2号清洗液（SC-2） 配方：HCL:H2O2:H2O=1：1：6到1：2：8 使用条件：75-85℃，存放时间为10到20分 特性：酸性、氧化性、络合性、溶解性 清洗效果：除去Na+、 Fe+++、S及重金属杂质Au、 Ag、Cu、Co、Hg、Cd、Pt 注意事项：对金属有腐蚀性。洗毕有CL-残留， 用时现配
2.石英器皿的清洗步骤
HF:H2O=1:1 浸泡数10分 热1号液 浸泡10分 HF:HNO3:H2O= 10%:25%:65% 浸泡1-2小时
去离子水冲洗
氮气吹干或烘干
3.朔料制品的清洗 （1）朔料容器 先用洗净剂加水适当加热浸洗，然后用510%的稀盐酸煮洗，最后用去离子水冲洗干 净，用氮气吹干。 （2）朔料管 先用钢丝拉棉花球擦管内径，去除灰尘或有 机沾污，然后用热1号清洗液注入管内浸泡半 小时，最后用热、冷去离子水冲洗干净，并 用氮气吹干后，以干净朔料纸封闭两头。
14.4常用金属的清洗 在集成电路工艺中，经常接触和使用的金属 材料有不锈钢、钨丝、铝丝等等，对不同材 料，所采用的清洗剂及清洗方法也不同。 1、不锈钢制品的清洗 不锈钢制品采取以下四步进行清洗： （1）有机溶剂（四氯化碳、甲苯、丙酮等） 浸泡或擦洗。
（2）1号清洗液煮（80℃，20min）。 （3）金属洗液浸泡。金属洗液的配方： 浓H2SO4（94%）100 ℃ 1000ml CrO3饱和水溶液 40ml 为了确保安全，操作时，浓硫酸必须缓慢注 入CrO3饱和溶液中。 （4）热水煮沸，然后用大量去离子水冲洗并 烘干
14.2.4清洗步骤 1、清洗液 1号清洗液（SC-1） 配方：NH4OH:H2O2:H2O=1：1：5到1：2：7 使用条件：75-85℃，存放时间为10到20分 特性：碱性、氧化性、络合性 清洗效果：除去有机沾污、光刻胶残留膜、重金属杂质 Au、Ag、Cu、Co、Ni等 注意事项：若H2O2浓度不够则氨水会腐蚀片子，造成 花斑，用时现配
4、金丝的清洗 清洗金丝时，先用先用丙酮、乙醇超声除去 油污，然后放入浓硫酸中煮至冒白烟，或用 王水腐蚀20-30s，再用大量去离子水冲洗， 最后用无水乙醇脱水，烘干。
2.无机膜（分子膜） 来源：光刻显影残留膜、有机溶剂残渣、人造 石蜡、人体带来的脂肪酸 清除方法：沾污为静电吸附时用物理清洗、沾 污为高极性分子吸附时用化学清洗或等离子氧 化
3.无机离子膜 来源：化学试剂或水中的Na+、K+、Ca++、 Fe+++、AL+++、Ni++等 清洗方法：化学清洗
4.无机原子膜 来源：清洗液及腐蚀液中不如硅活泼的金属离 子还原成原子如银、铜、铁、镍等沉积于硅表 面 清除方法：化学清洗
10%HF 配方：浓HF：H2O=1：10 使用条件：室温，存放时间30-60分 特性：弱酸性 清洗效果：溶解SiO2，除去薄SiO2， SiO2短 暂漂洗 注意事项：有腐蚀性，易造成重金属离子还原 沉积金属原子膜

HF缓冲液 配方：40%NH4F:49%HF=7：1 特性：弱酸性 清洗效果：除去SiO2
化学清洗
14.1沾污对器件的影响 在半导体器件制造工艺中，几乎半数以上的 操作是各个工序之间的清洗。清洗工序是决 定器件稳定性、可靠性及成品率的关键。 清洗的目的是去除器件制造过程中偶然引入 的“表面沾污”杂质，这些沾污来自硅片加 工过程（如切、磨、抛及传递操作）；也来 自清洗所用的化学试剂和水；以及工艺过程 中
14.2.2清洗的分类 1、按工艺要求分类 （1）原始片的清洗。即在切、磨、抛之后， 一次氧化之前的硅片准备，主要是去颗粒和 大量的有机沾污。 （2）为氧化、扩散、CVD淀积以及金属化等 工艺作硅片准备，以除去有机及无机膜沾污 为主。
（3）为光刻甩胶作准备，以去除颗粒为主。 （4）刻蚀工序后的去胶清洗。 2.按清洗方法分类 （1）物理清洗 刷、擦、高压水冲洗、超声清 洗等。主要是去除颗粒和静电物理吸附的杂 质。以高纯去离子水为主要的清洗媒介，也 有添加表面活性剂，或以有机溶剂清洗的。
14.2.3硅片表面沾污及清洗方法 沾污种类 1.颗粒 ⑴硅渣 来源：切割、划片、镊子拿取、破碎 清洗方法：物理清洗或HF漂洗 ⑵无机砂 来源：磨料、空气尘埃、水及试剂中的沙或土 清洗方法：物理漂洗 ⑶无机渣 来源：棉花、绒毛、皮肤屑、头发、细菌等 清洗方法：物理清洗、络合化学清洗或等离子氧化

