集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N P N
E 发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
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图2-2 几种常见三极管的外形图
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2.1 半导体三极管
2.1.2 三极管的基本工作原理
c
晶体管在电路中工作 时，为了正常地发挥其电 流放大作用，必须给它的
c区 N
IC mA
RC USC V UCE
USB
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2.1 半导体三极管
2.1.2 三极管的基本工作原理
通常晶体管在放大电路中的连接方式有三种,如图所示，它 们分别称为共基极接法、共发射极接法和共集电极接法。
(a)共基极；
(b)共射极；
(c)共集电极
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2.1 半导体三极管
。4
3
当UCE大于一定的数值时， IC只与IB有关，IC=IB , 且 IC = 100IBA。此区 域称为线性放大区。
80A
2
此区域中 : IB=0 , IC=ICEO1, UBE< 死区电 压,，称为截止 区。
60A
40A
20A
IB=0
3
6 9 12 UCE(V)
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2.1.2 三极管的基本工作原理
半导体三极管具有的电流 放大功能，完全取决于三极管 内部结构的特殊性及其内部载 流子的运动规律。图示是共发 射极放大电路。
R b1 Cb1
+
u-i
+ VCC
Rc
Cb2
.
T
+
uo
RL -
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2.1 半导体三极管
2.1.3半导体三极管的特性曲线
1.输入特性
2
IC0A 60A 40A
在不同的IB下，可得 1 出不同的曲线．所以二极 管的输出特性曲线是一组 曲线，
20A IB=0 3 6 9 12 UCE(V)
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2.1 半导体三极管
通常把晶体管的输出特性曲线分为放大区、截止区和饱 和区3个工作区，如图2-4所示。
源极
场效应管可分为N沟道结型场效应管和P
沟道结型场效应管。
动画 结型场效应管的结构
(a) N沟道
(b) P沟道
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2.2 场效应晶体管
2、结型场效应管的工作原理
N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只 是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已(如同三极管的 NPN和PNP)。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作 原理。
3. 集电极最大允许电流ICM
当集电极电流超过一定值时，三极管的值β就要下降， ICM就是表示当β值下降到正常值的2／3时的集电极电流。
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2.1 半导体三极管
4. 集电极最大允许耗散功率PCM
PCM IC· UCE
可在三极管的输出特性曲线上作出PCM曲线，它是一条 双曲线。
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动画 结型场效应管的工作原理
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2.2 场效应晶体管
结型场效应管的漏极电流iD受UGS和UDS的双重控制。这 种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。在D、 S极间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流iD，通过改 变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层 (耗尽层)的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了 漏极电流iD。
2.1 半导体三极管
2.1.1 三极管的基本结构与类型
三极管有三个区，分别叫做发射区、基区和集电区。 引出的三个电极相应叫做发射极、基极和集电极，分别记 为e、b、c。两个PN结分别叫发射结(发射区与基区交界处 的PN结)和集电结(集电区与基区交界处的PN结)。
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图2-1 三极管的结构与电路符号
电子技术
第二章 半导体三极管 及放大电路基础
江苏省无锡交通高等职业技术学校
目录
• 2.1 半导体三极管 • 2.2 场效应晶体管 • 2.3 基本交流电压放大电路 • 2.4 分压式偏置放大电路 • 2.5 阻容耦合放大电路 • 2.6 共集电极放大电路 • 2.7 功率放大电路 • 2.8 放大电路中的负反馈
(1) 放大区。输出特性曲线近于水平的部分是放大区。 (2) 截止区。IB=0这条曲线及以下的区域称为截止区。 (3) 饱和区。靠近纵坐标特性曲线的上升和弯曲部分 所对应的区域称为饱和区。
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图2-4 晶体三极管的输出特性曲线
此区域中UCEUBE,集 U电CE结0正.3偏V称，为I饱B>和IC，I区C(mA )
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2.2 场效应晶体管
2.2.1结型场效应管
1、结型场效应管的结构、符号和分类
漏极
P
N沟道结型场效应管是在同一块N型硅
片的两侧分别制作了掺杂浓度较高的P
型区，形成两个对称的PN结，将两个P
区的引出线连在一起作为一个电极，称 栅极 为栅极(G)，在N型硅片两端各引出一个
电极，分别称为源极(s)和漏极(D)结型
输入特性是指在三极管集 电极与发射极之间的电压UCE为一 定值时，基极电流IB同基极与发 射极之间的电压UBE的关系，即
IB f (UBE) UCE 常数
IB(
A) 80
60
UCE1V
40
20 0.4 0.8 UBE(V)
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2.1 半导体三极管
2. 输出特性
输出特性是指在基极电 4 流为一定值时，三极管集 电极电流IC同集电极与发 3 射极之间的电压UCE的关系。 即
RC
各电极外加大小和极性合
b区 P
b
适的直流工作电压，即必
Rb
须给发射结加正向电压(也 叫正偏)，给集电结加反向
V BB
电压(也叫反偏)。
VCC
e区 N
e
共发射极接法
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图2-3 共发射极放大电路
IE = IC + IB IE IC >> IB
IB
A
RB
V
C B
IE E
UBE mA
NPN型
PNP型
发射结 集电结
发射结 集电结
e-
发射极
NP N
发射区 基区 集电区
-
基极
b
c
集电极
符号: e-
-c
-
b
e-
发射极
PN P
发射区 基区 集电区
-
基极
b
c
集电极
e-
-c
-
b
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2.1 半导体三极管
图示是三 极管结构的示 意图，三极管 的实际结构并 不是对称的， 所以三极管的 发射极和集电 极不能对调使 用。
2.1 半导体三极管
2.1.4三极管的主要参数
1.电流放大系数 、


IC IB


IC IB
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2.1 半导体三极管
2. 集—射极反向截止电流ICEO
它是指基极开路(IB＝0)时，集电结处于反向偏置和发 射结处于正向偏置时的集电极电流。又因为它好像是从集 电极直接穿透三极管而到达发射极的，所以又称为穿透电 流。这个电流应越小越好。