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中南大学材料科学基础位错课后答案(课堂PPT)


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• 2.纯铁的空位形成能为105kJ/mol. 将纯铁加热到850℃后激冷至室温 (20℃),假设高温下的空位能全部 保留,试求过饱和空位浓度与室温 平衡空位浓度的比值。
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解答
• 利用空位浓度公式计算 C vAexp(k Q T)Aexp(R Q T) • Q=105KJ/mol
• K×Av(阿伏加德罗常数)=1.38×10-23×6.02×1023 =8.314J/mol.K
cos
u 1 u2v1v2w 1w 2
(u 12v12w 12)(u22v22w 22)
a [110] 2
• 故a[-12-1]/6 和 a[-211]/6之间夹角cosφ=1/2
G
G6 a6 a1 G a 2
d2 b 1b 2c o s b 1 b 2 2 6 622 4
a [211] 6
a [12 1] 6
柏氏矢量关系,位错交截后产生“扭折”或“割 阶” • “扭折”可以是刃型、亦可是“螺型”,可随位 错线一道运动,几乎不产生阻力,且它可因位错 线张力而消失 • “割阶”都是刃型位错,有滑移割阶和攀移割阶, 割阶不会因位错线张力而消失,两个相互垂直螺 型位错的交截造成的割节会阻碍位错运动
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• 5.如图,某晶体的滑移面上 有一柏氏矢量为b的位错环, 并受到一均匀切应力τ。
a [100]
a [010]
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• 8.一个b=a[-110]/2的螺位错在 (111)面上运动。若在运动过程 中遇到障碍物而发生交滑移,请指 出交滑移系统。
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(111) [-110]
(-1-11)
(111)面上b=a[-110]/2的螺 位错运动过程中遇到障碍物而 发生交滑移,理论上能在任何 面上交滑移,但实际上只能在 与原滑移面相交于位错线的fcc 密排面(滑移面)上交滑移。
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[11-2]/6 [112]/6
(111)
(111)面上领先位错 a[11-2]/6
(11-1)
(11-1)面上领先位错 a[112]/6
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[11-2]/6 [112]/6
(111)晶面的 a[11-2 ]/6 和 (11-1)晶面的 a[112 ]/6发 生位错反应, 新位错的柏 氏矢量方向 为[110 ]
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ds
Ga2
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解答思路
• 发生位错反应: a[110]a[121]a[211]
• 几何条件: 反应前柏氏矢量
a
2
[1 1 0 ]
6
6
2
反应后柏氏矢量
a[121]a[211 ] a[330]a[110]
66
62
• 能量条件 反应前
b2 a2(110)a2
4
2
反应后
b2a2(141)a2(411)a2
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• 11.总结位错理论在材料科学中的 应用
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解答
1. 可以解释实际强度与理论强度差别巨大原因 2. 可以解释各种强化理论完全消除位错和增加位错强化的各种方式
(细晶强化,第二相沉淀强化,加工硬化,固溶强化) 3. 凝固中晶体长大方式之一 4. 通过位错运动完成塑性变形 5. 变形中的现象如屈服与应变时效,蠕变等; 6. 空位的形成机制之一 7. 小角晶界模型 8. 固态相变中晶界等优先形核机制, 9. 回复再结晶软化机制,多边化和胞状组织结构 10. 短路扩散机制 11. 断裂裂纹形核机制
解答
Cv
Aexp( Q ) RT
得到Cv=e10.35
Ag为fcc,点阵常数为a=0.40857nm,
设单位体积内点阵数目为N,则N=4/a3,=?
单位体积内空位数Nv=N Cv
若空位均匀分布,间距为L,则有 L 3 1 =? NV
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• 4.割阶或扭折对原位错线运动有何影响? • 解答:取决于位错线与相互作用的另外的位错的
在τ的作用下,若使此位 错环在晶体中稳定不动,则τ =Gb/2R,其最小半径应为R =Gb/2τ
螺型
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• 6.在面心立方晶体中,把两个平行且同号的单位螺型位错从相距 100nm推进到3nm时需要用多少功(已知晶体点阵常数a=0.3nm, G=7×1010Pa)?
