第二章静电场1
注:D的面积分
s
D
ds称为电通量
根据电场强度的性质,可很容易的得出真空中电位移的定义:
D 0E
因而,点电荷周围的电位移为: D
q
4r 2
aR
用电位移矢量表示的高斯定理
D
ds
Q
s
其微分形式:
D v
高斯定律应用举例
example 2.5
当积分路径是闭合回路,即A、B两点重 合时、得到
计算电场的线积分
上式虽然是从点电荷的电场中得到的结论,但很容易推广至任
意电荷分布的电场中,所以上式表示了静电场的一个共同特性
一守恒持性。。
以电场力作功为例,当一试验电荷q在电场中沿闭合回路移动一周 时,电场力所作的功为
利用斯托克斯定理上式可以写成
由于上式中回路c及其所限定的面积S是任意的,故有
对上面两式从θ1到θ2积分,有 当带电直线为无限长时,有
得到
example 2.2
计算一个均匀分布电荷的圆盘轴线上任一点的电场强度,圆盘 半径为a,电荷密度为ρs(C/m2)。
解:将圆盘划分成半径为r,宽度为dr的细圆环,如下
图所示,显然细圆环,在圆盘轴线上产生的电场只有z 方向分量,即:
其中
s (
)
Q
4a 2
采用球坐标,令极轴通过场点P,P点
处的电场为
E(r)
1
4
0
2
d
0
0
s
R R3
a
2
sin d
孤立带电导体球
因不同φ’的面元点电荷在场点产生的合成场只沿极轴方 向,即z方向,故矢量求积分时仅取z分量积分
E
Ez
a2s 2 0
般用单位面积上位移穿过的束缚电荷量来表示电场的另一
基本变量,称为电通[量]密度(或电位移),并用D表示.其单位 为C/m 2。
早期得出关于电位移的性质如下:
1、它与介质无关;
2、它的大小仅与产生它的源电荷有关;
3、如果一个点电荷被一个半径为R的球面所包围,则电通量
垂直且均匀通过该球面
4、电通密度(单位面积上所通过的电通量)反比于R2
0 0r2
r2dr
0 3 0
a3 r2
Q
4 0r 2
ra
E(r)
rr 0
0 0r2
r2dr
0 0r2
rr r2dr 0r
0
3 0
ra
电场强度在球面处没有发生跃变。为什么?
§2.2 高斯定律
1、高斯定律
电场E沿闭合面的通量恒等于闭合面所包围的电量,与真空中的
在导体表面作一柱形闭合面如 图,h 0,△s很小,可以认 为△s上各点的E值相同。
根据高斯定律有
s
D
ds
Dn
s
s
s
即
根据电场与电位的关系,可得:
s
Dn
0En
0
n
Dn s
证毕
请认真阅读P47例 3.3.2
example 2.8
已知无限长同轴电缆内外导体的半径分别为a和b.内外导体之 间为空气媒质,如图
的立体角,如下图所示。可以看出,这里
有两种情况;一种是点P在闭合面内,此 时可以用P点为圆心,任意半径为一球面
(如图(a)所示),则闭合面上任一面
元ds对P点所张立体角也就是它对P 点构
成的锥体在球面上割出一块球面元的立体 角。可见整个闭合面对P点所张的立体角
和球面对O点所张立体角是相等的,即为
4π。
E 0
静电场的两个基本方程:
D v E 0
2、电位的定义 由于静电场是一个保守场,因此,可以用一个标量场的梯度来 表示(矢量恒等式),这个标量场我们称为电位,它定义为:
显然,由于电位是一个标量函数,其求解过程一般来说较之电场
来说要容易。因此,在许多静电场问题中,人们往往先求出电位函 数,再根据电场和电位的关系求出电场强度。在直角坐标系下,有
其中:F的单位为牛顿(N);q的单位为库仑(C);E的单位 为伏特/米(V/m)
指的是该电荷的引入不致影响场源电荷的状态 实验电荷: 所以,在E的定义式中,令q→0,由电场强度的定
义可以得出:
1、 点电荷的电场强度:
考虑到算符 点电荷的电场强度可表示为:
令场坐标(x,y,z)或r,源点的坐标为(x',y',z')或 r',则点电荷的场又可表示为:
物质称为电场。电场对电荷的作用力 称为电场力。
值得注意的是,库仑定律是一个实验定律。实验证明:对 可测定的R值,在1/109米的精度下证明库仑定律是满足平 方反比规律的,它仅在带电体尺度远小于它们之间的距离 时才严格成立。
