大学物理电磁学知识点总结导读：就爱阅读网友为您分享以下“大学物理电磁学知识点总结”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对的支持!大学物理电磁学总结一、三大定律库仑定律：在真空中，两个静止的点电荷q1 和q2 之间的静电相互作用力与这两个点电荷所带电荷量的乘积成正比，与它们之间距离的平方成反比，作用力的方向沿着两个点电荷的连线，同号电荷相斥，异号电荷相吸。
uuu r q q ur F21 = k 1 2 2 er rur u r 高斯定理：a) 静电场：Φ e = E d S = ∫s∑qiiε0（真空中）b) 稳恒磁场：Φ m =u u r r Bd S = 0 ∫s环路定理：a) 静电场的环路定理：b) 安培环路定理：二、对比总结电与磁∫Lur r L E dl = 0 ∫ ur r B dl = 0 ∑ I i （真空中）L电磁学静电场稳恒磁场稳恒磁场电场强度：E磁感应强度：B 定义：B =ur ur F 定义：E = (N/C) q0基本计算方法：1、点电荷电场强度：E =ur r u r dF （d F = Idl × B ）(T) Idl sin θ方向：沿该点处静止小磁针的N 极指向。
基本计算方法：urq ur er 4πε 0 r 2 1r ur u Idl × e r 0 r 1、毕奥-萨伐尔定律：d B = 2 4π r2、连续分布的电流元的磁场强度：2、电场强度叠加原理：ur n ur 1 E = ∑ Ei = 4πε 0 i =1r qi uu eri ∑ r2 i =1 inr ur u r u r 0 Idl × er B = ∫dB = ∫ 4π r 23、安培环路定理（后面介绍）4、通过磁通量解得（后面介绍）3、连续分布电荷的电场强度：ur ρ dV ur E=∫ e v 4πε r 2 r 0 ur ς dS ur ur λ dl ur E=∫ er , E = ∫ e s 4πε r 2 l 4πε r 2 r 0 04、高斯定理（后面介绍）5、通过电势解得（后面介绍）几种常见的带电体的电场强度公式：几种常见的磁感应强度公式：1、无限长直载流导线外：B = 2、圆电流圆心处：电流轴线上：B =ur 1、点电荷：E =q ur er 4πε 0 r 2 12R0 I 2π r2、均匀带电圆环轴线上一点：ur E= B = 3、圆r qx i 2 2 32 4πε 0 ( R + x )R 2 IN 2 ( x 2 + R 2 )3 21 0α 23、均匀带电无限大平面：E =ς 2ε 0（N 为线圈匝数）4、无限大均匀载流平面：B =4、均匀带电球壳：E = 0( r（α 是流过单位宽度的电流）ur E=q ur er (r > R ) 4πε 0 r 25、无限长密绕直螺线管内部：B = 0 nI （n 是单位长度上的线圈匝数）6、一段载流圆弧线在圆心处： B = （是弧度角，以弧度为单位）7、圆盘圆心处：B =r ur qr (r R ) 20 I 4π R0ςω R2（ς 是圆盘电荷面密度，ω 圆盘转动的角速度）6、无限长直导线：E =λ 2πε 0 x λ 0(r > R ) 2πε 0 r7、无限长直圆柱体：E =E=λr (r电场强度通量：N·m2·c-1）（磁通量：wb）（sΦ e = ∫ d Φ e = ∫ E cos θ dS = ∫s sur u r E d S通量u u r r Φ m = ∫ d Φ m = ∫ Bd S = ∫ B cos θ dS s s s 若为闭合曲面：Φ e =∫sur u r E d S若为闭合曲面：u u r r Φ m = Bd S = B cos θ dS ∫ ∫ s s均匀电场通过闭合曲面的通量为零。
静电场的高斯定理：磁场的高斯定理：iur u r Φ e = E d S = ∫s∑qi高斯定理u u r r Φ m = Bd S = 0 ∫ε0注：磁场是无源场注：静电场是有源场可以求解E 静电场的环路定理：安培环路定理：∫Lur r E dl = 0环路定理∫Lur r B dl = 0 ∑ I iL注：静电场力是保守力；静电场是保守场、无旋场。
