1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。

[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。

［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。

［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。

[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。

[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。

[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。

[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。

[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。

[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。

[ ] A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。

［］A 直流电阻大、交流电阻小B 直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小D 直流电阻大和交流电阻都大13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。

［］A A V = 1B A V = 3C A V＜3D A V＞314、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 A 次跃变。

［］A 1B 2C 3D 015．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。

[ ]A 低通B 高通C 带阻D 带通16.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足D 。

［］A V I = V O + V CESB V I＜V O + V CESC V I≠V O + V CESD V I＞V O + V CES2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为(B )A．-5V B．+5VC．+10V D．+15V3．测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题3图所示，则可判定该管处在( C)，上图A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．不确定状态4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C )A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时，电压放大倍数将( B )A.减少B.增大C.保持不变D.大小不变，符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，则该管工作状态为( B )A.饱和B.截止C.放大D.不能确定10.若图示运算放大电路的输出电压U0=3V，则P点必须( D )A.接n点B.接地C.悬空D.接m点1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。

[ A ]A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。

[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。

[ C ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是。

[ A ]A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。

[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

C[ ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。

[]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适8．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的B 。

A 0.5倍B 0.7倍C 0.9倍D 1.2倍[ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。

[ D ]A输入电阻增大B输出量增大 C 净输入量增大D净输入量减小10．带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。

[]A、B、C、DA V A VA VMAXo oof ff5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( C)A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（ A ）A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（ D ）A．-10V B．-6V C．-4V D．0V10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（ B ）A．UBE<0,UBC<0 B．UBE>0,UBC>0 C．UBE>0,UBC<0 D．UBE<0,UBC>011．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（ D ）A．Ge管①为e B．Si管③为e C．Si管①为e D．Si管②为e12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B ）A ．共射组态B ．共集组态C ．共基组态D ．共源组态13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C）A ．电流串联B ．电流并联C ．电压串联D ．电压并联14．电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（ D ）A ．β1B ．β2C ．β1+β2D ．β1·β21、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、C2、C 足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的I BQ ，I CQ ，V CEQ 的表达式；（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V 、R I 、R O 的的表达式；（3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+()()553451BQ BEQ EQ CQ BQ BEQ BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图：V CC()()()'451250411////1T be bb EQ v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦= ③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。

若要提高输出电压增益，可以采取以下措施：a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路；b 、 更换β值更高的晶体管；在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ，以减小交流发射极电阻，进一步提高交流电压增益。

2.组合电路如图3-2，已知 ：V CC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V CES2 = 1V ，R L = 8Ω，（1） T 1、T 2构成什么电路？（2） D 1 、D 2起何作用？（3） 若输入电压U I 足够大，求电路最大输出功率OMAX P = ？图3-1 图3-2解：（1）1T 、2T 构成互补对称输出级电路；R 1 R 2 R 4 R 5 r be i b βi b +V 0 --+V i（2）1D、2D的作用是为1T、2T提供预偏置，使1T、2T微导通而达到消除交越失真的目的；（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：()()22max914228CC CESoLV VP wR--===⨯3.图3-3中的各运放为理想运放,已知：V D = 0.8v，Vom = ±12v；(1) 试定性画出V O随V I变化的传输特性图。

(2) 试分别写出当V I＞0和V I＜0时，电路的V O与V I的关系式。

图3-3同类题VD = 0.7v，Vom = ±15v解：（1）当iV＞0时，0102,i omV V V V==-此时D截止而断开，R支路无电流，则0iV V=；（2）当iV＜0时，0102,i omV V V V==+此时D导通，2A构成反相比例运算电路，有：03i iRV V V VR+==-=-所以，从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V±，可以画出V随iV变化的传输特性图为：OV0V i45°15V45°（3）O V 与i V 的关系式为：0i V V =000,i i i iV V V V V >=⎧⎨<=-⎩0当时,V 当时4. 组合电路如图所示，集成运放是理想的，请做如下分析：（1） T1和T2，T3和T4各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？（2） 试计算I O ，U C2Q （A 点对地的直流电压）的数值，设U BEQ = 0.7v ，U CC = 12v ， R 2 = 2K Ω。