一、填空题1、将芯片及其余因素在框架或基板上部署，粘贴固定以及连结，引出接线端子而且经过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装置成完好的系统或许设施，这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传达电能；传达电路信号；供给散热门路；构造保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种，包含了转移成型技术、发射成型技术、预成型技术、此中最主要的是转移成型技术。

7 、在焊接资猜中，形成焊点达成电路电气连结的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提升可焊性的物质叫做助焊剂；在 SMT 中常用的可印刷焊接资料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包含了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（ Module）、电路卡工艺（ Card ）、主电路板（Board ）、完好电子产品。

11 、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平展工艺、电化学腐化、湿法腐化、等离子增添强学腐化等。

12、芯片的互连技术能够分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

13、DBG 切割方法进行芯片办理时，第一进行在硅片正面切割一定深度切口再进行反面磨削。

14、膜技术包含了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜常常采纳丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包含了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解说1、芯片的引线键合技术 (3 种)是将细金属线或金属带按次序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包含超声波键合、热压键合、热超声波键合。

2、陶瓷封装陶瓷封装能供给高靠谱度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或 Alloy42 合金引脚架资料间能形成密切接合的特征。

3、共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的均衡反响。

4、封装的层次集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board ）、完好电子产品。

5、靠谱性工程靠谱性则是对封装的靠谱性有关参数的测试。

产品的靠谱性即产品靠谱度的性能，详细表此刻产品使用时能否简单出故障，产品使用寿命能否合理等。

6、再流焊接技术再流焊接是早先在PCB 焊接部位(焊盘)施放适当和适合形式的焊料，而后贴放表面组装元器件，经固化后，再利用外面热源使焊料再次流动达到焊接目的的一种成组或逐点焊接工艺。

7、3D 封装是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它发源于快闪储存器(NOR/NAND) 及 SDRAM 的叠层封装。

8、切筋是指切除框架外引脚之间的堤坝及在框架带上连在一同的地方。

9、气密性封装是指完好能够防备污染物（液体或固体）的侵入和腐化的封装。

10、顺型涂封顺型涂封的原料一般为液状树脂，将组装达成的印制电路板表面冲洗洁净后，以喷洒或沉醉的方法将树脂原料平均地涂上，再经适合的烘烤热办理或紫外办理后即成为保护涂层。

11、封装靠谱性工程芯片封装流程达成后，封装厂会对产品进行靠谱性的测试，靠谱性检测是检测产品“将来”的质量，包含预办理、温度循环测试、热冲击、高温储蓄、温度和湿度、高压蒸煮。

12、生胚片将各样无机和有机资料混淆后，经一准时间的球磨后即称为浆料。

也称为生胚片载系统统，陶瓷管壳的基板是有多层生胚片采纳低温共烧技术连结在一同的。

13、柯肯达尔空洞是指线材、键合点金属与金属间化合物之间的两种扩散速率不一样的金属在扩散过程中会形成缺点，产生空洞。

14、墓碑效应小型片状之表面黏装部件，因其两头之金属封头与板面焊垫之间，在焊锡性上可能有差别存在或许是两头散热的速率不一样致使焊锡的固化速率不一样。

经过红外线或热风熔焊后，有时会出现一端焊牢而另一端被拉起的浮开现象，特称为墓碑效应。

15、转移成型技术将将芯片与引线框放在模具中，加热塑封预成型块并放入转移罐，将其压入浇道经过浇口进入模腔，而后迅速固化到必定硬度，用塑料将芯片与引线框架包装起来。

16、应力除去芯片切割以前需要对芯片进行减薄办理，而且经过减薄此后的芯片后来表面的裂纹会在此步骤中去除去，芯片的强度也会增添（应力除去），可用干式抛光、化学研磨液、湿式刻蚀发、干式刻蚀发。

三、问答题1、详尽描绘狭义芯片封装的工艺流程及其每一步所实现的作用。

工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

作用：为 IC 芯片供给机械支撑和环境保护、接通半导体芯片的电流通路、供给信号的输入和输出通路、供给热通路，闲逸半导体芯片产生的热。

2、在芯片的组装过程中，常常运用到各样不一样的焊接技术，详尽叙述波峰焊技术和再波峰焊技术的工艺流程并比较其应用范围。

工艺流程：波峰焊技术：准备，元件插装，喷涂钎剂，预热，波峰焊，冷却，冲洗再波峰焊技术：印刷焊锡膏与pcb 通孔焊盘，搁置插装件，再流焊接。

应用范围：一般状况下，波峰焊用于混淆组装方式，再流焊用于全表面贴装方式3、在芯片的制造过程中第一需要对芯片进行减薄与切割，详尽表达芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。

芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割工艺流程：机械式切割 :用机械的方式对晶圆进行切割以DBG 为例，DBG 切割方法进行芯片办理时，第一进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将 DBG 加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF 进行全切割。

