电磁场与电磁波试题及答案1.麦克斯韦的物理意义：根据亥姆霍兹定理，矢量场的旋度和散度都表示矢量场的源。

麦克斯韦方程表明了电磁场和它们的源之间的全部关系：除了真实电流外，变化的电场（位移电流）也是磁场的源；除电荷外，变化的磁场也是电场的源。

1. 写出非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式，并简要说明其物理意义。

2.答非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式为,,0,D B H J E B D t tρ∂∂∇⨯=+∇⨯=-∇⋅=∇⋅=∂∂，(3分)（表明了电磁场和它们的源之间的全部关系除了真实电流外，变化的电场（位移电流）也是磁场的源；除电荷外，变化的磁场也是电场的源。

1.简述集总参数电路和分布参数电路的区别：2.答：总参数电路和分布参数电路的区别主要有二：（1）集总参数电路上传输的信号的波长远大于传输线的几何尺寸；而分布参数电路上传输的信号的波长和传输线的几何尺寸可以比拟。

（2）集总参数电路的传输线上各点电压（或电流）的大小与相位可近似认为相同，无分布参数效应；而分布参数电路的传输线上各点电压（或电流）的大小与相位均不相同，呈现出电路参数的分布效应。

1.写出求解静电场边值问题常用的三类边界条件。

2.答：实际边值问题的边界条件可以分为三类：第一类是整个边界上的电位已知，称为“狄利克莱”边界条件；第二类是已知边界上的电位法向导数，称为“诺依曼”边界条件；第三类是一部分边界上电位已知，而另一部分上的电位法向导数已知，称为混合边界条件。

1.简述色散效应和趋肤效应。

2.答：在导电媒质中，电磁波的传播速度（相速）随频率改变的现象，称为色散效应。

在良导体中电磁波只存在于导体表面的现象称为趋肤效应。

1.在无界的理想媒质中传播的均匀平面波有何特性？在导电媒质中传播的均匀平面波有何特性？2. 在无界的理想媒质中传播的均匀平面波的特点如下：电场、磁场的振幅不随传播距离增加而衰减，幅度相差一个实数因子η（理想媒质的本征阻抗）；时间相位相同；在空间相互垂直，与传播方向呈右手螺旋关系，为TEM 波。

在导电媒质中传播的均匀平面波的特点如下：电磁场的振幅随传播距离增加而呈指数规律衰减；电、磁场不同相，电场相位超前于磁场相位；在空间相互垂直，与传播方向呈右手螺旋关系，为色散的TEM 啵。

1. 写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时的边界条件。

2. 时变场的一般边界条件 2n D σ=、20t E =、2t s H J =、20n B =。

(或矢量式2n D σ=、20n E ⨯=、2s n H J ⨯=、20n B =)1. 写出矢量位、动态矢量位与动态标量位的表达式,并简要说明库仑规范与洛仑兹规范的意义。

2. 答矢量位,0B A A =∇⨯∇⋅=；动态矢量位A E t ϕ∂=-∇-∂或AE tϕ∂+=-∇∂。

库仑规范与洛仑兹规范的作用都是限制A 的散度，从而使A 的取值具有唯一性；库仑规范用在静态场，洛仑兹规范用在时变场。

1. 简述穿过闭合曲面的通量及其物理定义2.sA ds φ=⋅⎰⎰是矢量A 穿过闭合曲面S 的通量或发散量。

若Ф>0，流出S 面的通量大于流入的通量，即通量由S 面内向外扩散，说明S 面内有正源若Ф< 0，则流入S 面的通量大于流出的通量，即通量向S 面内汇集，说明S 面内有负源。

