Nor Flash时序
SST39VF160 写操作时序图
Nor Flash的操作
SST39VFl60与S3C2440A的接口电路 SST39VFl60 的字写入流程图
Nor Flash的操作
SST39VFl60 的擦除操作
NorFlash的一般操作
Flash的写操作数分为命令和数据，对Flash的 操作通过写入对应的命令实现
快 使用复杂的I/O控制作接口，串行存取
数据 容易出现位错，不适合存储程序 主要集中在16MB以上的市场
K9F1208U0M NAND Flash(64M*8Bit)
NAND Flash功能框图
NAND Flash模式选择
ALE、CLE
#WE、#RE
#CE
NAND Flash时序
FRAM在汽车中的应用
Nor Flash介绍
Intel 1988年首先开发出来 芯片内执行，程序可以直接在片内运行 带有SRAM接口，可按地址信号寻址 密度小，读取和擦写速度慢 可靠性较好，适合做程序存储器 主要集中在1MB-16MB的市场
SST39VF160(1M*16Bit) NOR-Flash
差异在于DRAM需要 由存储器控制电路按 一定周期对存储器刷 新，才能维系数据保 存，SRAM的数据则 不需要刷新过程，在 上电期间，数据不会 丢失。
动态存储器原理图
RAM存储器
SRAM六管基本存储单元电路
DRAM动态存储器
RAM存储器
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的 刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用 的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况 下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般 不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需 要时钟来同步。
各种存储器芯片
PC里面的内存条：从上至下SIMM（单列直插内存）、 DIMM（双列直插内存） 和笔记本SODIMM（小外形双列内存模组 ）
各种存储器芯片
NOR Flas，无须刷新 采用双稳态电路保存数
据，电路复杂、成本高 接口简单，单位面积容
量较DRAM小 地址线可以对等互换以
方便布线
IC61LV12816
高速同步SRAM
两种同步SRAM 1. SBSRAM（SynchronousBurst
unsigned short temp_read;
REG_CHAR(IO_P2D_ADDR) &= 0xfb;//set ce5 to low p22
REG_CHAR(Nand_Fls_COMM_ADD) = 0x00;
//write read command
REG_CHAR(Nand_Fls_Reg_ADD) = 0;
Nand_Fls_Reg_ADD 0x4000008
#define
Nand_Fls_ADD_ADD 0x4000008
int nand_fls_read_page(unsigned char *data,unsigned int page_num)
{
unsigned short sReadCount;
各种存储器芯片
256K×16非易失性铁电存储器(FRAM)
256Mbit序列快闪存储器
各种存储器芯片
PC中的BIOS闪存也是ROM的一种类型
各种存储器芯片
SmartMedia 卡
CompactFlash 卡
各种存储器芯片
2008.11 Intel and Micron’s 34nm, 32 gigabit multi-level cell NAND Flash device
1. 读操作（Read）：读ID号、读数据 2. 写操作（Program） 3. Sector擦除 4. Chip擦除 NorFlash的每个sector长度不一定一致，因
此需要注意datasheet中的sector表
NAND Flash介绍
东芝 1989年首先推出 密度大，容量高 读取速度较NorFlash慢，但写入和擦除
存储器
存储器的种类
从存储原理的不同来分 1. RAM：SRAM、DRAM易失性存储器 2. ROM：EEPROM、NorFlash、
NandFlash非易失性存储器 从访问时序来看 1. 同步存储器 2. 异步存储器
存储器的种类
RAM存储器
随机存取内存(RAM) 可分动态(DRAM)与 静态随机存取内存 (SRAM)两种
NandFlash存储阵列组织（*8）
Nand Flash操作流程
Samsung K9F1208U0M 的擦除和读取操作流程图
NandFlash操作代码举例
#define
Nand_Fls_Data_ADD 0x4000000
#define
Nand_Fls_COMM_ADD 0x4000004
#define
SRAM）：一次地址写入，片内地址 自增 2. ZBTRAM（ZeroBus TurnAround SRAM）：读写之间的转换无需等待 时间
IDT71V3576 SBSRAM
SBSRAM时序图
IDT71V3576 时序图
ZBTRAM时序图
DRAM介绍
动态随机访问存储器 1. 以MOS管栅极电容的电荷存储能力作为存储
单元的基础 2. 为了解决漏电流导致电荷丢失的问题，需要
定时刷新（补充电荷） 3. 存储单元结构简单，所以存储器密度大、容
量高 4. 地址分为行地址和列地址，分两次从同一组
地址线上输入
SDRAM NT56V1616
FRAM非易失性铁电存储器
利用铁电晶体的铁电效应存储数据 速度快、读写功耗低、无最大写入次数 读写时都有预充电过程 分为并行和串行两种接口
存储器接口电路和AD-DA
存储器接口
存储器的种类 存储器与处理器的接口方式 存储器的访问时序 特殊存储器的使用
存储器的特点
存储空间受限，一般小规模系统直接使 用片内ROM和RAM，称作内部存储器
由于现在系统功能越来越多，出现对扩 展存储的需要，称为外部存储器
1. 非易失性存储器，存储系统代码 2. 系统运行所需缓存空间 3. 系统使用的缓存空间也可能是非易失性