殷田化工有限公司
Yan Tin Chemicals Co.,Ltd
干膜介绍及干膜工艺详解
主要内容安排：
1.干膜介绍及发展趋势 2.线路板图形制作工艺(以SES流程为
例)
3.基本工艺要求 4.各工序注意事项 5.常见缺陷图片及成因 6.讨论
1. 干膜介绍及发展趋势

干膜(Dry Film)的用途： 干膜是一种感光材料，是PCB生产中的重要 物料，用于线路板图形的转移制作。近几 年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金 工艺。
去膜点
：1.0~3.0kgf/cm2
：50~60％
SES工艺流程详细介绍 蚀刻：
蚀刻的作用：
用蚀刻液将非线路图形部分的铜面蚀 刻掉，而在锡或锡铅下的铜则不能被蚀刻。
SES工艺流程详细介绍 去锡/锡铅：
去锡/锡铅的作用：
用去锡/锡铅药液将锡/锡铅去掉，露出 需要的线路。
基本工艺要求

蚀刻、去锡/锡铅
基本工艺要求
前处理 水洗 : 多过3个缸(循环水)喷淋压力：13Kgf/cm2 吸干: 通常用2支海绵吸水辘 烘干:热风吹风量为 4.0～9.0m3/min 热风的温度为70～90℃ 其它控制项目 :水裂点：>15s 粗糙度1.5<Rz<3.0

工序注意事项

前处理
磨痕宽度均匀一致； 各段喷嘴无堵塞；
脱锡或锡/铅
显影
电镀铜＋锡 或铜＋锡/铅
碱性蚀板
去膜
SES工艺流程详细介绍 前处理：



前处理的作用：去除铜表面的氧化,油污,清洁、 粗化铜面，以增大干膜在铜面上的附着力。 前处理的种类：化学微蚀、物理磨板、喷砂处 理（火山灰、氧化铝）。 典型前处理工艺流程： 除油——水洗——磨板——水洗——微蚀— —水洗——酸洗——水洗——烘干
吸收 365nm 的紫外線 主基染料：綠色 轉變顏色染料：由無色轉為紫色
1. 干膜介绍及发展趋势

干膜性能的评估 解晰度 附着力 盖孔能力 填凹陷能力 其他
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜的发展趋势 为了达到线路板的多层和高密度要求，目 前干膜一般解像度要达到线宽间距（Ｌ/ Ｓ）在50/50um。但在半导体包装（BGA, CSP)上，线路板一般设计在 L/S在 25-40 um。必需要高解像度的干膜（L/S = 10/10 um）。为了满足客户要求、我们公司目前 新型干膜的解像度可达到L/S = 7.5/7.5 um。
以蚀刻药水和去锡药水供应商工艺要求为准。
工序注意事项

去膜
各段喷嘴不能堵塞； 去膜液浓度不可超出控制范围；
去膜液要定期更换，需要有自动添加，保 证不能超过药水负载量；
去膜段干膜过滤系统工作良好，并定期清 理膜碎； 去膜后水洗干净，板子表面不能有残膜； 吹干段不能有大量水带入蚀刻段。
5.常见缺陷图片及成因
适合于LDI工艺
2. 线路板图形制作工艺
两种镀通孔线路板制作的比较
Tenting制程
研磨 贴膜
SES制程
全板电镀铜 基铜 玻璃纤维底料 曝光原件 干膜
曝光
显影
蚀板
电镀铜/锡或锡/铅
碱性蚀板
脱锡或锡/铅 去膜
2. 线路板图形制作工艺
SES流程基本工艺
全板电镀铜
贴膜
基铜 玻璃纤维底料 曝光原件
曝光
曝光台面温度太高会造成底片变形； 板面、底片或曝光台面不能有脏点； 干膜、底片小心操作，防止划伤； 曝光机空气过滤芯定期清洁或更换。
SES工艺流程详细介绍 显影：
显影的作用： 将未曝光部分的干膜去掉，留下感光的部分。 显影的原理： 未曝光部分的感光材料没有发生聚合反应，遇 弱碱Na2CO3（0.8-1.2%)或K2CO3溶解。而聚合的 感光材料则留在板面上，保护下面的铜面不被蚀刻 药水溶解。
SES工艺流程详细介绍 电镀铜＋锡/锡铅:
电镀的作用： 将我们所需要的图形处的铜层进行加 厚，并且在铜面上镀上一层抗蚀刻层（即 锡或锡铅）。
基本工艺要求

电镀铜＋锡或锡铅
以电镀供应商工艺要求为准。
SES工艺流程详细介绍 去膜：
去膜的作用： 通过强碱溶液（一般为NaOH溶液， 浓度为2-3%）将覆盖在铜面上抗电镀的干 膜去掉。
适用于DES流程，主要用于内层制作，解 析度方面较好
针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、 抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点 针对DES流程具有良好的盖孔、耐酸性、 追从性等特点,也适用于电镀流程.
YQ-50SD
50
AQ-4088 SPG-152
ADV-401
40 15
40
适用于生产1.5mil的精细线路
水洗后表面无铜颗粒；
吸水海绵滚轮干净、湿润、无杂物； 烘干后表面及孔内无水渍； 水破时间>20秒； 每次变更生产板厚度时要做磨痕测试。
SES工艺流程详细介绍 贴膜：