若Ф=0，则流入S 面的通量等于流出的通量，说明S 面内无源。

1. 证明位置矢量x yz r e x e y e z=++ 的散度，并由此说明矢量场的散度与坐标的选择无关。

2. 证明在直角坐标系里计算，则有()()xy z x y z r r e e e e x e y e z xy z ⎛⎫∂∂∂∇⋅=++⋅++ ⎪∂∂∂⎝⎭3x y z x y z∂∂∂=++=∂∂∂ 若在球坐标系里计算，则 232211()()()3r r r r r r r r r∂∂∇⋅===∂∂由此说明了矢量场的散度与坐标的选择无关。

1. 在直角坐标系证明0A ∇⋅∇⨯=2.()[()()()]()()()0y x x x z z xy z x y z y y x x z z AA A A A A A e e e e e e x y z y z z x x y A A A AA A x y z y z x z x y ∇⋅∇⨯∂∂∂∂∂∂∂∂∂=++⋅-+-+-∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂=-+-+-=∂∂∂∂∂∂∂∂∂ 1. 简述亥姆霍兹定理并举例说明。

2. 亥姆霍兹定理研究一个矢量场，必须研究它的散度和旋度，才能确定该矢量场的性质。

例静电场sD ds q⋅=∑⎰⎰ 0D ρ∇⋅=有源0lE dl⋅=⎰ 0E ∇⋅= 无旋1. 已知R r r '=-，证明R R R R e R ''∇=-∇==。

2. 证明x y z x y zR R R x x y y z z R e e e e e e x y z R R R'''∂∂∂---∇=++=++∂∂∂ R '∇= …… R =-∇1. 试写出一般电流连续性方程的积分与微分形式 ，恒定电流的呢？2. 一般电流/0,/J dS dq dt J t ρ⋅=-∇⋅=-∂∂⎰； 恒定电流0,0J dS J ⋅=∇⋅=⎰1. 电偶极子在匀强电场中会受作怎样的运动？在非匀强电场中呢？2. 电偶极子在匀强电场中受一个力矩作用，发生转动；非匀强电场中，不仅受一个力矩作用，发生转动，还要受力的作用，使 电偶极子中心 发生平动，移向电场强的方向。

1. 试写出静电场基本方程的积分与微分形式 。

2. 答静电场基本方程的 积分形式1sE ds q ε⋅=∑⎰⎰ ，0lE dl⋅=⎰微分形式 ,0D E ρ∇⋅=∇⨯=1. 试写出静电场基本方程的微分形式，并说明其物理意义。

2. 静电场基本方程微分形式,0D E ρ∇⋅=∇⨯= ，说明激发静电场的源是空间电荷的分布（或是激发静电场的源是是电荷的分布）。

1. 试说明导体处于静电平衡时特性。

2. 答导体处于静电平衡时特性有①导体内 0E =；②导体是等位体（导体表面是等位面）；③导体内无电荷，电荷分布在导体的表面(孤立导体，曲率)； ④导体表面附近电场强度垂直于表面，且 0/E n σε=。

1. 试写出两种介质分界面静电场的边界条件。

2. 答在界面上D 的法向量连续12n n D D =或（1212n D n D ⋅=⋅）；E 的切向分量连续12t t E E =或（1112n E n E ⨯=⨯）1. 试写出1为理想导体，二为理想介质分界面静电场的边界条件。

2. 在界面上D 的法向量2n D σ=或（12n D σ⋅=）；E 的切向分量20t E =或（120n E ⨯=） 1. 试写出电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件。

2. 答电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件为12φφ=，1212n nφφεε∂∂=∂∂ 1. 试推导静电场的泊松方程。

2. 解由 D ρ∇⋅=，其中 ,D E Eεφ==-∇，D E ε∴∇⋅=∇⋅ ε为常数2ρφε∴∇=-泊松方程1. 简述唯一性定理，并说明其物理意义2. 对于某一空间区域V ，边界面为s ，φ满足，给定（对导体给定q ）则解是唯一的。

只要满足唯一性定理中的条件，解是唯一的，可以用能想到的最简便的方法求解（直接求解法、镜像法、分离变量法……），还可以由经验先写出试探解，只要满足给定的边界条件，也是唯一解。