• 解答:两个平行且同号的单位螺型位错之间相互作用力为:F= τ b =Gb1b2/2πr,b1=b2,所以F= Gb2/2πr
故柏氏矢量为a[-110]/2的 螺型位错只能在与相交于[-110] 的{111}面上交滑移,利用晶体 学知识可知柏氏矢量为的螺型 位错能在 (-1-11)面上交滑移 。
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• 9.面心立方晶体中,在(111)面上的单位位 错a[-110]/2,在(111)面上分解为两个肖克 莱不全位错,请写出该位错反应,并证明 所形成的扩展位错的宽度由下式给出:(G 切变模量,γ层错能)
• fcc中,b=a[110]/2 • 0.3nm=0.3×109m • 从相距100nm推进到3nm时需要功
100G b2drG b2ln1001.76 10 9N M
3 2r 2 3
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• 7.在简单立方晶体的(100)面上有a [001] 一个b= a [001]的螺位错。如果它(a) 被(001)面上的b= a [010]刃位错交 割,(b)被(001)面上b= a [100]的螺 位错交割,试问在这两种情形下每个 位错上会形成割阶还是弯折?
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图解说明位错反应
(111)
平面(111)
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(11-1)
平面(11-1)
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(111)
两个平面(h1 k1 l1) 与(h2 k2 l2)相交后 交线,即为晶带轴, 设为<uvw>,满足 [1-10] hu+kv+lw=0关系, 可得 (11-1) u+v+w=0
u+v-w=0
求得uvw比值1:-1:0
夹角60°(120° )
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位错2-10题,P116
• 在面心立方晶体中,(111)晶面和(11-1) 晶面上分别形成一个扩展位错:
(111)晶面:a[10-1]/2→ a[11-2 ]/6 + a[2-1-1]/6 (11-1)晶面:a[011]/2→ a[112 ]/6 + a[-121]/6 试问: (1) 两个扩展位错在各自晶面上滑动时,其领先
位错相遇发生位错反应,求出新位错的柏氏 矢量; • (2) 用图解说明上述位错反应过程; • (3) 分析新位错的组态性质
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解答
(1) 位错在各自晶面上滑动时,领先位错相遇, 设领先位错为 (111)晶面的a[11-2 ]/6 和 (11-1)晶面的a[112 ]/6发生位错反应 位错反应为: a[11-2 ]/6 +a[112 ]/6 → a[110 ]/3 故新位错的柏氏矢量为a[110 ]/3
• 解答
• 1. 弯折:被b= a [010]刃位错交割,则 交截部分位错沿[010]方向有一段位移 (位错线段),此位错线段柏氏矢量 仍为b= a [001],故决定的新的滑移面 为(100),故为扭折。
• 2. 同理,被a [100]的螺位错交割,则 沿[100] 方向形成一段位错线段,此位 错线段柏氏矢量仍为b= a [001],由 [100]与[001] 决定的滑移面为(010),故为割阶
[110]
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[11-2]/6 [112]/6
(111)
[1-10] (11-1)
新位错柏氏矢量方向 [110 ]与两个滑移面 (111)(11-1)的交 线[1-10]垂直,为刃型
位错,新位错滑移面 为[110 ]与 [1-10]决定 的平面,即(001) 面,不能滑移
[110]
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[11-2]/6 [112]/6
(111)
新位错的组态性质:
新位错柏氏矢量为
a[110 ]/3 ,而两个位
错反应后位错线只能
是两个滑移面(111)
与(11-1)的交线,
[1-10]
即[1-10], 即:位错线与柏氏矢
量垂直,故为刃型位
(11-1)
错,其滑移面为[110 ] 与 [1-10]决定的平面,
即(001)面,也不是
fcc中的惯常滑移面, [110] 故不能滑移。
• 在T1=850 ℃ (1123K) 计算C1
• 后激冷至室温可以认为全部空位保留下来,即在
• •
T2=20℃(293K) 计算C2 取A=1,代入T2,T1及Q,有
C1/C2=6.84672×1013
C1 C2
Q
e kT1
Q
e kT2
Q( 1 1 )
e k T2 T1
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• 3.计算银晶体接近熔点时多少个结点上会出现一个空位(已知:银的 熔点为960℃,银的空位形成能为1.10eV,1ev=)?若已知Ag的原子 直径为0.289nm,问空位在晶体中的平均间距。 1eV=1.602*10-19J
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363ຫໍສະໝຸດ • 几何条件和能量条件均能满足
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• 当两个肖克莱不全位错a[-12-1]/6 和 a[-211]/6之间排斥力F=γ(层错能)时,
位错组态处于平衡
• 故依据位错之间相互作用力
F Gb1b2 2 d
dG 2b 1b22G b1b2cosb1b2
• 立方晶系中任意两个晶向 [u1v1w1] 与 [u2v2w2]之间夹角
• 分析该位错环各段位错的结 构类型。
• 求各段位错线所受的力的大 小及方向。
• 在τ的作用下,该位错环将如 何运动?
• 在τ的作用下,若使此位错环 在晶体中稳定不动,其最小 半径应为多大?
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解答:如图所示位错类型,其 他部位为混合位错
各段位错线所受的力:τ1 =τb,方向垂直位错线
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