课程设计微电子器件与工艺课程设计报告目录1.设计任务及目标 (1)2.课程设计的基本内容 (1)2.1 pnp双极型晶体管的设计 (1)2.2 设计的主要内容 (1)3.晶体管工艺参数设计 (2)3.1 晶体管的纵向结构参数设计 (2)3.1.1 集电区杂质浓度的确定 (2)3.1.2 基区及发射区杂质浓度 (3)3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定 (3)3.1.4 各区少子扩散长度的计算 (4)3.1.5 集电区厚度的选择 (4)3.1.6 基区宽度的计算 (4)3.1.7 扩散结深 (6)3.1.8 表面杂质浓度 (7)3.2晶体管的横向设计 (8)3.3工艺参数的计算 (8)3.3.1 基区磷预扩时间 (8)3.3.2基区磷再扩散时间计算 (8)3.3.3 发射区硼预扩时间计算 (9)3.3.4 发射区硼再扩散时间计算 (9)3.3.5 基区磷扩散需要的氧化层厚度 (10)3.3.6 发射区硼扩散需要的氧化层厚度 (11)3.3.7 氧化时间的计算 (11)3.3.8设计参数总结 (12)4晶体管制造工艺流程 (13)4.1硅片及清洗 (15)4.2氧化工艺 (16)4.3光刻工艺 (17)4.3.1光刻原理 (17)4.3.2具体工艺流程 (18)4.3.3硼的扩散 (19)4.3.4磷的扩散 (20)5 版图 (20)6总结 (23)7参考文献 (23)微电子器件与工艺课程设计报告——pnp 双极型晶体管的设计1、课程设计目的与任务《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、《微电子器件工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。

目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。

要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺方案 晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。

2、课程设计的基本内容 2.1 pnp 双极型晶体管的设计设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=300K 时，β=120。

V CEO =15V,V CBO =80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为I C =5mA 。

设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。

2.2 设计的主要内容：（1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。

（2）根据设计指标选取材料，确定材料参数，如发射区掺杂浓度N E ,，基区掺杂浓度N B ，集电区掺杂浓度N C ，根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。

（3）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电区厚度W c ，基区宽度W b ，发射极宽度W e 和扩散结深X jc ，发射结结深等。

（4）根据结深确定氧化层的厚度，氧化温度和氧化时间；杂质预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间。

（5）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。

（6）根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。

3晶体管工艺参数设计3.1 晶体管的纵向结构参数设计双极晶体管是由发射结和集电结两个PN 结组成的，晶体管的纵向结构就是指在垂直于两个PN 结面上的结构。

因此，纵向结构设计的任务有两个：首先是选取纵向尺寸，即决定衬底厚度t W 、集电区厚度C W 、 基区厚度B W 、 扩散结深jc X 和je X 等；其次是确定纵向杂质浓度和杂质分布，即确定集电区杂质浓度C N 、 衬底杂质浓度sub N 、 表面浓度ES N ,BS N 以及基区杂质浓度分布()B N χ等，并将上述参数转换成生产中的工艺控制参数。

3.1.1 集电区杂质浓度的确定V 80BV CBO =根据击穿电压与浓度的关系图来读出BV CBO =80V 时的N C ，如图1图1 击穿电压与杂质浓度的关系从图1中可以读出，当BV CBO=80V时，集电区杂质浓度N C=5×1015CM-3，对应的电阻率为1.2Ω*CM,所以选用（111）晶向的P型硅。

3.1.2 基区及发射区杂质浓度一般的晶体管各区的浓度要满足N E>>N B>N C，故（1）基区杂质浓度取N＝5×1016cm－3。

B＝5×1018cm－3。

（2）发射杂质浓度取NE3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定（1）少子迁移率少子的迁移率可以通过迁移率与杂质浓度的关系图查出来。

此关系图如下图2所示。

图2 迁移率与杂质浓度的关系图通过图2可以查出在300K时，集电区、基区和发射区各自的少子的迁移率如下。

C区：U c= 1298cm 2/v.s；B 区： U B =378 cm 2 /v.s ； E 区： U E =130 cm 2/v.s ； （2）各区少子扩散系数的计算根据爱因斯坦关系式q kT D =μ可以求出各区少子的扩散系数C 区：s cm qkTD c C /6.3312980259.02=⨯==μ； B 区：s cm qkTD B B /79.93780259.02=⨯==μ；E 区：s cm qkTD E E /37.31300259.02=⨯==μ； 3.1.4 各区少子扩散长度的计算由τD L =，其中少子寿命s C 610-=τ ，s B 610-=τ，s E 710-=τum 5810396=⨯==-C C C D L τ；um 3.311061.3101336=⨯=⨯==--cm D L B B B τ； um 8.51081.91062.937=⨯=⨯==--cm D L E E E τ； 3.1.5 集电区厚度的选择 （1）集电区厚度的最小值集电区厚度的最小值由击穿电压决定。