晶片已经分别成了芯片，因此就能够从芯片间照耀激光，只将 DAF 切割隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，经过扩展胶膜等方法将工件切割成芯片的切割方法4、WLP （Wafer Level Package）封装的定义是什么？试描绘它的构造以及它的制造工艺流程。

WLP 是晶圆级封装以BGA 技术为基础，直接在晶圆长进行大多数或是所有的封装测试程序，以后再进行切割制成单颗组件包含两个基本工艺：1.薄膜再散布技术工艺流程：a.在 IC芯片上涂覆金属布线层介质资料 b.淀积金属薄膜并用光刻方法制备金属导线和所连结的凸点焊区 c.在凸点焊区淀积 UBM d.在 UBM 上制作凸点 2.凸点的制作能够经过应用展望焊球、丝网印刷或电化学淀积的方法制作。

5、简述集成电路狭义封装的流程。

工艺流程：为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码6、在电子产品的生产过程中常用到表面贴装技术，是简述表面贴装技术的组装方式有哪些。

1 、单面混淆组装：先贴法、后贴法2 、双面混淆组装：SMC/SMD 和 THC 同侧方式、SMC/SMD 和 THC 不一样侧方式 3、全表面组装：单面表面组装、双面表面组装。

7、集成电路封装中，常常会用到金属凸点的制作工艺，如倒装芯片封装、细小模塑封封装等，试描绘金属凸点的工艺流程及其所实现的功能（包含了多金属层的制作以及凸点的制作）。

凸点形成方法：蒸镀焊料凸点电镀焊料凸点印刷焊料凸点钉头焊料凸点放球凸点焊料转移凸,蒸镀凸点。

以蒸镀凸点为例，蒸镀凸点工艺流程：1、现场对硅片溅射冲洗（a）在堆积金属前往除氧化物或许照相掩膜。

同时使得硅片钝化层以及焊盘表面粗拙以提升对 UBM 的结协力 2、金属掩膜：常常用带图样的钼金属掩膜来覆盖硅片以利于 UBM 以及凸点金属的堆积。

金属掩膜组件一般由背板、弹簧、金属模板以及夹子等组成。

硅片被夹在背板与金属模板之间，而后经过手动对位，对位公差可控制在 25nm 3、UBM蒸镀（b）而后按次序蒸镀 Cr 层、CrCu 层、Cu 层以及 Au 层 4、焊料蒸镀（c）在UBM 表面蒸镀一层97Pb/Sn 或95Pb/Sn 。

厚度约为100-125nm 。

形成一个圆锥台形状。

8、 CSP（Chip Size Package ）封装的几种实现形式与其制造工艺流程是什么？试对其进行简要的描绘。

CSP 是芯片尺寸封装，是封装外壳的尺寸不超出裸芯片尺寸1.2 倍的一种先进封装形式（特色：封装尺寸小，可知足高密封装；电学性能优秀；测试、挑选、老化简单；散热性能优秀；内无需填料；制造工艺、设施的兼容性好）实现形式：刚性基板封装、柔性基板封装、引线框架CSP 封装、晶圆级 CSP封装、薄膜型 CSP封装。

工艺流程：芯片制造、芯片测试、金属化、光刻、腐化、除抗蚀剂、聚酰亚胺保护层、光刻、聚酰亚胺图形、除抗蚀剂、聚酰亚胺固化、切割、安装焊球。

9、详尽描绘芯片切割的方法和种类，如激光切割、DAF等技术。

芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割工艺流程：机械式切割 :用机械的方式对晶圆进行切割以DBG 为例，DBG 切割方法进行芯片办理时，第一进行切割再减薄激光式切割：以激光全切割为例，将 DBG 加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF 进行全切割。

晶片已经分别成了芯片，因此就能够从芯片间照耀激光，只将 DAF 切割隐形式切割：是将激光聚光与工件内部，在工件内部形成改质层，经过扩展胶膜等方法将工件切割成芯片的切割方法10 、详尽表达 SMT 贴片机的组成，和每个组件的作用。

11 、什么是气密性封装，常有的气密性封装形式有哪些，工艺流程是如何的。

气密性封装：是指完好能够防备污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装常有的气密性封装形式：金属封装、陶瓷封装、玻璃封装以瓷封装为例，工艺流程：引脚/ 基板黏结、芯片黏结、打线键合、基板 / 封盖黏结、引脚镀锡、引脚切割成型。

12 、3D 多芯片封装的观点是什么，如何实现，封装的设计难点在哪。

3D 的观点：是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它发源于快闪储存器(NOR/NAND) 及 SDRAM 的叠层封装。

封装两种方法实现：封装内的裸芯片对叠；封装内的封装堆叠或称为封装堆叠封装的设计难点：在于芯片的减薄和芯片的堆叠。