第一章半导体器件基础测试题（高三）
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一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。

A、电子；
B、空穴；
C、三价元素；
D、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。

A、掺杂的工艺；
B、杂质的浓度：
C、温度；
D、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。

A、—12V；
B、—6V；
C、+6V；
D、+12V。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。

A、运用它的反向特性；
B、锗管使用在反向击穿区；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；
D、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。

A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；
D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。

A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；
B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；
C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；
D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。

10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。

A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；
B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；
C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的
低电位。

D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的
高电位。

11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则
下列四种变化中正确的是。

A、U I↑→U0↑→I W↑→I R↑→U R↑→U0↓；
B、U I↑→U0↑→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓；
C、U I↑→U0↓→I W↓→I R↑→U R↑→U0↓；
D、U I↑→U0↓→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓。

12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是。

A、三极管具有电压放大作用；
B、三极管具有功率放大作用；
C、三极管具有电流放大作用；
D、三极管具有能量放大作用。

13、对于二极管来说，下列说法中错误的是。

A、二极管具有单向导电性；
B、二极管同样具有放大作用；
C、二极管具有箝位功能；
D、二极管具有开关等功能。

14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。

A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系；
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系；
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系；
15、下图中两只二极管的导通状态是。

A、D1、D2导通；
B、D1、D2截止；
C、D1导通、D2截止；
D、D1截止、D2导通。

16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。

A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -15V；
D、U AO= -12V。

17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。

A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -12V；
D、U AO= 0V。

18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。

A、U AO=6V；
B、U AO= –6V；
C、U AO= -12V；
D、U AO=12V。

19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。

A、升高/升高；
B、降低/降低；
C、升高/降低；
D、降低/升高。

20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导通的是。

A、P端接+5V，N端通过一电阻接+7V；
B、N端接+2V，P端通过一电阻接+7V；
C、P端接─3V，N端通过一电阻接+7V；
D、P端接+1V，N端通过一电阻接+6V。

21、电路如图所示，R=1KΩ，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数是。

A、0.5V；
B、15V；
C、3V；
D、以上答案都不对。

22、如图所示，设输入信号u i为正弦波，幅值为1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，关于输出信号u0波形的说法，正确的是。

A、输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V之间；
B、输出电压值的范围介于-0V — +0.6V之间；
C、输出电压值的范围介于-0.6V — 0V之间；
D、输出电压值的范围介于0V — 1V之间。

23、对于3AG11C三极管的型号，下列说法正确的是。

A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
24、对于3DD80C三极管的型号，下列说法正确的是。

A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
25、对于3DG12C三极管的型号，下列说法正确的是。

A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
26、对于3AD30B三极管的型号，下列说法正确的是。

A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。

A、电压/电流；
B、电流/电压；
C、电压/电压；
D、电流/电流
28、电路其如图所示，D为理想二极管，则u0为。

A、3V；
B、6V；
C、-3V；
D、-6V。

29、电路如下图所示，已知Rb=10KΩ，Rc=1KΩ，Ec=10V，
晶体管的β=50，Ube=0.7V，当Ui=0V时，
三极管处于。

A、截止状态；
B、放大状态；
C、饱和状态；
D、击穿状态。

二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）
三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求下图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

五、作图分析题
1、电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

2、电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。