注：磁场是有旋场。
可以就解B静电场的功与电势能：静电场的功：Aab =∫baur r q0 E dl磁场对电流的作用：1、磁场对载流导线的作用：磁场对运动电荷的作用：1、只有磁场：（洛伦兹力）ur ur r u r F = ∫ d F = ∫ Idl × BLur r u r F = qv × B由于洛伦兹力与速度始终垂直，所以洛伦兹力对运动电荷做的功恒等于零。
2、既有电场又有磁场：保守力的功等于势能的改变量ur r “0” ∴Wa = ∫ q0 E dla2、均匀磁场对平面在流线圈的作用：一般设无穷远点电势能为0ur r ∞ ∴Wa = Aa∞ = ∫ q0 E dlauu ur u uu r r r M = m × B （M 为磁力矩）ur uu r m = NISen （m 为磁偶极子）磁力的功：ur ur r ur F = q( E + v × B)3、霍尔效应：∴Aab = Wa WbA=∫Φm 2Φ m1Id Φ m= I (Φ m 2 Φ m1 ) = I Φ mU ab = RHIB 1 ，RH = （）d nq电势与电势差：(V) 电势：（一般设无穷远点无电势零点）一些常见带电体的电势：1、点电荷电势：V ( r ) =r ∞ ur W Va = a = ∫ E dl a q0电势差：U ab = Va Vb =q 4πε 0 r1∫baur r E dl2、均匀带电圆环轴线上一点电势：V (r ) =电势的计算：1、点电荷电场中的电势：q 4πε 0 ( R + x 2 )1 2213、均匀带电球体的电势：Va = ∫∞q 4πε 0 r2rdr =q 4πε 0 rr2 V (r ) = (3 2 )(r R)2、点电荷系电场中的电势：Va = ∑ Vai = ∑i =1 i =1n4πε 0 riV (r ) =qi4、均匀带电球面的电势：3、电荷连续分布带电体电场中的电势：Va = ∫dq 4πε 0 rq (r R) 4πε 0 r 1场强与电势：V (r ) =ur V r V r V r E = ( i+ j+ k ) = gradV x y z电介质磁介质电介质电容率：ε = ε 0ε r （ε r 为相对电容率，其值除真空均大于1）电介质的极化：1、无极分子的位移极化2、有机分子的取向极化磁介质的磁化：1、磁介质在外磁场中产生附加磁矩m 2、磁介质磁化后产生束缚电流。
磁介质磁导率：= 0 r （r 为相对磁导率，其值在真空中为1）E = E0 ε rB = B0 r电位移矢量D：磁场强度矢量H：ur ur ur D = ε 0ε r E = ε E (C·m-2) 有电介质的高斯定理: ur u r uu r B B H= = (A·m-1)0 rur u r Dd S = ∑ q0 i ∫s i有电介质的安培环路定理定理:∫Luu r r H d l = ∑ I 传Lq0i 为自由电荷。
电场的能量电场能量体密度：we =磁场的能量磁场能量体密度：wm =We 1 2 1 = ε E = DE V 2 2 1 2 电场静电能：Wm B 2 1 = = BH V 2 2 B2 dV 2磁场能量：Wm =∫ We = ∫ we dV = ∫ ε E dV V V 2Vwm dV = ∫V导体在静电场中：1、导体静电平衡条件：E内= 0和E表面⊥表面2、用电势来表述：整个导体是等势体。
静电场平衡条件下的电荷分布：1、导体内部没有净电荷存在，电荷分布在导体表面。
2、导体表面附近任一点的电场强度和该处电荷密度的关系为： E =磁介质的分类：顺磁质r > 1 ）抗磁质r > 1 ）（，（，（铁磁质的主要特征：(1) 高磁导率(2) 非线性(3) 具有磁滞现象ς ε0电容C电感L孤立导体电容：电容器的电容：自感：互感：C=q V(单位F、F、pF)q C= V1 V2L=ΨI(单位H)M = M 12 = M 21 =Φm 21I1计算电容思路：计算自感思路：ur ur Q → E ( D) → V → C常见电容器：1、平行板电容器：C = ε 0ε r S d 2、球形电容器：C =。