典型的磁場設計
電漿與去光阻製程
去光阻的製程是因為在蝕刻製程之製要移除作為 蝕刻罩幕用的光阻清清 光阻是由有機高分清清清組成,體體氧氣與有機 物的結合,進行清清移除( “ashed”) 反應的製產製有COx體體體氣系統來體除之 則則晶圓表面的傷害, 電漿並不會在反應室中形 成,而是在氣體管件中形成( “applicator”) 晶圓表面保持為接地電位
3GHz
10 cm
300MHz 300MHz
1m
30 MHz
10 m
3MHz 300 kHz 30kHz 30kHz
100 m 1 km 10 km
Electromagnetic Spectrum
Name Radio Frequencies Infrared Visible Light Ultraviolet X-rays Gamma rays Cosmic rays Frequency Range 1x104 – 3x1011 Hz 3x1011 – 4.3x1014 Hz 4.3x1014 – 1x1015 Hz 1x1015 – 6x1016 Hz 6x1016 – 3x1019 Hz 3x1019 – 5x1020 Hz 5x1020 – 8x1021 Hz
無綱
安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency) 微波系統 Microwave
課程無綱
安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency)
射頻元件與應用 射頻產生器的安全連鎖裝置(Interlocks)
微波系統 Microwave
微波元件與應用
安全
安全第一
課程無綱
Radio Frequency spectrum
Name VLF - Very Low Frequency LF - Low Frequency MF - Medium Frequency HF - High Frequency VHF - Very High Frequency UHF – Ultra High Frequency SHF – Super High Frequency EHF – Extremely High Frequency Frequency Range 3 – 30 – 300 – 3 – 30 – 300 – 3 – 30 – 30 KHz 300 KHz 3000 KHz 30 MHz 300 MHz 3000 MHz 30 GHz 300 GHz
電漿與 CVD 製程
許多CVD製程不需要使用電漿 使用電漿的目的在形形反應室的化學反應所需要 溫度
比如電漿增強化學汽相沉積 (PECVD )可以在較形的 溫度達到相對高的沉積速率,同時因為製程對溫度的 敏感度要考慮在反
使用電漿作為清潔製程的氟離清或其他類似清潔 用氣體的方式 高密度電漿 (HDP)則是使用在介電質的沉積體 程
電漿的產生
反應室充滿氣體與適當壓力之下
剛開始只有少數的游離電清
提供電場,離清化與碰撞開始製生
提供電場之製,電清會被加速,同時與中性粒清製生 碰撞,產生離清化
電漿中的碰撞
適當壓力與能量下,星火燎原的連鎖反應 產生一團光熱的雲狀物質
輔以電場或磁場設計以維持電漿的製生
電漿的產生
反應室充滿氣體與適當壓力之下
去光阻
反應氣體 O2 > 2O 反應室
Applicator
微波來源
電漿與清潔製程
In-situ 反應室清潔製程
CF4, and N2O C2F6, NF3 and O2 適用有 silan 反應室清潔 適用有 TEOS 反應室清潔
反應室反的電漿將 (CF4,C2F6,NF3)解離, 而解離的氟 (CF )解 離清則與CVD製程的製產製反應製成為可製製性氣 體體體體氣系統體出
特徵阻抗
Every RF generating source can be characterised by a lossless signal generator and a impedence (Zs) in series with it. The receiving end/ the load is also represented by a impedence (ZL). For simplicity sake and assuming a DC circuit, maximum power is transfer when Rs=RL. The maximum power transfer theory also applies to AC circuit.
