微电子工艺原理习题
一、填空题
1．传统集成电路制造工艺的发展以的出现作为大致的分界线，现代集成电路制造工艺进入超大规模集成电路后又以工艺的作为划分标志。

2．能提供多余空穴的杂质称为，P型半导体中的多子是。

3．多晶硅转变成单晶硅的实质是。

4．单晶硅拉制过程中引晶阶段的温度选择非常重要，温度过高时会造成，温度过低时会形成。

5．SiO
2
网络中氧的存在有两种形式，其中原子浓度越高，网络的强度越强；原子浓度越高，网络的强度越弱。

6．目前常用的两种掺杂技术是和。

7．完整的光刻工艺应包括和两部分，随着集成电路生产在微细加工中的进一步细分，后者又可独立成为一个工序。

8．伴随刻蚀工艺实现的图形转换发生在和之间。

9．按照功能和用途进行分类，集成电路可以分为和两类。

10．能提供多余电子的杂质称为，N型半导体中的少子是。

11．固溶体分为替位式固溶体和间隙式固溶体，两类大部分施主和受主杂质都与硅形成
固溶体。

12．单晶硅的性能测试涉及到的测试、的测试和缺陷检验等多个方面。

13．SiO
2中掺入杂质的种类对SiO
2
网络强度的影响表现在：掺入Ⅲ族元素如硼时，网络强
度；掺入Ⅴ族元素如磷时，网络强度。

14．常用的芯片封装方法有、和陶瓷封装。

15．光刻胶又叫，常用的光刻胶分为和两类。

1．下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是。

（A）特征尺寸越来越小（B）晶圆尺寸越来越小
（C）电源电压越来越低（D）时钟频率越来越高
2．下面几种薄膜中，不属于半导体膜的是。

（A）SiO
2
膜（B）单晶硅膜（C）多晶硅膜（D）GaAs膜
3．下列有关芯片封装的描述中不正确是。

（A）金属封装热阻小有良好的散热性能（B）塑料封装机械性能差，导热能力弱（C）金属封装成本低，塑料封装成本高（D）陶瓷封装的气密性好，但脆性较高4．下列选项中属于光刻工艺三要素之一的是。

（A）曝光（B）光刻胶（C）显影（D）刻蚀
5．下列有关扩散的几种描述中不正确的是。

（A）扩散是一种掺杂技术。

（B）扩散有气态扩散、液态扩散和固态扩散三种。

（C）替位型杂质在硅中的扩散方式有替代扩散、空位扩散以及间隙扩散三种。

（D）替位型杂质的掺入不会改变材料的电学性质。

6．下列关于光刻胶的描述中正确的是。

（A）负胶具有较高的固有分辨率（B）正胶成本低，适合大批量生产（C）正胶的分辨率高，抗干法腐蚀能力强（D）负胶粘附性差，抗湿法腐蚀能力弱7．硅片中同时有浅施主和浅受主时，导电类型和载流子浓度由决定。

（A）杂质浓度差（B）施主杂质（C）受主杂质（D）杂质浓度和
8．下面几种材料的薄膜中，不属于介质膜的是。

（A）SiO
2膜（B）Si
3
N
4
膜（C）多晶硅膜（D）Al
2
O
3
膜
9．下列因素中对扩散系数大小不会造成影响的是。

（A）温度（B）杂质种类（C）扩散环境（D）杂质浓度变化率10．关于干法刻蚀的正确描述是。

（A）化学性刻蚀选择比高且是各向异性刻蚀；
（B）反应离子刻蚀（RIE）兼具各向异性与高选择比等优点；
（C）化学性刻蚀方向性好，可获得接近垂直的刻蚀侧墙；
（D）物理性刻蚀的选择性好。

1. 微电子学，即微型电子学，其核心是集成电路。

（ ）
2．按功能分类，集成电路可以分为双极型、MOS 型和BiMOS 型。

（ ）
3．硅片中同时有浅施主和浅受主时，导电类型和载流子浓度数量由杂质浓度差决定。

（ ）
4．施主杂质的溶解度，将随晶体中的受主杂质含量的增加而增大。

（ ）
5．在半导体生产中SiO 2膜作为杂质选择性扩散的掩蔽膜适用于任何杂质。

（ ）
6．方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质的总量，扩散的杂质越多，方块电阻越大。

所以可以通过测方块电阻来检测扩散进去的单位面积的杂质量。

（ ）
7．插塞是用来连接上下两层金属的导电材料，常用插塞为钨插塞。

（ ）
8．旋涂玻璃法平坦化工艺可实现全局平坦化，化学机械抛光可实现局部平坦化。

（ ）
9．被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质的光刻胶称为正胶。

（ ）
10．光敏度由曝光效率决定，正胶比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大。

（ ）
11. 特征尺寸越来越大是集成电路的发展趋势之一。

（ ）
12．杂质在硅中的溶解度是集成电路制造过程中选择杂质的重要依据。

（ ）
13．在单晶硅的两种拉制方法中，悬浮区熔法较直拉法更易拉制大直径单晶硅。

（ ）
14．SiO 2网络中氧的存在有两种形式（桥联氧和非桥联氧），其中桥联氧原子浓度越高，网
络的强度越强。

（ ）
15．菲克扩散定律x N D J ∂∂-=中的负号表示扩散方向与杂质浓度的增加方向相反。

（ ）
16．光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。

（ ）
17．刻蚀工艺实现的图形转换发生在掩膜版和光刻胶层之间。

（ ）
18．受主杂质的溶解度，将随晶体中的施主杂质含量的增加而增大。

（ ）
19．被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质的光刻胶称为负胶。

（ ）
20. 磨料、抛光垫、抛光压力和选择比是影响CMP 抛光质量的重要因素。

（ ）
四、简答题
1．目前由多晶硅制备单晶硅的主要方法有哪两种，两种方法各有什么特点？
2．简述半导体生产中常用薄膜的种类及用途。

薄膜的制备方法分哪两类？并举例说明两类制备方法各自的特点。

3．双极型集成电路制造中常用的隔离技术有哪些？说明各自的优缺点。

4．什么是小岛？简述小岛产生的原因。

5．简述由多晶硅制备单晶硅的三个具体条件；目前由多晶硅制备单晶硅的主要方法有哪两种，两种方法各有什么特点？
6．薄膜的制备方法分哪两类？并举例说明两类制备方法各自的特点。

7．什么是溶胶？简述溶胶产生的原因。

8. 什么是键合？键合的具体方法有哪些？键合质量的检查涉及哪几项内容？。