所有答案都写在答题纸上！
一、名词解释（共20分，每小题2分。）
1. 辐射的发射
2. 俄歇电子
3. 背散射电子
4. 溅射
5. 物相鉴定
6. 电子透镜
7. 质厚衬度
8. 蓝移
9. 伸缩振动
10. 差热分析

二、填空题（共20分，每小题2分。）
1.
电磁波谱可分为三个部分，即长波部分、中间部分和短波部分，其中中间部分包括

（ ）、（ ）和（ ），统称为光学光谱。
2. 光谱分析方法是基于电磁辐射与材料相互作用产生的特征光谱波长与强度进行材
料分析的方法。光谱按强度对波长的分布（曲线）特点（或按胶片记录的光谱表
观形态）可分为（ ）光谱、（ ）光谱和（ ）光谱3类。
3. 分子散射是入射线与线度即尺寸大小远小于其波长的分子或分子聚集体相互作用
而产生的散射。分子散射包括（ ）与（ ）两种。
4. X射线照射固体物质(样品)，可能发生的相互作用主要有（ ）、 （ ）（ ）
和（ ）等。
5. 多晶体（粉晶）X射线衍射分析的基本方法为（ ）和（ ）。
6. 依据入射电子的能量大小，电子衍射可分为（ ）电子衍射和（ ）电子衍
射。依据电子束是否穿透样品，电子衍射可分为（ ）电子衍射与（ ）电
子衍射。
7. 衍射产生的充分必要条件是（ ）。
8. 透射电镜的样品可分为（ ）样品和（ ）样品。
9. 单晶电子衍射花样标定的主要方法有（ ）和（ ）。
10. 扫描隧道显微镜、透射电镜、X射线光电子能谱、差热分析的英文字母缩写分别
是（ ）、（ ）、（ ）、（ ）。

三、判断题，表述对的在括号里打“√”，错的打“×”（共10分，每小题1
分）
1. 干涉指数是对晶面空间方位与晶面间距的标识。晶面间距为d110/2的晶面其干涉
指数为（220）。（ ）
2. 倒易矢量r*HKL的基本性质为：r*HKL垂直于正点阵中相应的（HKL）晶面，其长
度r*HKL等于(HKL)之晶面间距dHKL的2倍。（ ）倒数
3. 分子的转动光谱是带状光谱。（ ）
4. 二次电子像的分辨率比背散射电子像的分辨率低。（ ）高
5. 一束X射线照射一个原子列（一维晶体），只有镜面反射方向上才有可能产生衍射。
（ ）
6. 俄歇电子能谱不能分析固体表面的H和He。（ ）
7. 低能电子衍射（LEED）不适合分析绝缘固体样品的表面结构。（ ）
8. d-d跃迁受配位体场强度大小的影响很大，而f-f跃迁受配位体场强度大小的影
响很小。（ ）
9. 红外辐射与物质相互作用产生红外吸收光谱必须有分子极化率的变化。（ ）
10. 样品粒度和气氛对差热曲线没有影响。（ ）

四、单项选择题（共10分，每小题1分。）
1. 原子吸收光谱是（ ）。
A、 线状光谱 B、带状光谱 C、连续光谱
2. 下列方法中，（ ）可用于测定方解石的点阵常数。
A、 X射线衍射线分析 B、红外光谱 C、原子吸收光谱 D 紫外光谱子能谱
3. 合金钢薄膜中极小弥散颗粒(直径远小于1m)的物相鉴定，可以选择（ ）。
A、X射线衍射线分析 B、紫外可见吸收光谱 C、差热分析 D、多功能透射电
镜
4. 几种高聚物组成之混合物的定性分析与定量分析，可以选择（ ）。
A、红外光谱 B、俄歇电子能谱 C、扫描电镜 D、扫描隧道显微镜
5. 下列（ ）晶面不属于[100]晶带。
A、（001） B、（100） C、（010） D、（001）
6. 某半导体的表面能带结构测定，可以选择（ ）。
A、 红外光谱 B、透射电镜 C、X射线光电子能谱 D 紫外光电子能谱
7. 要分析钢中碳化物成分和基体中碳含量，一般应选用（ ）电子探针仪，
A、波谱仪型 B、能谱仪型
8. 要测定聚合物的熔点，可以选择（ ）。
A、红外光谱 B、紫外可见光谱 C、差热分析 D、X射线衍射
9. 下列分析方法中，（ ）不能分析水泥原料的化学组成。
A、红外光谱 B、X射线荧光光谱 C、等离子体发射光谱 D、原子吸收光谱
10. 要分析陶瓷原料的矿物组成，优先选择（ ）。
A、原子吸收光谱 B、原子荧光光谱 C、X射线衍射 D、透射电镜
五、简答题（共40分，每小题8分）
1. 简述分子能级跃迁的类型，比较紫外可见光谱与红外光谱的特点。
2. 简述布拉格方程及其意义。
3. 为什么扫描电镜的分辨率和信号的种类有关？试将各种信号的分辨率高低作一比
较。
4. 要在观察断口形貌的同时，分析断口上粒状夹杂物的化学成分，选择什么仪器？
简述具体的分析方法。
5. 简述影响红外吸收谱带的主要因素。