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第六章 光致发光材料荧光光谱分析


Intensity/a.u.
2000 1500 1000 500 0
Intensity/a.u.
550 600 650 700 750
2500
60 40 20 0 800 1000 1200 1400 1600
wavelength/nm
λ/nm
图6-3 CaS:Eu,Sm红外上转换发射光 谱(980nm激发)
第六章 光致发光材料荧光光谱分析
一 、吸收光谱 二 、反射光谱 三 、激发光谱 发光光谱(发射光谱) 四 、发光光谱(发射光谱) 五 、能量传输 六 、发光和猝灭 七 、斯托克斯定律和反斯托克斯发光 八 、发光效率 九 、热致释光与红外释光
1
发光现象 : 当物质受到诸如光照、 当物质受到诸如光照、外加电场或电子束轰击等的 激发后,吸收了外界能量,其电子处于激发状态, 激发后,吸收了外界能量,其电子处于激发状态,物质 只要不因此而发生化学变化,当外界激发停止以后, 只要不因此而发生化学变化,当外界激发停止以后,处 于激发状态的电子总要跃迁回到基态。在这个过程中, 于激发状态的电子总要跃迁回到基态。在这个过程中, 一部分多余能量通过光或热的形式释放出来。 一部分多余能量通过光或热的形式释放出来。如果这部 分能量是以光的电磁波形式发射出来,就称为发光现象。 分能量是以光的电磁波形式发射出来,就称为发光现象。
4000 3000 2000 1000 0 550 600 650 700 567
wavelength/nm
wavelength/nm
图6-1 CaS:Eu,Sm激发光谱(监 控波长630nm)
图6-2 CaS:Eu,Sm荧光光谱 (激发长534nm)
案 例 1
3500 3000 629.8
80 10016来自50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630
2 1
643.3
+
+
Intensity/a.u.
1-Excited by 270nm 642.6 2-Excited by 470nm
30 25 20 15 10 5 0 200
470.3
268.3
640 λ/nm
650
660
5
一、吸收光谱
kλ随波长 ( 或频率 ) 的 随波长( 或频率) 随波长 变化, 叫作吸收光谱。 变化 , 叫作吸收光谱 。 发光材料的吸收光谱, 发光材料的吸收光谱 , 首先决定于基质, 首先决定于基质 , 而激 活剂和其他杂质也起一 定的作用, 定的作用 , 它们可以产 生吸收带或吸收线。 生吸收带或吸收线。
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五、能量传输
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的转 变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生了 有些离子被激发到较高的能量状态, 电子和空穴,等等。而电子和空穴一旦产生,就将任意运动。 电子和空穴,等等。而电子和空穴一旦产生,就将任意运动。 这样,激发状态也就不会局限在一个地方,而将发生转移。 这样,激发状态也就不会局限在一个地方,而将发生转移。 即使只是离子被激发,不产生自由电子, 即使只是离子被激发,不产生自由电子,处于激发态的离子 也可以和附近的离子相互作用而将激发能量传出去。 也可以和附近的离子相互作用而将激发能量传出去。这就是 说,原来被激发的离子回到基态,而附近的离子则转到激发 原来被激发的离子回到基态, 态。这样的过程可以一个接一个地继续下去,形成激发能量 这样的过程可以一个接一个地继续下去, 的传输。 的传输。
507.7 3+
4
70 60 50 40 30 20 10 0 450
2 5 6 1 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8 557.5 +
Ce0.02 Ce0.06 Ce0.1 Ce0.2 Ce0.3 Ce0.4 Ce0.5 Ce0.6
500
550
600
650
700
λ/nm
图6-6 燃烧法CaS:Eu,Sm 图6-7 燃烧法CaS:Ce,Sm样 样品的荧光发射光谱 品的荧光发射光谱
如果材料对某个波长的吸收强,反射率就低。反之, 如果材料对某个波长的吸收强,反射率就低。反之,反 射率就高。但不能认为反射光谱就是吸收光谱。实际上, 射率就高。但不能认为反射光谱就是吸收光谱。实际上,这 两种光谱包含完全不同的概念。它们是既有联系,又有区别。 两种光谱包含完全不同的概念。它们是既有联系,又有区别。
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四、发光光谱(也称发射光谱) 发光光谱(也称发射光谱)
50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630 640 λ/nm 650 660
643.3
+
100 90 80
Intensity/a.u.