不满足唯一性定理中的条件无解或有多解。

1. 试写出恒定电场的边界条件。

2. 答恒定电场的边界条件为，，1. 分离变量法的基本步骤有哪些?2. 答具体步骤是1、先假定待求的位函数由两个或三个各自仅含有一个坐标变量的乘积所组成。

2、把假定的函数代入拉氏方程，使原来的偏微分方程转换为两个或三个常微分方程。

解这些方程，并利用给定的边界条件决定其中待定常数和函数后，最终即可解得待求的位函数。

1. 叙述什么是镜像法？其关键和理论依据各是什么？2. 答镜像法是用等效的镜像电荷代替原来场问题的边界，其关键是确定镜像电荷的大小和位置，理论依据是唯一性定理。

1. 试写出真空中恒定磁场的基本方程的积分与微分形式，并说明其物理意义。

2. 答真空中恒定磁场的基本方程的积分与微分形式分别为0s lB ds H dl I ⋅=⋅=⎰∑⎰’ 0B H J∇⋅=∇⨯= 说明恒定磁场是一个无散有旋场，电流是激发恒定磁场的源。

1. 试写出恒定磁场的边界条件，并说明其物理意义。

2. 答:恒定磁场的边界条件为:12()s n H H J ⨯-=,12()0n B B ⨯-=，说明磁场在不同的边界条件下磁场强度的切向分量是不连续的，但是磁感应强强度的法向分量是连续。

1. 由矢量位的表示式0()()d 4Rτμτπ''=⎰J r A r 证明磁感应强度的积分公式03()()d 4R τμτπ'⨯'=⎰J r RB r并证明0B ∇⋅=2. 答1. 天线辐射的远区场有什么特点？2. 答天线的远区场的电场与磁场都是与1/r 成正比，并且它们同相，它们在空间相互垂直，其比值即为媒质的本征阻抗，有能量向外辐射。

1. 已知求(1) 穿过面积在方向的总电流(2) 在上述面积中心处电流密度的模； (3) 在上述面上的平均值 。

2.(1)(2) 面积中心 ,,(3)的平均值1. 利用直角坐标系证明()()fG f G f G ∇⨯=∇⨯+∇⨯2. 证明左边=()()x x y y z z fA fA e fA e fA e ∇⋅=∇⋅++（()()()y y x x z zfA e fA e fA e x y z∂∂∂=++∂∂∂ ()()()()()()y y y x x xx yz z zzA e f e A e f e f A f A x x y yA e f e fA z z∂∂∂∂=+++∂∂∂∂∂∂++∂∂()()()()[][()()]y y x x x z zxy yy y A e A e f e A e f f f A x y z x f e f e A A y y f A A f∂∂∂∂=+++∂∂∂∂∂∂+∂∂=∇⋅+⋅∇=右边1. 在自由空间传播的均匀平面波的电场强度复矢量为)/(1010)220(4204m v e a e a E z j y z j x πππ-----⨯+⨯=求（1）平面波的传播方向；（2）频率；（3）波的极化方式； （4）磁场强度；（5）电磁波的平均坡印廷矢量av S。

2. 解（1）平面波的传播方向为＋ｚ方向 （2）频率为903102cf k Hz π==⨯ （3）波的极化方式因为410,022xm ym x y E E ππϕϕ-==-=-=-，故为左旋圆极化．（4）磁场强度442000442001(1010)1(1010)j z z z x z y j zy x H a E a a ja a e a ja e ππεηη------=⨯=⨯+⨯=-（5）平均功率坡印廷矢量*442044200424200810211Re[]Re[(1010)221(1010)1(10)(10)[]211[210]21200.26510(/)j z av x y j zy x z z z S E H a ja e a ja e a a a W m ππηηηπ---------=⨯=+⨯-=+=⨯⨯=⨯1. 两平行无限长直线电流1I 和2I，相距为d ，求每根导线单位长度受到的安培力mF 。