cosiM s ]
i
磁畴体积的变 化：畴壁位移
M
2 s
s 0

~
M
2 s
d
1
3

~
M
2 s
K1
~
M
2 s
s 0
i
Hc

s
Ms
2
3
i Hc Msd
i Hc

2K1
0 M s
HK
i
Hc

s 0M s
应力 含杂
磁晶各向异性 应力
内秉磁性： 只与晶体结构和化学成分有关，与微结构（晶粒大小、取向、杂质、缺陷、 应力）等无关
Vm Bm Hm Vg Bg H g Vg 0H g 2
Vm (BH )max Vg 0 H g 2
Vm

Vg 0 H g 2
(BH )max
永磁磁路设计的主要任务是把
外部磁场能集中到所需要的空
间，同时使磁体处于最大磁能
积状态，从而把磁体体积减小
到最小。
畴壁位移 磁畴转动
~
初始磁导率
i
最大磁导率
max
磁致伸缩系数
最大磁能积
100 111
(BH )max
技术磁性： 不仅与晶体结构和化学成分有关，也与微结构（晶粒大小、取向、杂质、 缺陷、应力）等有关。
内秉磁性
表观（技术）磁性
交换常数A居里温度Tc
自发磁化强度
M s 饱和磁化强度
Ms
剩余磁化强度
Mr
剩余磁感应强度 Br
表观磁感应强度 Bb
磁晶各向异性常数
FK 矫顽力
i Hc
磁晶各向异性场
HA
B Hc
磁矩转动
顺磁磁化
技术磁化
磁中性
畴壁位移 磁畴转动 H
存在可逆和不 可逆过程
不存在不可逆 过程
可逆转动 H
不可逆转动
剩磁 矫顽力 磁能积
Mr iHc (BH )max
Hm Lm H g Lg NI 0
Hm Lm H g Lg
BmSm Bg Sg
Hm Lm BmSm H g Lg Bg Sg