三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
发射结加正向电压(也叫正偏置)； Vb>Ve （2）外部条件： 集电结加反向电压(也叫反偏置)。 Vc>Vb
作者： 符庆
△ IC ＝ β △ IB
IC ＝ β IB
——直流电流放大系数 ——交流电流放大系数
IE=IC+IB

IC＝ β IB IE ＝ IB + IC
硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 PNP
NPN
三极管是组成各种电子电路的核心器件。
三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
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作者： 符庆
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低
b
80
60 40 20 0 0.2 0.8
UCE1V
ICM 20
C
100A 80A 60A
饱和区 15
IC＝ β IB
UBE(V)
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
10 5 3
放大区
40A 20A IB=0
阀值电压VBE
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三极管的三种工作状态： 1.截止 2.放大 3.饱和
β ) IB IE ＝ ( 1 +
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB 1.输入曲线： IB(A)
Rb
c b
IC
UCE
Rc
UBE
U BB
e
80
60
UCE1V
IE
I B ( A)
UCC
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作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管 BJT
三极管
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
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作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
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海南科技职业学院
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电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 1. 2. 3. 4. 5. 6. 半导体 PN结 二极管 双极型晶体管BJT 场效应晶体管FET 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
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c e
Rb
IB
b
Rc
P
工作过程：
（3）C区收集B区扩散过来的电子 （2）电子在B区复合、扩散 （1）E区向B区扩散电子
N
e
U CE
U BE
IE
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC， 所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB 8 2018/11/10 下页
7.2.1 双极型晶体管
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
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作者： 符庆
二、三极管的检测
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5， PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管 的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
40
20 0 0.2 0.8 UBE(V)
UCE 0
U CE 1V
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
0
U BE (V )
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151 7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
基极b(base) 发射极e(emitter)
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集） （2）外部条件： I c b e
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve 集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
c
ICBO
作者： 符庆
C
N
NPN管：Vc>Vb>Ve PNP管：Vc<Vb<Ve b
3.饱和状态
VBE≥ 0.7V UCE= 0.2V～0.3V
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作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(PNP 锗管)
1.截止状态 VBE＞- 0.2V IB= 0 VEB＜ 0.2V UCE= -VCC VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= -几 V VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= - 0.2V～ -
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12 UCE(V)
12
截止区
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作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
c IC UCE e
IB
RB
b VBE
RC
UCC
1.截止状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC VBE≥ 0.7V
1 ≈ UCE= 几 V 2 VCC
UBB
IE
2.放大状态
ebc ec b c be b ce
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
三极管的放大作用
电流放大
（1）内部条件（结构特点）： 发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 射”。 基区很薄，掺杂浓度低 ——控制由发射区运动到集电 区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。 集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。 集电极c(collector)
c b
IC
UCE
Rc
2.输出曲线：
IC IB 一定 UCE
Rb
UBE
U BB
I B ( A)
e
IE
UCC
0
U CE 1V
饱和 压降
0
U BE (V )
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
IC β I
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） 1.输入曲线： 2.输出曲线： IB(A) I (mA )