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《半导体制造技术》-(美)Michael Ciuik Julian Serda著
韩郑生等译 电子工业出版社
《微电子制造科学原理与工程技术》
(第二版)

–(美)StephenA.Camphell著
曾莹等译 电子工业出版社
微电子制造： 圆片——生成氧化层
光 刻： 淀积电阻材料——形成电阻材料
淀积绝缘层——形成绝缘层
淀积绝缘层——形成绝缘层
薄膜淀积： 溅射和蒸发（物理过程）
溅射——Ar+轰击含有淀积材料的靶
蒸发——对圆片涂敷
在圆片上部生长半导体薄层的过程称之为外延生长。
CMOS工艺流程
工艺名称 反应条件 备注
硅衬底 SiO2 氧化
光刻胶
掩膜板 UV 对准与曝光
硅片
曝过光的光刻胶
光刻胶 SiO2 显影
离子化的CF4气体 RF源、光刻胶 SiO2氧化硅刻蚀
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离子化的氧气 RF源 SiO2光刻胶去除
栅氧化硅 氧化（栅氧化硅）
多晶硅 掺杂气体、硅脘气体 多晶硅淀积
多晶硅栅 RF源、离子化的CU4气体 多晶硅、光刻与刻蚀

扫描离子束 离子注入
有源区
氧化硅板部 氧化硅 氧化硅淀积
接触孔 接触刻蚀
金属接触 金属淀积与刻蚀
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氧化工艺：
湿法清洗 氧化炉
氧化前清洗 化学品 O2、N2、H2、Cl 检查
%溶液 流量 膜泵
温度 温度 均匀性
时间 温度分布曲线 颗粒
时间 缺陷
清洗液：RCH、SC-1、SC-2清洗体系以及Piranha清洗
（硫酸、过氧化氢和水的混合物）
干法氧化工艺的工艺菜单
步骤 时间（分） 温度 （0℃） N2净化气 （slm） N2 （slm） O2 HCI 备注

0 850 8.0 0 0 / 待机状态
1 5 850 8.0 0 / 装片
2 7.5 升温速度20℃/min 8.0 0 / 升温

3 5 1000 8.0 0 / 温度稳定
4 30 1000 0 2.5 67 干法氧化
5 30 1000 8.0 0 / 退化
6 30 除温速度5℃/min 8.0 0 / 降温

7 5 850 8.0 0 / 卸片
8 850 8.0 0 0 / 待机状态