11.中文：复合损失
英文：Recombination Loss
解释：在被电极收集之前电子与空穴的复合使电能流失。
12.中文：副栅线
英文：Fingers
解释：太阳能电池的电极的一部分，用于收集积累于电池表面的电荷从而形成外电路电流。副栅线通常由丝网印刷金属浆料或者电镀金属形成，宽度小于130微米，与主栅（bus bar）相连。
英文：Grid-connected Systems
解释：并网系统指由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池
7.中文：薄膜太阳能电池
英文：Thin-film Solar Cells
解释：薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，厚度从几微米到几十微米不等。成本较低但效率普遍较低
英文：Contact Resistance
解释：指电流流过半导体与电极金属界面所克服的电阻。该电阻是电池总串联电阻的一部分
11.中文：间接带隙半导体
英文：Indirect Band-gap semiconductor
解释：指半导体的能带图上导带底与价带顶不在同一动量上。需要光子与声子共同作用来激发电子孔穴对。硅就是常见的间接带隙半导体
解释：穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率
4.中文：本底掺杂
英文：Background Doping
解释：电池衬底的掺杂浓度
5.中文：表面制绒
英文：Surface Texturing
解释：用物理或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射
6.中文：并网系统
5.中文：电池互联
英文：Cell Interconnection
解释：将电池板串联一起组成电池组件
6.中文：电池降格
英文：Cell Degradation
解释：电池降格指组件在户外工作一段时间后，效能降低。对晶硅电池来说原因包括：电极脱落或被腐蚀，电极金属迁移透过P-N节而降低了并联电阻，减反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物等
解释：对于p-n节来说,指n-type接高电势，p-type接低电势
2.中文：方块电阻率/薄层电阻率
英文：Sheet Resistivity
解释：通常表征发射极掺杂浓度的高低。高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。可通过四点探针测量
3.中文：非晶硅/无定形硅
英文：Amorphous Silicon
解释：硅的一种同素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)，虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显着衰退。
A
1.中文：暗饱和电流
英文：Dark Saturation Current
解释：没有光照的条件下，将PN结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质
在以下的理想二极管公式中，I=流过二极管的总电流;I0=“暗饱和电流”,V=加在二极管两端的电压
B
1.中文：包装密度
英文：Packing density
2.中文：扩散
英文：Diffusion
解释：是粒子通过随机运动从高浓度区域向低浓度区域的网状的传播。在光伏应用中，扩散用于向衬底中参杂施主或受主原子以形成p-n结或高低结
解释：又名传导带，是指半导体或是绝缘体材料中，一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带（valence band），而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
4.中文：电池工作温度
英文：Cell Operating Temperature
解释：太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。工作温度通常高于标准测试条件（STC)规定的25摄氏度，并且会影响电池的开路电压
7.中文：电流电压特性
英文：Current-Voltage Charateristic
解释：又称为伏安特性，是电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性，常用伏安特性曲线来表征。
8.中文：电子空穴对
英文：Electron-hole Pair
解释：半导体中，吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于一个孔穴，它们合称电子空穴对
解释：一种镀膜技术。常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。
E
1.中文：额定功率
英文：Rated Power/Rated Watt
解释：太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱AM1.5，光强1000W／平米，温度25C）测试出来的输出功率，实际的输出功率受使用环境影响
F
1.中文：反偏
英文：Reverse Bias
解释：由新南威尔士大学研究中心开发的电极设计。激光刻槽使副栅线深埋入电池，在减少电极遮光的同时保持良好的导电。
2.中文：寄生电阻
英文：Parasitic Resistance
解释：电池串联电阻与并联电阻的总称。
3.中文：价带
英文：Valence Band
解释：通常是指半导体中在绝对零度下能被电子占满的最高能带。全充满的价带中的电子不能在固体中自由运动。
4.中文：分布式光伏系统
英文：Distributed PV Systems
解释：小型模块化、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。
5.中文：分流电阻/并联电阻
英文：Shunt Resistance
解释：在太阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好
4.中文：交错背接触电池
英文：Interdigitated Back Contact (IBC) Cell
解释：电池的正负极接触都在背面，并且相互交叉，其结构如图所示。
5.中文：减反膜
英文：Antireflection Coating
解释：在电池表面镀上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而减少反射率，理想情况下，单层减反膜可使一个特定波长的光的反射率降为零
解释：指电池对不同波长的单色光的响应。通常以量子效率来呈现这种响应。
5.中文：光学损失
英文：Optical Loss
解释：入射光由于受到电池的表面反射，电极遮挡等因素影响而无法在电池中激发载流子形成的损失。通过光陷阱的设计和对电极遮挡的优化可以有效减少光学损失。
6.中文：光照强度
英文：Light Intensity
解释：这是一个等效概念，表征一天中太阳的辐射总能量。数值上等于一天中太阳的总辐射能量(千瓦时/平方米)除以1千瓦/平方米
9.中文：伏安特性曲线
英文：I-V Curve
解释：用来表征电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性曲线。
10.中文：复合
英文：Recommbination
解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
8.中文：复合
英文：Recommbination
解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
9.中文：表面复合速率
英文：Surface Recombination Velocity
解释：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强弱。
H
1.中文：耗尽区/耗尽层
英文：Depletion Region
解释：指在P-N节中P型与N型的交界面周围的区域，通常有几个微米宽。由于该区域内建电场的存在，多数载流子被排斥而形成耗尽区。
J
1.中文：激光刻槽埋栅太阳能电池
英文：LaserＧrooved, BuriedＣontactＳolar Cells
6.中文：金属化（形成电极）
英文：Metallisation
解释：在电池的正表面或背表面上加上金属使电池形成电极接触
7.中文：金字塔（表面制绒结构）
英文：Pyramids
解释：碱溶液对单晶硅的腐蚀是各项异性的，在制绒过程中单晶硅的特定晶面会暴露出来，使得制绒后的硅表面出现数微米高的金字塔
8.中文：禁带
D
1.中文：大气质量/大气光学质量
英文：Air Mass
解释：定义为1/cos(太阳与法线夹角）。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的AM值还对应不同的太阳光谱
2.中文：带隙
英文：Band Gap
解释：半导体导带与价带之间的能级差。常温下，本征硅的带隙是1.1eV
3.中文：导带
英文：Conduction Band
英文：Building Integrated PV (BIPV)
解释：是使用太阳能光伏材料取代传统建筑材的一种应用方式，通常利用天窗和外墙是作为最大的接光面，使建筑物本身能够为自身提供能源，可以部分或全部供应建筑用电，而不必用外加方式加装太阳能板。由于在建筑设计阶段提前规划，所以发电率和成本比值最佳。
英文：Forbidden Gap
解释：在能带结构中能态密度为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。
9.中文：单晶硅/晶体硅
英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon
解释：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构，纯度高。
10.中文：接触电阻
6.中文：封装
英文：Encapsulation
解释：指将已互联的电池通过层压密封到电池组件里。封装可以实现电池组件防水，防潮，并且增强电池的机械性能。
7.中文：峰瓦
英文：Peak Watts
解释：组件在理想的标准测试条件下的输出功率，该功率值也是组件的额定功率。
8.中文：峰值日照小时数
英文：Peak Sun Hours
9.中文：独立系统
英文：Stand-alone Systems