背散射电子衍射EBSD
背散射电子

当电子束照射样品时，入射电子在样品 内遭到衍射时，会改变方向，甚至损失 一部分能量（在非弹性散射的情况下）。 在这种弹性和非弹性散射的过程中，有 些入射电子累积散射角超过90度，并将 重新从样品表面逸出。那么背散射电子 就是由样品反射出来的初次电子
背散射电子特点

能量很高，有相当部分接近入射电子能 量 E 0 ，在试样中产的范围大，像的分 辨率低。
背散射电子衍射原理

在扫描电子显微镜（SEM）中，入射于 样品上的电子束与样品作用产生几种不 同效应，其中之一就是在每一个晶体或 晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。 从所有原子面上产生的衍射组成“衍射 花样”，这可被看成是一张晶体中原子 面间的角度关系图。
电子背散射衍射（EBSD）的应用



织构和取向差分析 晶粒尺寸及形状分布分析 晶界、亚晶及孪晶界性质分析 应变和再结晶的分析 相签定及相比计算
EBSD与其他衍射技术的比较

X射线衍射，中子衍射不能进行点衍射分析 电子通道花样（SAC）已被EBSD取代 透射电子显微镜（TEM）中的微衍射（MD） 需要严格的样品制备，且不可能进行自动快速 测量。
衍射花样

衍射花样包含晶系 （立方、六方等）对 称性的信息，而且， 晶面和晶带轴间的夹 角与晶系种类和晶体 的晶格参数相对应， 这些数据可用于 EBSD相鉴定。对于 已知相，则花样的取 向与晶体的取向直接 对应。
单晶硅的EBSD
EBSD系统组成


一台扫描电子显微镜 EBSD系统 CCD摄像仪 花样平均化和扣除背底的图象处理系统
总结
EBSD是可以做快速而准确的晶体取 向测量的强有力的分析工具。EBSD的主 要应用是取向和取向差异的测量、微织 构分析、相鉴定、应变和真实晶粒尺寸 的测量。