《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）：1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。
2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。
3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。
4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。
5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。
6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。
7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。
Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。
tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压）△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。
中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）反向峰值电压（最高测试电压）V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压（门限电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）输出电容Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容（外电路参数）Cp---并联电容（外电路参数）BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---多于hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---7、党政领导干部交流的重点是 AB 的领导成员，hre---共发射极小信号开路电压反馈系数A地方党委共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo--- 发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流A一年以上 BIcex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---ICMP--- ISB---IAGC---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pi---输入功率Po---输出功率Posc---振荡功率Pn---噪声功率Ptot---ESB---二次击穿能量rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE---外接发射极电阻（外电路参数）RB---外接基极电阻（外电路参数）12、因工作能力较弱或者其他原因不适宜担任现职的，应当Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）RBE---外接基极-A同级交流 B降职使用 C责令辞职热阻Ta---环境温度Tc---管壳温度Ts---结温Tjm---最大允许结温Tstg---贮存温度td----延迟时间tr---上升时间ts---存贮时间tf---。
toff---A党管干部的原则 B公开选拔的原则 C民主集中制的原则 D发射极（直流）电压VBE---基极发射极（直流）电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压党政主要领导的意见 BVCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压DVCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压16、党政领导干部任职回避的亲属关系为 ABCD。
A夫妻关系近姻亲关系VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat---发射极接地，规定17、辞职包括-发射极间饱和压降VBE(sat---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC---正向自动增益控制电压Vn(p-p---18、提拔担任县（处）级以上党政领导职务的，应当具备的资格其中有 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容C大学专科以上文化程度 Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容A不准泄露酝酿、讨论干部任免的情况 CTC---电容温度系数C标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压21、选拔任用党政领导干部，必须坚持的六条原则中，除了任人唯贤、德才兼备原则；群众公认、注重实绩原则；公开、平等、竞争、择优原则；民主集中制原则；依法办事原则等以外，还有一条是( B 。
A、效率优先原则 B、党管干部原则IM）22、考察党政领导职务拟任人选，必须依据干部选拔任用条件和不同领导职务的职责要求，全面考察其( C 。
A、政治立场和工作表现 C、德、能、勤、绩、廉，注重考察工作实绩IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---IL---B、地方党委、政府工作部门的领导成员或者其人选，党政机关内设机构的领导成员或者其人选，以及其他适于公开选拔、竞争上岗的领导职务暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流A、大学专科IR（AV）---反向平均电流IR（In）---1、提任县（处）级以上领导职务的，由下级正职提任上级副职，一般要在下级正职岗位上工作两年以上。
（ ×）IRR---2、考察组由三名以上成员组成，考察组成员对考察材料负责。
（ ×）3、同一地方（部门）的党政正职一般可以同时易地交流。
（Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流）4、责令辞职，是指党委（党组）及组织（人事）部门，根据党政领导干部在任职期间的表现，认定其已不再适合担任现职的，通过一定程序责令其辞去现任领导职务，拒不辞职的，应免去现职。
（IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---5IZM--- iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---√7、选拔任用党政领导干部，必须坚持六条原则；党政领导干部应当具备六项基本条件；提拔担任党政领导职务的应当具备七项任职资格。
（√ f---频率8、由党委推荐、人民代表大会选举的领导干部人选落选后，根据工作需要和本人条件，可以推荐为其他职务人选，但不能再次推荐为同一职务人选。
（ ×）δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率10PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV四、简答题（每题分，共20分）：正向峰值耗散功率、公开选拔、竞争上岗应当经过的程序有哪些？正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs----串联电阻Rth----热阻R(thja----结到环境的热阻Rz(ru---动态电阻R(thjc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压三、场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on---漏源通态电阻rDS(of---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(thjc---结壳热阻R(thja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on---开通延迟时间td(off---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on---漏源通态电压VDS(sat---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。