1、时变电磁场的激发源是（ ）。

A ．电荷和电流
B ．变化的电场和磁场
C ．同时选择A 和B
2.坡印廷矢量S 的瞬时表示为__________________，平均值为________________。

3.位移电流的表达式为（ ）
A ．J D =⎰⎰∂∂S t
D ·ds B ．J D =t D ∂∂ C ．J D =⎰⎰∂∂-S t D ·ds D ．J D =t
D ∂∂- 4.在理想介质中，波阻抗为（ ）
A ．实数
B ．虚数
C ．复数
D ．零
5.电磁波的传播速度等于___________。

P159
6.时变电磁场中的感应电动势，包括发电机电动势和变压器电动势二部分，它们产生的条件
是( )。

A. 导体回路和磁场随时间变化
B. 只要磁通随时间变化
C. 导体回路运动和磁场随时间变化
D. 导体回路运动切割磁力线和磁通随时间变化
7.由动态位A 和ϕ求E 和H 的关系式是( )。

A. E =ϕ-∇，B =∇·A
B. E =ϕ-∇-t A ∂∂ 和B =∇⨯A
C. E=ϕ∇+t A ∂∂ 和B =∇⨯A
D. E =ϕ-∇-t A ∂∂ ，B =-∇⨯A P156 8.平面电磁波的波阻抗等于( )。

A.με
B. με
1 C.με1
P159 D. ε
μ
9. 电磁感应定律的本质就是变化的磁场产生 。

10.全电流定律的微分方程为（ ）
A ．▽×H=J C
B ．▽×H=J+t D ∂∂
C ．▽×H=t
D ∂∂ D ．▽×H=0 11.达朗贝尔方程(动态位)
12.什么是传导电流？在时变场中，传导电流是否保持连续？
13. 坡印亭矢量
14. 用场的观点分析静电屏蔽、磁屏蔽和电磁屏蔽，对屏蔽材料有什么要求？
静电屏蔽p51：利用导体在静电场中达到平衡状态时具有（1）导体内电场为0；（2）导体为等位体；（3）电荷只分布在导体表面。

故把导体空腔接地，可把导体内外的场分割为两个互不影响的独立系统，达到屏蔽的目的。

（把不可受外界电场影响的带电体或不希望去影响外界的带电体用一接地的金属壳罩起来，以隔绝有害的静电影响）
磁屏蔽P138：利用高磁导率材料具有低磁阻的特性，将其制成有一定厚度的外壳，起磁分路作用，使壳内设备少受磁干扰，达到磁屏蔽。

电磁屏蔽p207：一方面利用电磁波在金属表面产生涡流，从而抵消原来的磁场；另利用电磁波在金属表面产生反射损耗和透射波在金属内的传播过程中衰减产生吸收损耗，达到屏蔽作用。

屏蔽材料：静电屏蔽——金属
磁屏蔽 ——铁磁性材料
电磁屏蔽——良导体。