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模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降得到。

4. 现有:宽频信号发生器1个,示波器1个,互导型放大器1个,1K电阻1个。

如通过实验法求放大器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。

解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从0HZ开始不断加大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录,绘出通频带各点图形。

第2章习题答案1. 概念题:(1)常温下,N型半导体在导电时有空穴载流子参与吗?(有)P型半导体在导电时有电子载流子参与吗?(有)(2)在不加外电压时,PN结内部有没有电子的运动?(有)将P极和N极相连并串接电流表会有电流指示吗?(无)(3)PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗(不是)P+N结加反向电压哪边将变得更宽(N边)(4)作漂移运动的一定是少数载流子吗?(不一定)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的吗?(是)(5)拿2个二极管可否组成1个三极管?(不行)三极管可否当二极管用?(可以)(6)下列哪些元件为双极型器件?(A、B)哪些元件为单极型器件?(C、D)A. 二极管、稳压管B.三极管C. 结型场效应管D. MOS管(7)H参数等效模型适合(A、C、D )。

A. 中低频电路B. 高频电路C. 小信号输入D. 交流分析(8)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有(A、C )。

A. 结型场效应管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(9)半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是电子和空穴都参与导电。

(10)二极管主要的特点是单向导电性,确保二极管安全工作的两个主要参数分别是最大整流电流和最大反向电压。

(11)在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2 V。

(12)某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将上升。

(13)将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合,可得到5种有效的形式,等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7。

(14)PN结具有结电容效应,凡用PN结组成的电子元件,在信号频率较高时必须考虑这种效应。

(15)变容二极管在工作时也要加偏置电路吗?(需要)发光二极管在工作时要串联一个电阻,否则会因电流过大而损坏。

(16)三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为U CB=0 ,截止区和放大区的分界线标志为I B=0或I C=I CEO。

(17)当三极管工作在放大区时,两个PN 结的特征是 发射结正偏、集电结反偏 。

(18)耗尽型FET 管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 U GD =U GS(off) ,截止区和恒流区的分界线标志为 U GS = U GS(off) ;增强型FET 管输出特性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 U GD =U GS(th) ,截止区和恒流区的分界线标志为 U GS = U GS(th) 。

(19) 在 0< |U GS |<|U GS(off)|,|U GD |>|U GS(off)| 且二者同号的 前提下,JFET 管或耗尽型MOS 管工作在放大区。

(20)当N 沟道增强型MOS 管工作在放大区时,其外部管脚间的电压特征是 |U GS |>|U GS(th) , |U GD |<|U GS(th)| 且二者同号 。

2.如图2-64所示电阻分压式电路,输入电压u i 为正弦信号,峰值为0~100V 。

要求输出u o 为0~5V ,输出阻抗小于1kΩ,分压精度优于1‰,请给出R 1、R 2的阻值、功率和精度。

解:根据输出阻抗要求,选R 2=1kΩ,则R 1=19kΩ;因功率为(0.707*50)2/20=62mW,故电阻功率选1/4W ;有风压精度要求,选电阻的精度等级为0.05%。

3. 如图2-65所示,电路输入u i 为220 V 、50Hz 交流电压,断开电容C 画出u i 、u o 对应波形;如果把C 接入,请分析u o 波形的变化,并说明对C解:提示:断开C 时,为单向整流; 接入C 时为整流滤波电路, C 的耐压大于250V (波形略)4.电路如图2-66所示,u i 为127V 、400Hz 交流电压,画出u i 和u o 对应波形。

并说明电感L 有何作用?如何选择其参数?解:该电路是半波整流LC π型滤波电路;L(波形略)5.二极管电路如图2-67所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出A、O两端电压U AO。

设二极管是理想二极管。

解:(a)导通,-12V (b)截止,-12V (c)D1截止,D2导通,-9V (d)D1截止,D2导通,6V6 . 电路如图T2.6所示,输入u i为三角波,峰—峰值为±10 V。

(1)设D1、D2管压降为0.7V,画出u o的对应波形和输入输出特性图。

(2)若D1、D2为理想二极管,u o波形会有什么变化。

解:(1)见下图(2)上下限幅值该为5V、-4V。

7. 电路如图2-69(a )所示,D 为普通硅稳压管,E=12V 。

(1)图2-69(b )为稳压管D 的特性曲线,当u s =0V 时,在图(a )电路中,要使D 分别工作在Q 1、Q 2、Q 3,则R 的值分别应为多少?(2)u s 为峰值是1V 的正弦信号,D 工作在Q 2点,请画出u o 的波形并计算出D 上的输出信号有效值。

解:(1)k 7.526.012R 1=-=,k 13.1107.012R 2=-=,k 56.0208.012R 3=-= (2)mVU ωt(mV).u r R r u om s d do 6.123.2sin 322≈==+=(2)波形略8. 电路如图2-70(a )所示,D 为理想二极管。

设输入电压u i (t)的波形如图2-70(b)所示,在0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出u o (t)的波形。

解:导通。

,截止;,D V u D V u V u u i i i D 555><-=9 . 硅稳压管电路如本题图2-71所示。

其中硅稳压管D Z的稳定电压U Z =8V 、动态电阻r Z 可以忽略,U I =20V 。

试求: (1)U O 、I O 、I 及I Z 的值;(2)当U I 降低为15V 时的U O 、I O 、I 及I Z 的值。

解:(1)U O =8V ,mA 428R U I L O O ===,I=6mA ,I Z =I-I O =2mA (2)D Z 截止,I Z =0,U O =7.5V ,mA I I O 75.3415===I U 2KΩRZD L R 2KΩo U IZI oI +__+图2-71 习题9电路图D510Ω5V(t)510Ωo u +_(t)i u +_(a ) (b )图2-70 习题8电路图习题8 答案图10.测得某电路中工作在放大区的三极管的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别V A =-9V ,V B =-6V ,V C =-6.2V ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ?并说明此三极管是NPN 管还是PNP 管。

解:A :集电极c ;B :发射极e ;C :基极b ;此三极管是PNP 管。

11. 某电路中工作在放大区的三极管三个电极A 、B 、C 的电流如图2-72所示,用万用表直流电流档测得I A =-2mA ,I B =-0.04mA ,I C =2.04mA ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ?并说明此三极管是NPN 管还是PNP 管。

解:A :集电极c ;B :基极b ;C :发射极e ,此三极管是NPN 管。

12 . 判断如图2-73所示的三极管工作在什么状态。

设三极管为小功率硅管。

解:(a)放大 (b)截止 (c)饱和 (d)截止 (e)放大 (f)饱和13.某三极管的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V (BR)CEO =30V ,若它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I c 不得超过多大?若工作电流I c =1mA ,则工作电压的极限值应为多少?解:mA 1510150V P I CE CM c ==<,因此工作电流I c 不得超过15mA ;V 1501150I P V c CM CE ==<,因为V (BR)CEO =30V ,所以工作电压的极限值为30V 。

14.如图2-74所示,a 、b 两种电路,三极管为小功率硅管,图2-74(c )、(d)为T 1、T 2的输出特性曲线。

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