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四、二次衍射花样
在较厚单晶体或两相合金中常产生二次衍射:
电子通过晶体时，产生的较强衍射线可以作 为新的入射线，在晶体中再次产生衍射。
d1晶体Ⅰ D1: 一次衍射斑点 D3: 二次衍射斑点
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d2晶体Ⅱ
O D3 D2 D1
两相合金中的二次衍射
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d2晶体Ⅱ
d1晶体Ⅰ
O D3 D2 D1
O
(a)
E （-200）
R1
O
B （200）
A （020）
C （220） D
OERS零阶劳厄带 测得R1＝10mm，R2＝ 35.7mm，R3＝38.1mm， R12：R22：R32=4：51：59； S属于{711}，R属于 {731}； 测得R1，R2间夹角为820； 由夹角关系可得S点为 （-1 -7 1）；由矢量关 系可得R点为（-3 7 1）， T点（1 -7 1）；晶带轴 [uvw]为[017]。
D1
O
D2
(b)
O (c)
D2 D1 (d) 两相合金二次衍射示意图
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五、菊池花样
花样特点: 除规则斑点之外,还出现一些亮暗成对的 平行线条。
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菊池线花样的产生及其几何特征
菊池线是由经过非弹性相干散射失 去较少能量的电子随后又受到弹性散射 所产生的。
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入射束
入射束
试样
A B F C I
A

当晶体点阵常数较 大（即倒易面间距 较小），导致球可 同时与几层相互平 行的倒易面上的阵 点相交，产生几套 衍射斑。
5

当晶体试样较薄 时(即倒易点成杆 状) ，Ewald球可 能与几层相平行 的倒易面上的倒 易杆相交，产生 几套衍射斑。
6
6

当入射束不严 格平行于晶带 轴时，Ewald球 可能与几层相 平行的倒易面 上相交，产生 几套衍射斑。
复杂电子衍射花样
高阶劳厄带斑点 超点阵衍射斑点 菊池衍射花样 孪晶衍射花样 二次衍射花样

1
一 、高阶劳厄带斑点
2
1. 高阶劳厄带斑点的形成
当晶体点阵常数较大（即倒易面间
距较小），晶体试样较薄（即倒易 点成杆状）或入射束不严格平行于 低指数晶带轴时，加之Ewald球有曲 率，导致球可同时与几层相互平行 的倒易面上的倒易杆相截，产生与 之相应的几套衍射斑点重叠的衍射 花样.
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010
000 200 000
110 100
超点阵斑点的判断：出现了本不该出现的斑点，且强度低；
指标化方法：与简单花样标定方法一样
AuCu3有序相的超点阵花样
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三、孪晶花样
在凝固、相变和再结晶 变形过程中，晶体内的 一部分相对于基体按一 定的对称关系成长，即 形成孪晶。
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镍基合金中孪晶的衍射花样
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E O B A C D
2)标定高阶劳厄斑点的指数
依据：高阶劳厄带中任两个斑点只要 与零阶劳厄带中透射斑和另一衍射斑 组成平行四边形，则此四个斑点组成 的倒易面即为一个零层倒易截面，可 求出这个零层倒易面上的斑点指数。 知道了高阶劳厄带上的一个斑点指数， 其它斑点可按规律求出。
上一层倒易面 0层倒易面 O*
7
2.高阶劳厄带衍射斑点的花样特点
8
辨认和分析高阶劳厄带斑点的基本
依据是高阶区内的斑点与零阶区内 的斑点具有相同的排列规则，即阵 点的特征平行四边形相同，只是两 者有一个相对位移。
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3.高阶劳厄带斑点的指数化
例：标定一面心立方结构样品的电子衍射花样
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高阶劳厄斑点花样用于物相鉴定
(a) hcp(1-10)*倒易面
(b) fcc(112)*倒易面
(c) bcc(310)*倒易面
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二、超点阵斑点
Cu 0.75Cu 0.25Au Au
无序相 H,K,L奇偶混杂时，F=0
020
220
有序相 H,K,L奇偶混杂时，F不等于0
020 120 220 210 200
可以确定试样倾转指向；
可以确定晶体的对称性。
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不同晶体位向下菊池线对的位置
hkl
样品
hkl
样品
27
3
[001]
042
222
242
442
(001)+2*
002 111
202
402
131
311
331
440 220
(001)+1*
(001)0*
O*
200 13-1 11-1 31-1 31-1
400
(001)-1*
(001)-2* 22-2 00 -2 20-2 40-2
4
面心立方晶体的倒易点阵 垂直于[001]的各层平行倒易截面
(hkl)
B
(a) 非弹性散射电子的强度分布
D
E
(b)
晶面对非弹性散射电子的衍射
(c)
菊池衍射引起的强度变化
1
2
24
0
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菊池花样的重要之处在于：
在进行晶体取向分析时，比斑点花样 更为准确；
得到的菊池花样可以直接与预先制好 的菊池图相对照，迅速标出花样的指数、 确定出入射束方向；
1)标定零阶劳厄斑点的指数
测得RA＝RB＝10mm，RC＝ 14.1mm，RD＝22.4mm， RA2： RC2：RD2=4：8：20； A，B点属{200}，C属于 {220}，D属于{420}； 假定B点为（200），由夹 角关系可得C点为（220）， A点为（020）：由矢量关系 可得E点为（-200）； 由RB，RC确定晶带轴[uvw]为 [001]。