Your site here
LOGO
气相沉积技术分类及解释
物理气相沉积 在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料 气化成原子、分子，直接沉积基体表面上的方 法。 物理气相沉积主要包括真空蒸镀、溅射镀 膜、离子镀膜等。
Your site here
LOGO
气相沉积技术分类及解释
化学气相沉积 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、 单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面 上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的 方法。 化学气相沉积法主要包括常压化学气相沉积 低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等 离子化学气相沉积等。
Ni(CO)4 Ni 4CO
②化学合成反应 主要用于绝缘膜的沉积，如沉积 Si3 N4 反应过程： 850 900 0C
3SiCl4 4 NH 3 Si3 N 4 12HCl
③化学传输反应
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
主要用于稀有金属的提纯和单晶生长，如ZnSe单晶生长 1 反应过程：
Your site here
LOGO
气相沉积技术分类及解释
4.真空化学气相沉积 (Ultraviolet High Void/Chemical Vapor Deposition，简称 UHV/ CVD) 5.低压化学气相沉积 (Low Press Chemical Vapor Deposition简称 LPCVD) 6.射频加热化学气相沉积 (Radio Frequency /Chemical Vapor Deposition ,简称 RF/ CVD) 7.紫外光能量辅助化学气相沉积 (Ultraviolet Void/ Chemical Vapor Deposition ,简称 UV/ CVD)
II.金属有机化合物分解 ,沉积 Al2O3
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
反应过程: 2Al (OC3 H 7 )3 Al2O3 6C3 H 6 3H 2O III.羰基氯化物分解,沉积贵金属及其他过渡族金属 反应过程： 1402400C
420 0C
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
以砷化镓的气相外延为例，说明开管法的工作流程 ，该例子涉及的化学反应：
2 AsCl 3 3H 2
850 0 C
1 As 4 6 HCl 2
1 1 GaAs (壳) HCl GaCl As 4 H 2 4 2
化学气相沉积技术 -----研究和材料制备
凝聚态专业研究生 指导教师 郝永皓 赵建伟副教授
LOGO
化学气相沉积内容总览
气相沉积的分类、解释 化学气相沉积的含义、基本原理、技术、生长 机制及制备材料的一般步骤 化学气相沉积与无机材料的制备 化学气相沉积的5种新技术 化学气相沉积技术在其他领域的应用
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
②封管气流法 这种反应系统是把一定量的反应物和适当的基体分别 放在反应器的两端 ,管内抽真空后充入一定量的输运气体 ,然后密封 ,再将反应器置于双温区内 ,使反应管内形成一 温度梯度。 以ZnSe为例进行说明该方法，其中涉及到的反应过程
1 ZnSe I 2 ( g ) ZnI2 ( g ) Se2 ( g ) 2 1 T1 ZnSe I 2 ( g ) ZnI2 ( g ) Se2 ( g ) 2
6GaCl As4 4GaAs 2GaCl （歧化反应） 3
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
0
C
AsCl3
图1
砷化镓气相外延装置示意图
Your site here
LOGO
化学气相沉积基本理论
由上述分析，可以归纳出开管法的优点： I.式样容易放进和取出 II.同一装置可以反复多次使用 III.沉积条件易于控制，结果易于重现 同时，反应器的类型多种多样，按照不同划分标准可 以有不同的类型： I.开管法的反应器分为三种，分别为水平式、立式和筒式 II.由反应过程的要求不同，反应器可分为单温区、双温区 和多温区
Your site here
LOGO
气相沉积技术类及解释
如今，CVD 的趋向是向低温和高真空两个方 向发展，出现了新方法包括：
1.金属有机化学气相沉积技术 (Metalorganic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD)
2.等离子增强化学气相沉积 （Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition，简称PECVD） 3.激光化学气相沉积 (Laser Chemical Vapor Deposition，简称 LCVD)
Your site here
LOGO
二、化学气相沉积基本理论
1. CVD含义 2.CVD基本原理
CVD 是利用气态物质在固体表面进行化学反应,生成 固态沉积物的工艺过程。 最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合 成反应和化学传输反应。举例如下： ① 热分解反应： I. 氢化物分解 ,沉积硅 反应过程： 800 1000 0 C SiH 4 g Si g 2 H 2
ZnSe ( s ) I 2 ( g ) ZnI 2 ( g ) 2 Se2 ( g )
3.CVD技术
CVD 技术分为开管气流法和封管气流法两种基本类型。 ①开管气流法 特点是反应气体混合物能够连续补充,同时废弃的反 应产物不断排出沉积室。 其主要由双温区开启式电阻炉及控温设备、反应管、 载气净化及载带导入系统三大部分构成。
Your site here
LOGO
一、气相沉积技术分类及解释
气相沉积 物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition，简称PVD）
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition，简称 CVD) 气相沉积
一种在基体上形成一层功能膜的技术，它是 利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉 积单层或多层膜，从而使材料或制品获得所需的 各种优异性能。