通常为了满足击穿电压的要求，集电区厚度W C 必须大于击穿电压时的耗尽层宽度，即C W > mB X (mB X 是集电区临界击穿时的耗尽层宽度）。

对于高压器件，在击穿电压附近，集电结可用突变结耗尽层近似，因而m qN BV X W C CBO S mBC u 57.4]105106.1808.111085.82[]2[21151914210=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯==〉--εε（2）集电区厚度的最大值C W 的最大值受串联电阻CS r 的限制。

增大集电区厚度会使串联电阻CS r 增加，饱和压降CES V 增大，因此C W 的最大值受串联电阻限制。

考虑到实际情况最终确定um 15=C W 。

3.1.6 基区宽度的计算（1）基区宽度的最大值对于低频管，与基区宽度有关的主要电学参数是β，因此低频器件的基区宽度最大值由β确定。

当发射效率γ≈1时，电流放大系数][122BB L W λβ=，因此基区宽度的最大值可按下式估计：212][βλnb B L W <为了使器件进入大电流状态时，电流放大系数仍能满足要求，因而设计过程中取λ=4。

将数据代入上式中得：m LW b B u 7.51203.314][212212=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯=<βλ所以基区宽度的最大值为5.7um 。

（2）基区宽度的最小值为了保证器件正常工作，在正常工作电压下基区绝对不能穿通。

因此，对于高耐压器件，基区宽度的最小值由基区穿通电压决定。

对于均匀基区晶体管，当集电结电压接近雪崩击穿时，基区一侧的耗尽层宽度为umBV N N N qN X CBO CB C B S mB436.0]105.5105106.1801058.111085.82[]2[211616191514210=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=+=--εε 所以基区宽度的取值范围为：0.436um<W B <5.7um （3）基区准中性宽度的计算根据设计要求给出的电流放大倍数β=120以及公式2)(5.01BE E B B E L WL W N N D D +=β23418161013.321108.510510579.937.31120⎪⎭⎫⎝⎛⨯+⨯⨯⨯⨯⨯=--W W可以求出基区的准中性宽度。

W=3.46um （4）基区耗尽层宽度的计算 ①eb 结基区边的耗尽层宽度的计算 先求出eb 结的内建电势V n N N q kT V i B E biEB918.0)10(105105ln 0259.0ln 21018162=⨯⨯⨯== 再求出eb 结基区边的耗尽层宽度um155.0918.01051106.18.111085.82122116191421i 0≈⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⎥⎦⎤⎢⎣⎡≈--EB B B S nEB V N q K X ε ②cb 结基区边的耗尽层宽度的计算 先求出cb 结的内建电势V n N N q kT V i B C biCB739.0)10(105105ln 0259.0ln 21016152=⨯⨯⨯== 再求出cb 结基区边的耗尽层宽度()um 0419.0739.0105.51106.18.1185.8222117521i 0≈⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=-CB B C B B C S nCBV N N N N q K X ε (5)总的基区宽度W B =W+X nEB +X pCB ＝3.46+0.155+0.0419=3.66um符合之前计算出来的基区宽度的范围，但是这样的宽度相对应的结深过大，故根据经验值W=4um 3.1.7 扩散结深在晶体管的电学参数中，击穿电压与结深关系最为密切，它随结深变浅，曲率半径减小而降低，因而为了提高击穿电压，要求扩散结深一些。

但另一方面，结深却又受条宽限制，当发射极条宽C j S X >>条件时，扩散结面仍可近似当做平面结。

但当S E 随着特征频率T f 的提高，基区宽度W B 变窄而减小到不满足S E >>Xj 时，发射结变为旋转椭圆面旋转椭圆面，如图3所示。

发射结集电结两个旋转椭圆面之间的基区体积大于平面结之间的基区体积，因而基区积累电荷增多，基区渡越时间增长。

按照旋转椭圆的关系，可以解出当S E 与Xj 接近时，有效特征频率为)(1302B T Teff W f f ++=ξξ 式中Bjc W X =0ξ ，因此，Bjc W X 愈大，有效特征频率愈低。

图3也明显表明，Bjc W X 越大，则基区积累电荷比平面结时增加越多。

由于基区积累电荷增加，基区渡越时间增长，有效特征频率就下降，因此，通常选取1e =B j W X ， 则：Xje ＝W B ＝4um2=Bjc W X ， 则：Xjc ＝2W B ＝8um图 3 发射极条宽对结面形状的影响3.1.8 表面杂质浓度结构尺寸选定的情况下，发射区和基区表面杂志浓度及其杂志分布的情况主要影响晶体管的发射效率γ和基区电阻b r 。