4 3.5 3
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图


214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
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主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,104A2S
240
200
160
120
80
10 ਼⊶᭄ n,@t 50Hz
100
1
10
ᯊ䯈t,ms
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC200A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 18 16 14 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT A PG2W min. max. PGM =100W (100μ s㛝ᆑ )
Impedance Vs.Time Max. junction To case Thermai
0. 01
0.1 ᯊ䯈t,S
1
10
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 140 120 60 90 180 ㅵ໇⏽ᑺTc,(max)e C 120 100 80 60 40 20 0 50 100 150 200 250 300 0 0
Fig.2 㒧㟇ㅵ໇ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
07& Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
600 ᳔໻䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 500 400 300 200 100 0
uction Angle
Conduction Angle
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
参数值 典型 最大 200 314 1800 30 7.20 259 0.80 1.27 1.65 800 100 30 180 2.5 150 0.140 0.04 2500 12 6 -40 125 860
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
360
270 120 90
Conduction Angle
Conduction Angle
60 30
Fig.5 ᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 7.2 Vs.Cycles
Fig.6 ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
7.2 I t259 Vs.Time 280
2
8 7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA 6 5 4 3 2 1 1
360
Fig.4ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& DC 140 120 ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e C 100 80 60 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A 30 60 90 120 180 270 DC
25 125 125
25 125
1.0 20 0.2
外形为401F 120×67×56（1只装）
普通晶闸管、可控硅模块
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MTC200A
性能曲线图
Peak On-state Voltage 07& Vs.Peak On-state Current 4 3.5 䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 3 2.5 2 1.5 1 0.5 100 1000 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A 10000 T J=125°C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W 0.15 0.12 0.09 0.06 0.03 0 0.001
2
ITM=600A VDM=67%VDRM ITM =400A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
30
30
60
90
120
180
100
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
200 300 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
400
Fig.3᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current 07& 300 ᳔໻䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W 250 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A