王水 配方：浓HCL：浓HNO3=3：1 使用条件：室温或煮沸 特性：弱酸性 清洗效果：除去重金属离子 注意事项：强腐蚀性，煮沸时冒浓烟

2、清洗顺序
去除颗粒 （物理方法） 去除有机膜 （3号或1号清洗液）
去除自然氧化层 （10%HF短暂漂洗）
去除离子膜 （1号清洗液）
去除金属原子膜 （2号清洗液）
2、钨丝的清洗 钨丝可采用两种方法进行清洗 （1）酸洗 用HF:HNO3=1：6混合液，并加适 量醋酸作缓冲剂，将钨丝热浸泡3-4小时，直 至表面干净发亮，然后用大量去离子水冲洗。 （2）碱法 将钨丝加热器放入5-10%的氢氧化 钠溶液中煮几次，直至表面干净发亮，然后 用大量去离子水冲洗。
3、铝丝的清洗 铝丝的清洗，一般先用丙酮、乙醇超声除去 油污，再用30-40%的磷酸煮沸，直至表面光 亮、干净，然后用冷、热去离子水冲洗，最 后用无水乙醇脱水，并放于无水乙醇中备用。
所用的器皿、管路、气体等。它们可能是颗 粒，也可能是杂质膜，或以物理吸附，或以 化学吸附粘在硅片表面上。在高温工艺中， 它们将由表面扩散到硅片里面，从而影响器 件的电学性能：（1）造成PN结反向漏电流 增加（例如由于表面沾污离子的直接导电或 进入硅片内部的杂质造成PN结不平整而引起 漏电流）；
（2）造成PN结局部击穿或低击穿（例如，由 于Au、Cu、Cr、Fe等杂质聚集于硅片中的 堆垛缺陷附近或分凝于电压改变（例如在PMOS的SiO2-Si界面上，有Na+，其阈值电压 就会改变）。
（3）清洗的硅片经离心甩干或高纯氮气吹干， 使含有杂质的剩余水滴迅速离开硅表面，以 减少水的沾污。 （4）洗净干燥后的硅片应置于层流气体保护 的容器中，以防止再沾污。
14.3常用器皿的清洗 1.玻璃器皿的清洗 玻璃器皿先用去污粉擦洗，再用自来水冲洗， 然后放在玻璃洗液中浸泡数小时，取出后用 大量去离子水冲洗，最后烘干。 玻璃洗液配方： K2Cr2O7饱和溶液 50-60ml 浓H2SO4（94%） 100ml

3号清洗液 配方：浓H2SO4:H2O2=5:1 使用条件：室温或90-180℃浸洗 特性：酸性、氧化性 清洗效果：除去有机沾污、光刻胶、酸性可溶 杂质 注意事项：强腐蚀性，混合时生热、气泡，洗 毕有微量硫

4号清洗液 配方：HCL:H2O=3：1 使用条件：室温 特性：酸性 清洗效果：酸性可溶杂质 注意事项：洗毕有微量CL
另外，表面沾污也会影响制造工艺的正常进 行，如硅片表面的颗粒或杂质影响光刻胶的 粘附，损坏光掩膜版，从而影响光刻质量； 它们还会影响有目的的掺杂。这种表面沾污 的杂质是不可控制的，因此，在每步制造工 艺进行前，必须通过清洗将表面沾污除去。
14.2硅片的清洗 14.2.1清洁表面的概念 绝对清洁的表面只能在高真空中获得，而通 常器件制造环境中，硅片表面必然由单层或 多层原子或化合物所覆盖。但只要该覆盖层 满足下列条件，则可认为该表面是清洁的 （1）原子或分子是均匀的； （2）可挥发； （3）对氧化、扩散等工艺无影响； （4）对器件的电学参数无干扰
（2）化学清洗 以酸性或碱性的氧化性、络合 性溶液使硅片表面沾污杂质（例如有机物或 金属离子膜、原子膜）氧化或络合，变成可 溶于水，然后再以大量的高纯去离子水将其 冲掉。 3.按清洗方式分类 （1）浸泡 将成批硅片浸于配好清洗液的酸或 碱的清洗槽中，辅之加热、搅拌，增加清洗 速度与提高清洗效率。
（2）离心旋转喷洗 批量或单片进行离心旋转 喷洗。
3、最佳清洗顺序及条件
超声清洗 10-15W/cm2 0.8MHz；15分 3号液清洗 90-120℃； 2-10分 1号液清洗 75-85℃ 20分
10%HF漂洗 室温，60秒
2号液清洗 75-85℃ 20分
以上清洗方法的几点说明: （1）1号、2号、3号清洗液必须在使用时现配， 因为H2O2在酸、碱溶液中会分解。 （2）每步之前都要用高纯去离子水冲洗，若 辅之以热高纯水冲洗则可提高清洗效率，因 为各种金属离子的溶解度随温度的升高而增 加。