《集成电路工艺原理》课程考试试题
- 学年第学期班级
时量： 100分钟，总分 100 分，考试形式：开卷
一、填空题（共12分，共6题，每题2分）
1、集成度是指每个上的。

2、摩尔定律：IC 的集成度将翻一番。

年发明硅基集成电路。

3、在硅的热氧化中，有种氧化方式，氧化温度通常在以上。

4、不同晶向的硅片，它的化学、电学和机械性质，这会影响。

5、RIE的意思是，BPSG的意思是。

6、LOCOS的意思是，LDD的意思是。

二、简答题（共56分）
1、影响二氧化硅热生长的因素有哪些？（8分）
2、为什么要进行离子注入的退火？（8分）
3、请简要回答光刻的8个基本步骤。

（8分）
4、请回答刻蚀的概念及刻蚀的工艺目的。

（8分）
5、请简要描述化学气相沉积CVD的概念，并写出LPCVD Si3N4的化学反应式及沉积温度（注：使用二氯二氢硅SiH2Cl2和氨气NH3沉积）。

（8分）
6、请描述溅射过程（6个基本步骤）（8分）
7、在“现代先进的0.18μm CMOS集成电路工艺技术”中，轻掺杂漏和侧墙的工艺目的是什么？画图示意轻掺杂漏、侧墙、源漏注入的形成。

（8分）
三、计算题（共14分）
1、已知某台分步重复光刻机的紫外光源的波长为365nm、其光学系统的数值孔径为0.71，试计算该设备光刻图像连续保持清晰的范围。

（7分）
2、已知某台离子注入机的束斑为2.5cm2、束流为2.5mA、注入时间为1.6ms，试计算硼离子（B+）注入剂量。

（注：电子电荷q = 1.6×10-19库仑）（7分）
四、画图题（共18分）
在“早期基本的3.0μm CMOS集成电路工艺技术”中，有7大工艺步骤：1）双阱工艺；2）LOCOS隔离工艺；3）多晶硅栅结构工艺；4）源/漏（S/D）注入工艺；5）金属互连的形成；6）制作压点及合金；7）参数测试。

请写出其中的双阱工艺和LOCOS隔离工艺的具体工艺流程，并画出双阱工艺和LOCOS隔离工艺所对应的器件制作剖面图及其对应的版图（注意：版图要标出亮区或暗区；剖面图要标出各区名称）。

1。