深圳职业技术学院
Shenzhen Polytechnic
《集成电路工艺基础》
课程设计报告
课题： D触发器工艺设计
学院：电子与通信工程学院
班级： 11微电子1班
组员：
学号：
指导老师：
2013年6月 24日
目录
绪论 (1)
第一章 N阱硅栅CMOS电路 (2)
1.1 N阱硅栅CMOS电路 (2)
第二章 D触发器原理图设计 (3)
2.1 D触发器原理图设计 (3)
2.1.1逻辑电路图 (3)
2.2.2工作原理 (3)
第三章 D触发器版图设计 (5)
3.1 版图设计规则 (5)
3.2 D触发器版图设计 (6)
第四章工艺流程 (7)
4.1 N阱CMOS工艺流程 (7)
第五章制备掩膜版 (13)
5.1 集成电路对掩膜版的要求 (13)
5.2 掩膜版版图 (13)
总结 (18)
参考文献 (18)
绪论
当前，我国集成电路行业正处于发展的黄金时期，集成电路的设计、制造和封装测试都面临极大的发展机遇。

以后，集成电路器件的特征尺寸将从目前的深亚微米进入纳米量级，并且有可能将一个子系统乃至整个系统集成在一个芯片上。

今天，版图设计是在一个不断变化的环境中进行的。

软件工具和设计方法，计算机平台，工具厂商、客户，正在实现的应用，以及我们所面对的市场压力，所有这一切都在逐年变化着。

所有这一切变化已使该行业成为一个另人感兴趣的行业，但不应该忘记的是，在制作优质版图后面的基本概念是基于物理特性和电学特性的，这是永远不会改变的。

通过集成电路版图设计，按照版图设计的图形加工成光刻掩膜，可以将立体的电路系统转变为平面图形，再经过工艺制造还原成为硅片上的立体结构。