第1章常用半导体器件
一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）
1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）
4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
( )
7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
( )
8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
( )
9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
( )
10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
( )
一、判断题答案：（每题1分）
1．√；
2．×；
3．√；
4．√；
5．×；
6．×；
7．√；
8．×；
9．×；
10．×。
二、填空题（每题1分）
1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。
2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。
3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。
8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流I
E 、I
B
、I
C
的关系为：。
10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。
二、填空题答案：（每题1分）
1．空穴
2．扩散运动
3．PN结
4．导通
5．反向
6．发射机e
7．变薄
8．反向
9．I
E ＝I
B
＋I
C
10．材料
三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
A、五价
B、四价
C、三价
D、二价2．在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。
A、多子的浓度
B、少子的浓度
C、半导体的体积
D、PN结的导电性能
3．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A、增大
B、不变
C、减小
D、为零
4．设二极管导通电压U D＝0.7V，图示电路的输出电压值U0
为。
A、0V
B、2V
C、1.3V
D、-1.3V
5．晶体二极管具有。
A、单向导电性
B、双向导电性
C、对信号有放大作用
D、负载特性
6．要使发光二极管正常发光，其两端需外加：。
A、正向电压
B、反向电压
C、正、反向电压均可
D、零偏置电压7．稳压二极管一旦被反向硬击穿，将。
A、保持原导电性能不变
B、绝对不能再使用
C、性能变坏，可以继续使用
D、对原电路没有影响
8．工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A、83
B、91
C、100
D、1000
9．极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制，属于晶体管极限参数的为。
A、共射极电流放大倍数β值
B、特征频率f T
C、最大集电极耗散功率P CM
D、静态工作点的电压值
10．图示电路中V B=0V，二极管的管压降可以不计，当V A由0V跳到3V后，Y的电位应为。
A、3V
B、0V
C、12V
D、没法确定
三、单项选择题答案：(每题1分）
1．A、五价
2. A、多子的浓度
3. A、增大
4. A、0V
5. A、单向导电性
6. A、正向电压
7. B、绝对不能再使用
8. C、100
9．C、最大集电极耗散功率P CM
10．B、0V
四、简答题（每题5分）
1. 怎样由本征半导体得到P型半导体？
2. 怎样由本征半导体得到N型半导体？
Y 3V
0V
3. 硅三极管BE 结的导通电压为多少伏？
4. 锗三极管BE 结的导通电压为多少伏？
5. 二极管的主要参数有哪些？
6. 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 四、简答题答案：（每题5分）
1. 答：在本征半导体中掺入三价元素（如硼）可得到P 型半导体。
2. 答：在本征半导体中掺入五价元素（如磷）可得到N 型半导体。
3. 答：硅三极管BE 结的导通电压为0.5～0.7伏。
4. 锗三极管BE 结的导通电压为0.2～0.3伏。
5. 答：二极管的主要参数有：①最大整流电流I F
；②最高反向工作电压U R
；③最大瞬时
值反向电流 I R
；④最高工作频率f M。
6. 答：因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。
外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。
由于载流子数目很少，故导电性很差。
温度升高，热运动加剧，本证激发加剧，使少数载流子浓度增大，但掺杂浓度不变，相对增加较多的是少数载流子，使导电性增强，产生较大的噪声。
所以少子是影响温度稳定性的主要因素。
五、画图题（每题5分）
1. 电路如图所示，设二极管正向导通时的电压可忽略不计，已知i u ＝10sin ωt (v)，试画出i u 与o u 的波形（注意时间坐标的对应关系）。
2. 电路如图所示，已知i u ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出i u 与o u 的波
形，并标出幅值（注意时间坐标的对应关系）。
3. 现测得某放大电路中两只三极管的两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子符号。
4. 测得某放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如图所示，这些管子均处于放大状态。
在圆圈中画出管子符号，并分别说明它们是硅管还是锗管。
五、画图题答案：（每题5分）
1. 解：①根据 i u 的表达式i u ＝10sin ωt (v)，可画出输入信号波形如图中的i u 所示；
②i u 正半周期时二极管正向偏置而导通，又因二极管正向导通时的电压可忽略不
计，所以o u ＝i u 。
i u 负半周期时二极管因反向偏置而截止，回路中无电流，所以输出电
压o u ＝0。
③画出i u 与o u 的对应波形如图所示。
2. 解：①若考虑二极管导通电压U D ＝0.7V ，由电路可以看出，当-
3.7V ≤i u ≤+3.7V 时，二极管D 1和D 2均截止，回路中无电流，所以o u ＝i u ；
②i u 正半周期且高于3.7V 时，二极管D 1正向偏置而导通，D 2因反偏而截止，所o u ＝3V+0.7V=3.7V 。
i u 负半周期时且低于-3.7V 时，二极管D 2因正向偏置而导通，D 1因反偏而截止，所以o u ＝-（3V+0.7V ）=-3.7V 。
③画出i u 与o u 的对应波形如图所示。
3. 解：①根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系，对于（a ）图，第三个电极流出的电流I = 10μA + 1mA = 1.1 mA ，且这个电极应为发射极 I e （符合I e = I b + I C ），根据电流的流向，该管应为NPN 型管；对于（b ）图，第三个电极流出的电流I = 5.1 mA - 100μA = 5 mA ，且这个电极应为集电极 I C （符合I C =I E -I B ），根据电流的流向，该管应为PNP 型管。
②分别画出两只管子的符号如图所示。
4. 解：①由于硅管BE结的导通电压为0.5～0.8V，锗管BE结的导通电压为0.1～0.3V；
②NPN管正常放大应为正电压，即V C＞V B＞V E，而PNP管应为负电压，即V C＜V B ＜V E；
③根据晶体管的放大条件，综合上述特点，得出各晶体管三个电极分别为上、中、下管脚及管型和材料得出如下结论：
管号T1 T2 T3 T4 T5 T6
上 e c e b c b
中 b b b e e e
下 c e c c b c
管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN
材料Si Si Si Ge Ge Ge
画出各管子的图形如下图所示：。