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水热法制备粉体

2.7 水热法制备粉体
2.7.1 水热法合成原理及特点 2.7.2 水热法的装置及特点 2.7.3 水热法的基本概述 2.7.4 水热法制备ZrO2纳米粉体 2.7.5水热法制备四方相BaTiO3纳米粉体 2.7.6 水热法制备粉体的过程 2.7.7 溶剂热法制备陶瓷粉体
第二章
特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
第二章
特种陶瓷粉体的物理性能及其制备 +
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压力表 8 密封法兰 7 热电偶 6 基片 5 釜腔 4 内衬 3 (Teflon) 釜体 2 (1Cr18Ni9Ti) 加热炉 1
水热反应釜示意图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
水热反应釜示意图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
水热反应釜示意图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
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装置:
特种陶瓷粉体的物理性能及其制备2.7.2 水热法的装置及特点
高压反应容器-高压釜。高压釜按压力来源内加压式和外 式。本实验采用内加压式,它是靠釜内一定填充度的溶媒在 高压时膨胀产生压力。 主要结构及工作原理 1)反应釜装置由1Cr18Ni9Ti不锈 钢制造的釜体、釜盖组成,釜体 和法兰为两体,以螺纹连接,釜 体和釜盖两者以8个均匀分布的合 金钢主螺栓装配紧密。
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
在高温高压水热条件下,提供一个在常温条件下无法得到的
特殊的物理化学环境,使前驱物在反应系统中得到充分的溶解,
达到一定的过饱和度,形成原子或分子生长基元,进行成核结晶
生成粉体或纳米晶。
水热法制备陶瓷粉体实质上是前驱物在水热介质中溶解,成
核、长大,最终形成一定粒度和结晶形态的晶粒的过程。
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
水热反应釜示意图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
水热反应釜示意图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
2)可保证高压釜正常操作和安全运转。
3) 爆破片装置由爆破片和夹持器等装配组成的压力泄放安
全装置,当爆破片两侧压力差达到预定温度下的预定值 时,爆破片即可动作(破裂或脱落),泄放出压力介质。 4) 电加热炉为圆筒形,炉体内装有筒形硅炉芯,加热电阻 丝串连其中,其端头自下部串出接于源插座,使用时用
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
水在一定填充比下,温度与压力的关系图
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③ 粘度 水的粘度随温度升高而下降。 在500℃,100MPa的条件下,水的粘度仅为常温常压条 件下的10%,在超临界区域内分子离子的活动性大为增加。 ④ 介电常数
以水为溶剂时,介电常数随温度升高而下降,却随压力升 高而升高,然而,前者的影响是主要的。
胶皮电缆线与控制器相连。
5) 电控部分有温度指示仪调节仪,加热电压表,电源和加 热信号灯,加热手调电钮,控制电源、电加热的开关。
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
1.加热炉组 2.釜体组 3.进气阀组 4.釜盖组
5.搅拌传动组
6.电机支架组
7.压力表
8.热电偶 9.爆破安全阀 10.内冷却管 高压釜结构图
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特种陶瓷粉体的物理性能及其制备
2.7.3 水热法的基本概述 1) 水热结晶学基础
(1)反应介质水的有关性质
在水热条件下,水的性质将产生如下变化:
① 压力升高;
② 密度变小; ③ 离子积升高; ④ 粘度降低; ⑤ 介电常数降低。
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① 水的密度和电离 在1000℃,15~20GPa条件下,水的密度≈1.7~1.9 g/cm3。 在平衡状态下,水的密度随温度升高而降低,而高温溶剂 的运输能力强烈地依赖于溶剂的密度。
在所研究的范围内,水的离子积随P和T的增大而迅速增加。
1000℃,1000MPa的条件下,-lgKw=7.85±0.3,水的离子积 比大约比标准状态 大6个数量级;
在100~300℃的条件下,水的离子积相当标准状态的几千倍。
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② P-T图对于水热反应,水的P-T图是很重要的。 在工作条件下,压强大多依赖于反应容器中原始溶 剂的填充度。在高温高压下,水的临界温度是374℃,临界 压力是21.7MPa,临界密度是0.32g/ml。 32%为高压釜的临界填充比。在初始填充比小于32% 的情况下,当升高温度时,气-液相的界面稍有上升;随着 温度的继续增高至某一值时,液面就转而下降,直到升至临 界温度液相完全消失为止。 如果初始填充比大于临界值,温度升高时,气-液界 面就迅速升高,直到容器被液相所充满。
2.7.1 水热法合成原理及特点 水热法(热液法) 在密闭容器中,以水作为溶媒(也可是固相成分之一), 在一定的温度(> 100℃)、压力(> 9.8MPa )下,即在超 临界流体状态下研究、制备、加工和评价材料的一种方法。
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水热法研究的温度范围: 在水的沸点和临界点(374℃)之间,通常使用的是 130~250℃之间,相应的水蒸汽压是0.3~4Mpa。 水热法原理: 把在常温常压下不容易被氧化、合成的物质,通过将其
水的较高的介电常数局限在低及高密度(即高压)的小区 域内,电解质在水溶液中完全离解,然而随温度的上升,电 解质趋于重新结合。 对于大多数物质, 这种转变常在200~ 500℃之间发生。
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(2)水热结晶动力学基础 ① 水热体系中的成核驱动力 水热法能直接反应生成结晶性好的晶粒,水热体系中的 高的压力能加速晶粒的成核和长大。 水热体系中高压能促进生长基元向晶粒的转变,即加速了 晶粒的成核与长大。
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② 水热生长体系中的成核速率
在很短的时间内爆发成核
溶质大量被消耗,晶核生长过程缩短 使产物的晶粒粒径减少。 加快成核速率有两条途径: 升高反应温度
物系置于高温高压水溶液条件下来加速氧化、合成反应的进
行。
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水热法特点:
离子在水溶液状态下混合均匀性好
水随温度的升高和压力增大变为气态矿化剂,有非常大的解
聚能力和氧化能力,制备出超细理想结晶、纯度较高粉末
水热条件下离子能够容易地按化学计量反应,晶粒按结晶习
性生长,成为完整的理想晶体即自形晶。
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