1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺
入五价杂质，其多数载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子
浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于，B．小于，C．等于）
3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关
系十分密切。
（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反
向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 ）
5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于Aμ1，D．大于Aμ1）
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为
T
1
时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
/
v
V
0
i
mA
-0.001
50
10
20
30
100
150
0.5
1
T
1
25oC
-0.002
-0.003
图选择题7
8．PN结的特性方程是
)1(
T
V
v
S
eIi
。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳
压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×）
1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ）
2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ √ ）
3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ）
4．PN结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ）
5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ × ）
6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特
性。
（ × ）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在
正向导通状态（×）。
习题
1.1图题1.1各电路中，
)V(tωSin5
i
v
，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相
应的输出电压波形。
i
v
t
R
L
i
v
R
L
( a )
( b )
i
v
R
L
( c )
t
o
t
o
o
10V
10V
D
D
D
v
o
v
o
v
o
v
o
v
o
v
o
图题1.1
解：
（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo= vi。
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
（c）图中，二极管截止，vo=0。
1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向
导通电压为0.7V。
图题1.2
解：（a）
VV
A
3.57.06
mARVRVIAAD3.101021
（b） 3217.0)6(10RVRVRVAAA
得
VV
A
96.4
mARVIAD42.17.03
1.33
电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降
为0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D
2
的电流I1和I2。
图题1.3
解：由于D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此
时
mA46.1A10010103.01531I
D2两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V
小于D2的开启电压，所以D2截止，因此
I
2
＝0
1.4
设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为
30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各
电路的电流I。
I
5k( a )I5k( c )D1D2D1D210VI5k
( b )
D
1
D
2
40V
I
5k
( d )
D
1
D
2
10V
40V
图题1.4
解：
（a）图中，两个二极管导通，mAI2510
（b）图中，由于D2反向截止，所以电流为反向饱和电流10μA。
（c）图中，D2反向击穿，保持击穿电压30V，所以mAI25)3040(
（d）图中，D1导通，mAI8540
1.5试确定图题1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压V1和V2的值（设
二极管正向导通电压为 0.7V）
图题1.5
解：
（a）图中，D导通，RRI33.113)7.012(
VRRRIV53.7233.1122
V1＝0.7+V
2
=8.23V
（b）D截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V
1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
10V3k( a )3k2k2k1k20V4k10V3k( b )2k3k2k4k15V1kD1D2AA
BB
图题1.6
解：先将D断开，计算A、B点对地电压
（a）
VV
A
10)4112032310(
VV
B
832320
BA
VV
，所以D
1
导通
（b）
VV
A
8)4141532210(
VV
B
632215
BA
VV
，所以D
2
截止
1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出
V
o
的值。
3k
( a )D23V6VD1Vo( b )
D25VD
1
6
V
3k
D
3
D
4
V
o
图题1.7
解：
先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。
（a）图中，
VV
D6)6(01
VVD9)6(32
所以， D2先导通，导通后 VO＝3-0.7=2.3V，VVD3.23.201 D1截止。
（b）图中，
VV
D1)6(51
VVVV
DDD6432
所以，D2D4先导通，则VVD9.2)1.2(51，D1截止，
V
O
＝－1.4V
1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V，求二极管上流过的电流ID的值。
图题1.8
解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效
kReq62.1]332[3
6
V
D
2k
I
D
2
V
3k
3k
3k
D
I
D
eq
R
eq
V