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真空濺鍍原理(圖)
溅镀原理:靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉积到基板
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DC Sputtering原ng原理: (適合所有固體材料的濺鍍)
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真空濺鍍製成進行薄膜披覆特點
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真空濺鍍機原理
• 濺鍍需在真空倉內實現,因此真空倉內真空度保持尤為重要. 真空系統包括真空倉, 初級﹑前級真空泵﹑分子泵, 旁路閥 及排氣﹑抽氣閥﹑真空檢測探頭等.
真空濺鍍簡介
作者:XXX
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真空濺鍍原理 1.DC Sputtering原理 2.RF Sputtering原理 真空濺鍍製成進行薄膜披覆特點 真空濺鍍機原理
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真空濺鍍的原理
• 主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞 击靶材(target)表面, 靶材的原子被弹出而堆积在基板 表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜 来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备 几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周 围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加, 提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导 电的陶磁材料则使用RF交流溅镀。
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Thank You !
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