1-Excited by 270nm 2 642.6 2-Excited by 470nm + 1
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六、发光和猝灭
对于由激发而产生的电子和空穴,它们也不是稳定的, 对于由激发而产生的电子和空穴,它们也不是稳定的, 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 一般而言, 一般而言,电子和空穴总是通过某种特定的中心而实现 复合的。 如果复合后发射出光子, 复合的 。 如果复合后发射出光子 , 这种中心就是发光中心 它们可以是组成基质的离子、 ( 它们可以是组成基质的离子 、 离子团或有意掺入的激活 剂 ) 。 有些复合中心将电子和空穴复合的能量转变为热而 不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 猝灭中心 发光和猝灭在发光材料中互相独立互相竞争的两种过程 猝灭占优势时, 发光就弱, 效率也低。 反之, 。 猝灭占优势时 , 发光就弱 , 效率也低 。 反之 , 发光就强 ,效率也高。 效率也高。
300
400 500 λ/nm
600
图6-8 CaS:Eu,Sm的激发光谱和荧光发射光谱波长比较
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
E13 E12 E11
E03 E02 E01
上发光中心的能级结构示意图
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七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量。 发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量 。 这种 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。但是它 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。 实际上,对大多数发光材料而言 , 即使用发光区内的 实际上, 对大多数发光材料而言, 波长还能够激发发光,效率也是极低的。 波长还能够激发发光,效率也是极低的。随着激发波长的 增长,效率趋近于零。因此过去认为, 增长,效率趋近于零。因此过去认为,反斯托克斯发光只 有理论上的意义。 有理论上的意义。
图6-4 CaS:Eu,Sm红外响应光谱
一、吸收光谱
当光照射到发光材料上时,一部分被反射、散射, 当光照射到发光材料上时,一部分被反射、散射,一部 分透射,剩下的被吸收。 分透射,剩下的被吸收。只有被吸收的这部分光才对发光起 作用。 作用。 但是也不是所有被吸收的光的各个波长都能起激发作用。 但是也不是所有被吸收的光的各个波长都能起激发作用 。 发光材料对光的吸收,和一般物质一样,都遵循以下的规律, 发光材料对光的吸收,和一般物质一样,都遵循以下的规律, 即: I(λ)=I0(λ)e-kλx 其中I 是波长为λ的光射到物质时的强度 其中 0(λ)是波长为 的光射到物质时的强度 , I(λ)是光通 是波长为 的光射到物质时的强度, 是光通 过厚度x后的强度 后的强度, 是不依赖光强 是不依赖光强、 过厚度 后的强度, kλ是不依赖光强、 但随波长变化而变化 称为吸收系数。 的,称为吸收系数。
4 7 0 .3
Intensity/a.u.
2 6 8 .3
300
400 λ /n m
500
600
图6-5 燃烧法CaS:Eu,Sm样品的激发光谱
四、发光光谱(也称发射光谱) 发光光谱(也称发射光谱)
发光材料的发射光谱, 发光材料的发射光谱,指的是发光的能量按波长或 频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带谱, 频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带谱, 分布在很广的范围。 分布在很广的范围。 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示, 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示,即 EV = EV0 exp[-a(υ-υ0)2] 其中υ是频率, 是在频率υ附近的发光能量密度相 其中 是频率,EV是在频率 附近的发光能量密度相 是频率 对值, 是在峰值频率υ 时的相对能量, 是正的常数 是正的常数。 对值,EV0是在峰值频率 0时的相对能量,а是正的常数。 一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上公式表示。 一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上公式表示。
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六、发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输, 并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态, 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中, 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子, 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。 ),这就称为无辐射跃迁或猝灭 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。激 发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁, 发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁,或者是将激 发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几率, 发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几率,决 定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置等)。 )。以 定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置等)。以 上讲的是离子被激发的情况。 上讲的是离子被激发的情况。
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