第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A. PB. NC. PND. 电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A. PB. NC. PND. 空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是A ，少数载流子是B 。
A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。
A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。
A．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。
(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。
A．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。
A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A ．反向偏置电压B ．正向导通电压C ．死区电压D ．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A 。
(反压下，光照产生光电流)A ．减少B ．增大C ．基本不变D ．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
A ．电压放大B ．单向导电C ．电流放大D ．电流与电压放大15、三极管处于放大状态时____A____。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏16、NPN 三极管工作在放大状态时，其两个结的偏置为 A 。
A ．U BE >0、 U BE <U CEB ． U BE <0、 U BE <U CEC ．U BE >0、 U BE >U CED ． U BE <0、 U CE >017、.对于PNP 型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足___B____。
A ．U C >UB >U E B ．UC <U B <U E C ．U B >U C >U ED ．U B <U C <U E18、对于NPN 型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足____A____。
A ．U C >UB >U E B ．UC <U B <U E C ．U B >U C >U ED ．U B <U C <U E19、输入特性曲线反映三极管___D_____关系的特性曲线。
A ．u CE 与iB B ．u CE 与iC C ．u BE 与i CD ．u BE 与i B20、输出特性曲线反映三极管____B____关系的特性曲线。
A.u CE 与i BB.u CE 与i CC.u BE 与i CD.u BE 与i B21、场效应管三个电极中，用D 表示的电极称为_____D______，用S 表示的电极称为____B____，用G 表示的电极称为_____A__。
A ．栅极B ．源极C ．基极D ．漏极22、场效应管的转移特性曲线反映的是______D_____之间的关系。
A ．DS v 与D i B ．BE v 与B i C ．CE v 与C i D ．GS v 与D i23、场效应管的输出特性曲线反映的是_______B____之间的关系。
A ．GS v 与D iB 。
DS v 与D iC ．DS v 与C iD 。
CE v 与C i24、图3.4（a ）、（b ）分别代表___D_______绝缘栅场效应管。
A ．P 沟道增强型与N 沟道耗尽型B ．N 沟道增强型与N 沟道耗尽型C ．N 沟道耗尽型与P 沟道增强型D ．P 沟道耗尽型与N 沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征_____C_____的控制作用。
A ．ds v 对d i B 。
gs v 对ds v C ．gs v 对d i D 。
g i 对dsv 二． 填空题1. 半导体具有 热敏特 性、 光敏特 性和 掺杂特 性。
2. 温度___升高_____将使半导体的导电能力大大增加。
3. 半导体材料中有两种载流子，即 自由电子 和 空穴 。
4. 杂质半导体按导电类型分为 P 型半导体 和 N 型半导体 。
5. N 型半导体多子是 自由电子 ；P 型半导体多子是 空穴 。
6. PN 结的基本特点是具有 单向导电 性，PN 结正向偏置时 导通 ，反向偏置时 截止 。
7. 二极管的伏安特性有： 正向 、 反向 和 反向击穿 特性。
8. 二极管的反向电流随外界温度的升高而 升高 ；反向电流越小，说明二极管的单向导电性 越好 。
一般硅二极管的反向电流比锗管 小 很多。
9. 二极管处于反偏时，呈现电阻__无限大______。
10. 二极管反向饱和电流I S 会随___温度_____升高而增大。
11. 二极管的最高反向工作电压U RM 的含义是 二级管工作时允许外加的最大反向电压 。
12. 稳压二极管通常是工作在 反向击穿 状态下的特殊二极管，发光二极管的PN 结工作在 正向 偏置状态时会发光。
13. 光电二极管又称 红远外线接收 二极管，其PN 结工作在 反向偏置 状态，它的反向电流会随光照强度的增加而 增加 。
14. 三极管是一种 电流 控制器件；而场效应管是一种 电压 控制器件。
15. 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结 正向 偏置；集电结 反向偏置。
16. 三极管起放大作用时的内部要求是：基区 很薄，参杂浓度低 ；发射区 参杂浓度高 ；集电 结面积大 。
17. 三极管具有电流放大作用的实质，它是利用 基极 电流的变化控制 集电极电流的变化。
18. 三极管输出特性曲线分为 截止 区、 饱和 区和 放大区。
三极管的三个管脚电流关系是I E = I B +I C ，直流电流放大系数的定义式β= （I C - I CEO ）/I B ，交流电流放大系数的定义式= △i c / △i b 。
19. 场效应管属于___压控流型_____控制元件。
20. 绝缘栅场效应管分为___增强 ____型和____耗尽 ___型两类，各类又有__N___沟道和___P__沟道两种。
21. 场效应管可分为____可变电阻____区、____夹断____区、___恒流_____区、____截断____区四个区域。
作为放大器件使用时，应工作在___恒流_____区。
22. 场效应管的低频跨导，表征___栅源电压______对___漏极电流______控制能力的重要参数。
23. N 沟道增强型MOS 管的栅源电压为___正____时能控制漏极电流，耗尽型MOS 管的栅源电压为____正____或为___负_____时均能控制漏极电流。
24. 开启电压U T 是指DS v 为定值时，使__增强型____MOS 管_使漏极电流大于零所需的最小_______的栅源电压。
夹断电压U P 是指DS v 为定值时，使___ 耗尽型_____MOS 管__使漏极电流为规定的微小电流________时的栅源电压。
三．问答题1． 画出二极管的电路符号和文字符号，并说明二极管的主要特性。
2． 已知三极管的β=60，在放大电路中测得I C =8mA ，求I B ，I E 。
3．二极管电路如图所示，假设二极管为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A O两端的电压U AO4．二极管电路如所示，设输入电压u i（t）波形如图b所示，在0 < t < 5 ms的时间间隔内，试绘出u o（t）的波形，设二极管是理想的。
图a 图b5．电路如图a所示，设二极管是理想的。
（1）画出它的传输特性；（2）若输入电压u i＝20sinωt(V) 如图b所示，试根据传输特性绘出一周期的输出电压u O 的波形。
6．电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
7．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
8． 三极管工作在放大状态时，测得三只晶体管的直流电位如图所示。
试判断各管子的管脚、管型和半导体材料。
（a ） （b ） （c ）12．三极管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各三极管处于何种工作状态？（NPN 型为硅管，PNP 型为锗管）。
发射结集电结三极管处于发射结集电结三极管处于发射结集电结三极管处于集电结三极管处于。