微星H61主板BIOS设置1 2011-07-21 17:47BIOS基础设置可点击放大可点击放大一、主菜单该菜单显示基本硬件配置和设置日期时间（可点击放大）二、高级设置菜单该菜单设置主板的I/O设备和电源管理（可点击放大） 1、PCI子系统设置可点击放大1-1、PCI延迟时间可点击放大设置PCI延迟时间。

延迟时间以PCI总线时钟为单位。

比如第一个设置就是延迟32个PCI总线时钟。

英特尔在6系列芯片组取消了PCI总线。

当前主板上的PCI是第3方芯片从PCIE转接的。

如果有些PCI卡响应慢，系统检测不到，可以增加延迟时间。

2、ACPI设置可点击放大2-1、ACPI待机状态可点击放大ACPI待机状态有S1和S3。

S1是只关闭显示，S3是只保持内存有+5V SB供电，其余都停止供电。

都默认是S3，可点击放大2种状态，闪烁和双色。

电源指示灯状态设置要与机箱的只是等配置有关。

并请参看说明书有关指示灯的连接。

3、整合外围设备可点击放大3-1、板载网卡可点击放大开启/关闭板载网卡。

默认是开启。

3-2、网卡ROM可点击放大开启/关闭网卡启动ROM。

这项是设置网卡启动的。

开启，就是从网卡ROM 启动。

一般无盘网要设置为开启。

3-3、SATA配置可点击放大这是H61的SATA配置。

有IDE和AHCI 2种模式。

默认是IDE。

当配置为AHCI 时，弹出热插拔设置菜单。

可点击放大开起/关闭热插拔，默认是关闭的。

硬盘设置为热插拔后，这个SATA接口就可以连接eSATA移动硬盘，可以在开机是插拔。

3-4、声卡配置可点击放大开启/关闭板载HD音频解码器，默认是开启。

3-5、HPET配置可点击放大开启/关闭HPET，默认是开启。

HPET的英文全称是High Precision Event Timer（高精度事件定时器）。

HPET是Intel制定的用以代替传统的8254（PIT）中断定时器与RTC定时器的新定时器。

这是一个安全的选项，即使你的硬件不支持HPET也不会造成问题，因为它会自动用8254替换。

4、整合图形设备可点击放大4-1、内部图形卡可点击放大设置项有IGD/PEG，默认是PEG。

这是设置开机时从那个显卡显示。

IGD是内部整合显卡。

PEG就是独立显卡。

小常识：[IGD]是内置显卡，设为首选项时系统首先初始化IGD。

[PEG]是PCIE显卡，设为首选项时系统首先初始化PEG。

[PCI]是PCI显卡，设为首选项时系统首先初始化PCI。

4-2、内置显卡共享内存可点击放大设置内置显卡共享内存的容量，设置项有32M/64M/128M。

这里设置的是静态共享显存。

实际上英特尔的IGD还有动态共享显存，动态共享显存很大。

4-3、IGD双显设置可点击放大5、USB配置可点击放大5-1、USB控制器开启/关闭USB控制器，默认是开启（可点击放大） 5-2、传统USB支持可点击放大开启/关闭传统USB支持，默认是开启。

传统USB就是USB1.0时代的USB 设备。

5-3、板载USB3.0控制器可点击放大开启/关闭板载USB3.0控制器，默认是开启。

如果主板上有第三方的USB3.0控制器，就会有这个选项。

6、超级I/O配置可点击放大6-1、超级I/O配置菜单超级I/O芯片是F71869（可点击放大） 6-2、串口配置开启/关闭串口，默认是开启（可点击放大）6-2-1、设置串口I/O地址和中断号可点击放大设置项有自动和若干IO地址、中断号。