二、电场强度(electric field intensity)
设在电场中某点处,一个试验电荷受力为F,则该点的电场为:
半径为a的导电球壳上均匀分布面密度为ρ的电荷,求球壳内外 的电场强度和电位。
解:
由于在导电球壳上,电荷是 均匀分布的,因此电场具有
球对称分布的特点,利用
高斯定律,使圆心与导电球 壳圆心重合,半径为r的球面,
称为高斯面,求电场对高
斯面的面积分,对于相同半 径的高斯面,电场的模相等, 方向与高斯面的方向相同, 因此,当r>a时,有
如图示,设真空中两点电荷q1和q2间的距离为R,则点电荷q2 所受到q1的作用力为:
其中: 真空中的介电常数
是从q1指向q2的单位矢量,
10 9 36
F m
由此说明,在带电体周围空间,确实 存在着一种特殊形式的物质.当电荷
或带电体进入这个空间时、将受到力
的作用。我们把电荷周围存在的特殊
(2)难 点: 不同条件下电场和电位的计算方法
——矢量的微分与积分
❖本章具体内容:
2.1 静电场基本方程
2.2 电位的引入
2.3 泊松方程和拉普拉斯方程
2.4 唯一性定理
2.5介质中的高斯定理.边界条件 2.7 导体系统的电容
2.6 恒定电场的基本方程 2.8 电场能与静电力
§2.1 电场强度
一、库仑定律 (Coulomb’s Law)
example 2.7
证明导体表面的电荷密度ρs与导体外的电位函数有如下关系
s
Dn
0 En
0
n
其中 是电位对表面外法线方向的方向导数。
n
证明: 预备知识1:带电导体内静电场为零,导体是一等位体
预备知识2:在导体外表面附近,可将导体面视为无穷大。 因此可用高斯定律求附近的电场。
代入,有
再对圆环从 0~a积分, 得到
特别是,当a趋于无限大时(无穷大带电平面)有:
表明:无穷大带电平板附近,电场的方向与平板垂直;
大小为
E s 2 0
example 2.3
真空中一个带电导体球,半径为a。,所带电荷量为Q,试计 算球内、外的电场。
解: 导体的电荷是分布于导体表面的。
孤立的带电导体球的电荷必定均 匀分布于球表面上,电荷面密度 为常量,有
cossind a2s
0
R2
2 0
cos d cos
0 R2
由于
所以
Ez
a s 4 0r
rz 1
rz
r2 a2 R2
dR
a s 4 0r 2
R
r2
a2 R
ra
ra
sa2 0r 2
解: 如图所示
由于直线电荷的场具有以直 线为对称轴的对称性,为了
分析问题的方便,采用圆
柱坐标,令线电荷与z轴重 合,原点位于直线的中点, 取场点坐标为P(r,ф,z);用 dz‘表示线元,其坐标为 (0,0,z’)。线电荷元 ρldz‘在P点的电场沿圆柱坐 标的分量为 :
考虑到
即
值得注意的是,对合成场的积分是对源点的积分,而场点 则是常数。因而
带电导体球的电场分布
example 2.4
真空中半径为a的介质球内均匀充满了电荷,体电荷密度ρ=ρ0。试 计算球内、外的电场
解: 设想划分出一个半径为r‘,厚度
为dr’的微分球壳,如右图所示。 球壳内的电荷量为:
dq 4r20dr
当dr’很小时可认为dq均匀分布在薄层球面上
等效的面电荷密度为
Q
4 0r 2
(r>a)
对于r<a的球内区域.积分的下限应改为(a-r)、这样积分结果
Er
as 4 0r 2
R
r2
a2 R
ar
ar
0
Hale Waihona Puke (r<a)对于球外区域的电场分布和点 电荷Q位于球心处的电场分布相 同。所以在计算球外电场时, 可直接套用集中在球心处的点 电荷Q所产生的电场公式。导体 球内电场为零,在r=a处电场由 零跃变为ρs/ε0,恰好球面上 有面电荷存在。由此推 论.电场不连续的面积处将出 现面电荷。
s
D
ds
4r
2
Dr
ssds 4a2s
Q
当 r<a 时,有
D0
example 2.6
求无限长直线电荷的电场。
解:
设无限长直线电荷的线电荷密度为ρl,,与Z轴重合,如 图所示