贴膜的作用：是将干膜贴在粗化的铜面上。 贴膜机将干膜通过热压辘与铜面附着，同时撕掉 PE膜。
基本工艺要求

贴膜
预热段温度 ：80～100 ℃
SES工艺流程详细介绍
显影反应机理
单体
C O O H C O O H
聚合体主链 起始剂
C O O H
H 2 O
N a+ CO O N a+
C O O H C O O H
C O O H C O O H
C O O H
Na2C 3／H2O O 显影
N a+
C O O H
C O O H
C O O H
显影
1. 干膜介绍及发展趋势
解晰度测试:45/45微米
SEM: 45/45微米
1. 干膜介绍及发展趋势
25um Dry Film，L/S=7.5/7.5um
1. 干膜介绍及发展趋势
ASAHI干膜主要型号及特点
干膜型号 YQ-40SD YQ-40PN YQ-30SD 厚度(um) 40 30 特点 针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、 抗电镀性能等
贴膜前板面温度 ：40～60℃ 压辘设定温度 ：110～120℃
压膜时压辘温度 ：100～115 ℃ 贴膜压力 贴膜速度 ：3.0~5.0kgf/cm2 ：1.5~2.5m/min
贴膜后静置时间 ：15min～24H
工序注意事项

贴膜
贴膜压辘各处温度均匀； 定期测定贴膜压辘的温度；
贴膜上下压辘要平行；
干膜层 Substrate
a
COOH
b
COOH COOH COOH
单体
基本工艺要求

曝光
曝光能量：40-80mj/cm2 （以21级Stoufer格数尺7～9级残膜为准） 曝光后静置时间：15min~24H
工序注意事项

曝光
曝光能量均匀性≥90%； 每4H测定曝光能量；
抽真空时间不能太短，防止曝光不良；
－ COO
N a O H /H 2 O
－ COO ＋ N a
C OOH
C OOH
COOH
C O O－ ＋ N a
C O O－ ＋ N a
C O O－ ＋ N a
基本工艺要求

去膜
去膜液浓度 ：2.0~3.0%（NaOH浓度） 去膜液温度 ：45~55 ℃ 去膜压力 ：2.0~3.0kgf/cm2
水洗压力
Ｒ ー COOH ＋ Na2 CO 3 H2O
(乳化)
Ｒ － COO-
Na+
＋
NaHCO 3
基本工艺要求

显影
Na2CO3浓度 ：0.8~1.2%
显影液温度 ：28~32 ℃
显影压力 ：1.0~2.0kgf/cm2
显影点
：50~60％
工序注意事项

显影
各段喷嘴不能堵塞； 显影液要定期更换，需要有自动添加，保证不 能超过药水负载量； 各段滚轮上不能有油污等杂物； 烘干后板子表面、孔内无水渍。
短路(划伤造成)
短路(去膜不净)
短路(銅渣造成)
短路(銅渣造成
短路(銅渣造成)
短路(膜下雜物)
短路(膜下銅渣)
短路(銅渣造成 )
短路(滲鍍)
5.常见缺陷图片及成因
開路(膜碎造成)
開路(膜碎造成)
開路(膜碎造成)
開路(膜碎造成)
劃傷,蝕刻後
劃傷,蝕刻後
凸起,雜物造成
缺口,膜碎造成
6. 讨论
谢 谢 大 家！
贴膜压辘上无油污或膜碎等杂物； 清洁压辘上异物时不可用尖锐或硬的工具； 贴膜不可超出板边； 干膜不可超过有效期内。
SES工艺流程详细介绍 曝光：
曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使干 膜上部分图形感光，从而使图形转移到铜面上。
底片 干膜 Cu 基材
SES工艺流程详细介绍
曝光反应机理
COOH COOH
SES工艺流程详细介绍 去膜：
去膜的原理：
R e la x a tio n
COOH
COOH O－ ＋ N a ＋ N a
去膜
C OOH COOH C OOH COOH COOH COOH
C O O－ C O O H－ ＋ N a
＋ N a
C O O－ ＋ N a COO － ＋ N a
干膜的特性：
感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电， 因此可用作抗蚀层或抗电镀层。
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜的结构
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜的主要成分:
成分 聚合体主連 單体 起始劑 染料 增塑劑 穩定劑 附著劑 功能 物料 干膜的主体。維持干膜的機 熱塑性聚合物 械強度。 產生驟合反應。 維持干膜的 丙烯酸單体 機械強度。 開始聚合反應。 主基顏色染料。 轉變顏色染料 增加柔軟度 穩定作用 增加干膜与銅面的附著力,避 免有滲度情況。 抑制劑 特性 含有 –COOH 酸根 含有 C = C 雙鍵在末端的單体