这些选择是避免地址、中断冲突。

如果遇到串口地址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。

6-3、并口配置开启/关闭并口，默认是开启（可点击放大）6-3-1、设置并口I/O地址和中断号可点击放大设置项有自动和若干IO地址、中断号。

这些选择是避免地址、中断冲突。

如果遇到并口地址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。

6-3-2、设备模式可点击放大并口设备有若干模式，连接并口设备后，要根据设备的模式在这里选择与设备匹配的模式。

7、硬件监控可点击放大7-1、监控页面可点击放大7-2、CPU智能风扇设置可点击放大默认是关闭的。

开启CPU智能风扇首先要设置目标温度。

目标温度就是CPU 的温度，从40到70度，设置时选定一个温度，就是说CPU在达到这个温度前风扇是低速转，达到这个温度后风扇加速。

7-2-1、设置风扇最小转速可点击放大设定温度目标后，弹出风扇最小转速设置，这里的转速是按风扇的实际转速百分比设置的。

因为各种风扇的实际转速是不一样，不能按转速设置，只能按百分比设置。

7-3、系统风扇控制可点击放大这里是控制系统风扇的转速，有三档，百分之50、75、100。

系统风扇1和2设置方法相同。

微星H61主板BIOS设置22011-07-21 18:31电源管理设置可点击放大可点击放大开启/关闭EUP2013，默认是开启。

EUP2013是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态时，功耗降低到欧盟的要求。

开启EUP2013可能导致开机加电时间略微延迟。

AC掉电恢复后状态可点击放大有三种状态：关机/开机/掉电前状态，默认是关机。

市电有时会掉电，这项设置就是应对市电掉点后再来电电脑是开机，还是关机，或者保持掉电前的状态。

CPU供电相管理可点击放大EUP2013设置CPU供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当CPU空闲时不需要大电流，可以关闭多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。

CPU供电相管理有三项设置，APS模式/Intel SVID模式/关闭，默认是Intel SVID模式。

APS模式（Active Phase Switching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，其原理是依据CPU的负载调控PWM供电的相数。

Intel SVID模式（Serial Voltage Identification）是英特尔VRD12供电规格采用的串行电压识别。

英特尔的EIST就是依据SVID总线侦测CPU电压。

依据CPU电压来调控PWM供电的相数。

关闭：关闭CPU供电相切换功能唤醒事件设置可点击放大唤醒事件管理可点击放大设置唤醒事件由BIOS管理/OS管理。

BIOS管理就需要做下面的设置。

OS管理就要到OS里设置。

时钟唤醒开启/关闭时钟唤醒，默认是关闭。

开启后弹出时间设置菜单（可点击放大）设置时分秒（可点击放大）PIC/PCIE设备唤醒开启/关闭PIC/PCIE设备唤醒，默认是关闭（可点击放大）可点击放大USB设备唤醒开启/关闭USB设备唤醒，默认是关闭（可点击放大）PS2键盘唤醒PS2键盘唤醒有3项设置关闭/任何一键/热键（可点击放大）开启/关闭PS2鼠标唤醒，默认是关闭（可点击放大）热键设置热键有Ctrl+Esc/Ctrl+F1/Ctrl+Space（可点击放大）超频菜单该菜单主要设置CPU、GPU、DRAM的频率、电压（可点击放大）调整CPU倍率可点击放大回车弹出倍率选择菜单，可以从中选择。

H61不支持CPU超频，倍频菜单最高倍率是CPU默认的倍率。

超内部PLL电压可点击放大设置项有Auto/关闭/开启，默认是自动。

这是自动提升CPU时钟信号电压。

对K字CPU 超频很有帮助。

但是在H61主板BIOS中出现，没有用处了。

EIST设置可点击放大开启/关闭EIST，默认开启。

EIST全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”，是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。

到后来，新推出的桌面处理器也内置了该项技术。

EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触发机制同C1E halt state是不同的。

操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI 进行调节。

EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1E halt更加精确的调节处理器的状态。

Turbo Boost设置可点击放大开启/关闭Turbo Boost，默认开启。

英特尔第2代睿频技术。

CPU可以根据负载启用核心数量，并自动超频。

单核工作时频率可提高20%。

微星H61主板BIOS设置32011-07-21 19:02OC Genie按钮可点击放大开启/关闭 OC Genie按钮，默认是关闭。

这是一键超频功能，在H61主板上没有作用。

内存频率设置可点击放大回车弹出频率选择菜单。

H61也不支持内存超频，默认的频率最高是1333MHz。

开启/关闭XMP，默认是关闭。

XMP在H61主板上也不起作用（可点击放大）DRAM时序模式可点击放大这里的设置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink 是手动设置，Link是双通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。

当设置了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的，以便于手动设置内存时序。

内存时序设置可点击放大第一梯队的六个参数这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。

其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排名前三的重要参数。

Command Rate：命令速率，也称之为CR，Command Mode。

设置参数有1T/2T/3T。

这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。

延迟时间以周期为单位。

1T当然比2T快。

但是要依据内存条的性能。

性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。

一般保持Auto 设置即可，让BIOS自己去设置。

t CL：参数范围5-15T。

CL就是CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。

CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

tRCD：参数范围4-15T。

RCD就是RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。

对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。

JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。

tRP：参数范围4-15T。

RP就是Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间。

也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。

tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。

该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。