实验三：
1、反相器直流工作点仿真
1）偏置电压设置：Vin=1V；Vdd=2V；
2）NMOS沟道尺寸设置：Wnmos= ；Lnmos= ；
3）PMOS沟道尺寸设置：设置PMOS的叉指数为3，每个叉指的宽度为变量wf；这样Wpmos=3*wf；设置wf=Wnmos；Lpmos= ；
4）直流工作点仿真结果：Ids= ；Vout= ；NMOS工作在工作区域；PMOS 工作在工作区域；该反相器的功耗为；
2、反相器直流工作点扫描设置
1）偏置电压设置：Vin=1V；Vdd=2V；
2）在直流仿真下设置Wnmos= ；Lnmos= ；扫描参数为PMOS的叉指宽度wf，扫描范围为到；扫描步长为；仿真输出wf为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线；
观察wf对Vout的影响；
3）在上述步骤的基础上，记录输出电压Vout=1V时对应的PMOS的叉指宽度wf= ；
3、扫描反相器的直流电压转移特性
1）在上述步骤的基础上，记录Ids= ；该反相器的功耗Pdc= ；
2）扫描参数为Vin，扫描电压范围为到；扫描步长为；仿真输出Vin为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线；观察Vin对Vout的转移特性；结合理论分析在转移特性曲线上标出A、B、C、D、E五个工作区域；
3）扫描参数为Vin，扫描电压范围为到；扫描步长为；仿真输出Vin为横坐标、Ids为纵坐标的波形曲线；观察Vin对Ids的转移特性；结合理论分析反相器的静态功耗和动态功耗；
4、仿真反相器的瞬态特性
1）为反相器设置负载电容为；
2）设置Vin为Vpluse信号源，高电平为；低电平为；Rise time= ；Fall time= ；
周期为；
3）设置瞬态仿真stop time= ；step= ；maxstep= ；
4）观察仿真结果，该反相器的传输延迟= ；。