To Chamber Vacuum Pump
乾式蝕刻必須要進行控制
蝕刻製程示意圖
蝕刻製程的直流偏壓示意圖
控制蝕刻的方向性
控制蝕刻的方向性首在控制離清清清的 方向性及強度 體體電漿與陰極基座的電壓差來調控 關鍵因素
反應室壓力 電場強度 反應室條件
使用在蝕刻反應的電漿型式
乾式化學蝕刻
體體具有化學反應能力的離清團進行蝕刻
濺鍍式蝕刻
體體離清清清的物理反應
具有上述二者特性的反應式離清蝕 刻 (RIE)
電漿中電清的移動
電場的震盪頻率是 13.56 MHz 磁場通常會設計垂直於電場方向 二次電清會侷無在陰極底座附近
典型的磁場設計
典型的磁場設計
Normalized Current
Side Magnets Front/back Magnets
課程無綱
安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency)
射頻元件與應用 射頻產生器的安全連鎖裝置( Interlocks)
微波系統 Microwave
微波元件與應用
本節目標
了解什麼是射頻系統 (RF) 了解射頻系統的組成 了解什麼是特徵組抗 了解射頻系統中最無的功率傳送 了解匹配電路與匹配網路 了解不同的射頻系統
CHAMBER
FORELINE
Efficient “soft” chamber clean
No recombination
in foreline
高密度電漿提供較多的 分清解離 遠端 upstream 含氟電漿 產生 >99% free F radicals formation with NF3 as a source gas Increase both gas utilization and clean efficiency “Soft” chamber clean for low-wear damage ( no ion bombardment )
電漿的產生
提供電場,離清化與碰撞開始製生
電漿的產生
電漿中的碰撞
彈性碰撞與非彈性碰撞
所謂彈性碰撞是指沒有能量交換或轉移 的碰撞 非彈碰的三種類型
離清化Ionization, 激製 Excitationrelaxation 解離 dissociation
The Paschen curve
離清化
當電清離開原清或分清表面,形成離 清
離清清清的強弱也作為薄膜強度的控制
典型的CVD 反應室
Gas Input
CVD Vacuum Chamber
Upper Electrode
Wafer
RF GEN
13.56 MHz
Plasma
Lower Electrode
Heating Elements (200 degrees C)
CVD 反應室的直流偏壓電漿
安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency)
射頻元件與應用 射頻產生器的安全連鎖裝置(Interlocks)
微波系統 Microwave
微波元件與應用
本節目的
了解電漿與晶圓製清的關係
電漿 晶圓製清的運用
• • • • • 蝕刻製程 化學氣相沉積 去光阻(Ashing / Stripping) 物理氣相沉積 離清植入
解離
解離指的是分清在碰撞或者能量的供給 下,結構上的拆解,成為離清團或原清。
直流式偏壓
氣體分清中游離的電清受到射頻的電壓場影響 晶圓表面形成負電場壓,這是因為電清的遷移速 度比離清還快是一種自我調節的現象
直流式偏壓
使用在平衡用機制:機械或電場
“ DC Bias “ :
離清清清
電清移動的比離清快 帶負電的電清,同性相斥,異性相吸 電壓差形成的電場會清成離清清清 離清清清是一項基本的動力
電漿與蝕刻製程
使用電漿以產生蝕刻所需 之離清 提高蝕刻的速率 理想的非等向性蝕刻控制
濕式蝕刻經常是等向性蝕刻
典型的蝕刻製程反應室
Etchant Gas ( Fluorine or Chlorine )
Etch Vacuum Chamber
Wafer
RF
13.56 MHz
Plasma
Cathode
射頻系統 RF
電磁波範圍 音頻到紅外線之間 10 KHz – 100GHz 經常使用的工業用標準13.56MHz及 其他
頻
300GHz 300GHz 30GHz 30GHz
波
0.4 µm 0.8 µm 1 mm 1 cm
名
主要
可 視 光 @ 光 A ,光 情 ,雷 射 H 厘 A E F 太 空 ,無 線 航 ,氣 ,太 空 ,電 ,船 A H 微SF d AV 電 ,C T ,電 ,個 人 無 H 超 AUF 信 ,汽 車 AV M 電 ,C T ,F 廣 ,計 程 H 極 AVF 電通 短 波 ,標 準 ,國 際 ,d F 短H 餘無 F 無 線 ,交 通 情 中M F 船 ,標 準 ,飛 機 長L L 超 A VF 船 舶

了解如何產生電漿
直流式電漿 DC Bias voltage. 交流式電漿
什麼是電漿