可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC600A
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可控硅（晶闸管）模块 ThyrA
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
M565
MTC600A
0.055 0.022
℃/W ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
1870
g
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=1800A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=1800A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
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通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
1.1
3.0
V
150 mA
0.2
V
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M10） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 与散热器固定
的任何部位。
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参数值 典型
最大
单位
600
A
950
A
1600
1800
V
20
mA
13.0 KA
1430 103A2S
0.8
V
0.31 mΩ
1.6
1.7
V
800 V/μs
100 A/μs
70
200 mA
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
600A 600~1800V 13.0 KA 1430 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD
参数
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
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Install Size Diagram:
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circuit Diagram：