微星主板bios设置详解一、BIOS主菜单1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性3、Integrated Peripherals 整合周边设备4、Power Management 电源管理5、H/W Monitor 硬件监测6、Green Power 绿色节能7、BIOS Setting Password 开机密码设置8、Cell Menu 核心菜单9、M-Flash U盘刷新BIOS10、User Settings 用户设置项11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值12、Load Optimized Defaults 加载优化值13、Save & Exit Setup 保存设置并退出14、Exit Without Saving 退出而不保存二、Cell Menu 核心菜单设置1、CPU相关设置CPU相关设置有9项1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。

1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。

依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。

当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。

如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。

该选项的设置是Enabled和Disabled。

1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：调整CPU的前端总线频率。

默认的频率是CPU 的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频。

在这里直接键入频率数值，比如220。

1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频。

AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。

有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。

该项的默认设置是Auto。

敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。

1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥（内存控制器）的倍率。

AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。

调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。

1-6、EC Firmware：EC固件设置。

这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。

这项的默认设置是Normal。

敲回车，弹出选项菜单供用户选择。

Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。

Special是特殊模式，开启被关闭的核心。

注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。

1-7、Advanced Clock Calibration：高级时钟校准。

这是SB750开始有的有的功能。

用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。

SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。

默认设置是Disabled。

敲回车弹出选项菜单：Auto是自动模式。

想开启关闭的核心，请设置为Auto。

All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。

选择了All Core后，菜单会多出一个选项。

就是要求选择校准的百分比。

在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。

Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。

选择Per Core后，菜单会多出一个选项：也是要求选择校准的百分比。

在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。

请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。

1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。

就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。

设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。

由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。

1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。

它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。

该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。

Mode1是以低于原频率90%的频率启动。

Mode2是以低于原频率80%的频率启动。

2、内存相关设置内存设置有3项：2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。

也可以随时按F5查看插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息。

回车就可以查看1条内存的SPD：2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。

就是用户自己配置内存时序参数。

回车进入高级DRAM配置：2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。

有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both。

Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。

DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

默认设置是Auto。

这是DCT0的时序参数设置：内存时序参数最主要的有4个。

CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。

附注：内存时序参数知识1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。

2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。

系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。

3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。

读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。

4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。

5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。

指的是CPU 发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。

6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。

一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。

在这段时间内经过充电，数据信号足够强。

7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。

一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。

在这段时间内对激活的行充电。

8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。

一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。

9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。

一般多用周期表达。

周期数越小，内存的速度越高。

选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。

内存时序参数标准由JEDEC制定。

下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。

标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。

还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。

降一级频率就没有问题。

2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。

该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。

其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：每个通道的信号驱动强度设置包括8项。

CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度Data Drive Strength：数据信号驱动强度DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度ProcOdt：CPU内建终端电阻驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。

该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。

其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：每个通道的高级控制有6项。

DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。

从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。

DDR3也是这样。

这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。

默认是Auto。

DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。

设置参数有Auto、Normal、Reduced。

Auto是让BIOS依据内存条自动设置。

Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。

DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。

奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。

但允许奇偶校验会影响内存读写速度。

设置参数有Auto、Enabled、Disabled。

默认设置是Auto。

DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。

DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。

自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。

设置参数有Auto、Enabled、Disabled。

默认设置是Auto。

DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。

突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。

连续读写的长度有32字节和64字节。

这项设置就是选择32字节，还是64字节。

设置参数有Auto、64字节、32字节。

默认是Auto。

Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。

Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。

内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。

内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。

通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。

双面就是2个Bank。

CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。

这种Bank称之为物理Bank。