晶体生长始于成核过程，即在母液相中形成固相小晶芽，该过程受体系自由能变化影响。只有当体系自由能降低时，成核才能发生，这取决于体自由能与表面能的相对大小。成核后，晶体通过原子、离子按晶体结构排列堆积而生长。层生长理论模型强调晶体层层外推生长，而螺旋生长理论模型则解释了低过饱和度下的晶体生长，两者均属层层外推但成核机理不同。实验方法包括水热法、提拉法等，旨在让晶体生长得更完好。晶体生长形态受内因如布拉维法则和PBC理论影响，前者指出实际晶面往往平行于面网密度大的面网，后者将晶面分为F、S、K三类。外因如温度、杂质也通过内因影响晶体形态。总之，晶体生长是一个复杂的过程，受多种内外ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ素共同影响。