C、E极的判断： 基极确定后，比较B与另外两个极间的正向电阻，较
大者为发射极E，较小者为集电极C。
用万用表的 hFE挡检测 值
1. 若有ADJ挡，先置于ADJ 挡进行调零。 2. 拨到 hFE挡。 3. 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的
插孔中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接出 3根引线，再插入插孔）。
放大能力的检测
穿透电流的检测 反向击穿电压的检测
目测判别三极管极性
ECB
C
E
C
E
C
B
B
EBC
BE
用指针式万用表判断三极管极性
红表笔是(表内电源)负极 黑表笔是(表内电源)正极
在 R100或 R1k 挡测量 测量时手不要接触引脚
基极B的判断： 当黑（红）表笔接触某一极，红（黑）表笔分别接触
另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为基极，该管为 NPN（PNP）。
3. 点击页面上的返回按纽，则回到上一级目录。
3— 三极管
例：
A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN
X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管
3AX31 PNP低频小功率锗三极管
3CG PNP高频小功率硅三极管
3DG12B NPN高频小功率硅三极管
3AD PNP低频大功率锗三极管
3DD6 NPN低频大功率硅三极管
3DK NPN硅开关三极管
三极管的识别和检测
1. 三极管极性的判别 (1) 目测判别极性 (2) 用指针式万用表判别极性 2. 三极管性能的检测
(1) 用万用表的 hFE挡检测 值
(2) 用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略) (3) 用指针式万用表检测
网上查询
http：//
6. 常用国产小功率开关晶体管的主要参数
7. 部分高反压大功率开关晶体管的主要参数及封装形式
39.1 k
增大电源电压，当发光二极管LED亮时，A、 B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。
三极管的特性
iB/A
O
uBE/V
输入特性
iC / mA
4 3 2 1
O2 4
50 µA 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA IB = 0 6 8 uCE /V
中、小功率锗管C、E间的电阻 > 10 k； 大功率锗管C、E间的电阻 > 1.5 k； 硅管C、E间的电阻 >100 k（在 R 10 k挡测量）。
检测反向击穿电压 U(BR)CEO
反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。
39 k A
B
10~50 V 2SA1015
LED 5.1 k
4. 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。
三极管放大能力的检测
硅管：100 k 锗管：20 k
0
1k
PNP
硅管：100 k 锗管：20 k
0
1k
NPN 指针偏转角度越大，则放大能力越强
用万用表检测穿透电流 ICEO
通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。
0 1k
0 1k
一般情况下，
8. 常用大功率互补对管的主要参数
常用中、小功率互补对管及其主要参数
部分三极管的外型
导航须知
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输出特性
三极管的参数
1. 常用国产高频小功率晶体管的主要参数
部分进口高频小功率晶体管的主要参数
2. 部分国产高频中、大功率晶体管的主要参数 部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数
3. 部分国产低频小功率晶体管的主要参数 部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数
5. 常用国产低频大功率晶体管的主要参数 部分进口中、低频大功率晶体管的主要参数
半导体器件的命名方式
第一部分 第二部分
数字 电极数
字母 材料和极性
2— 二极管
A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型
D — 硅材料 P 型
第三部分 第四部分 第五部分
字母(汉拼)
数字 字母(汉拼)
器件类型
序号
规格号
P — 普通管
W — 稳压管 K — 开关管 Z — 整流管 U — 光电管