模拟电子线路第三章习题答案
v0 i0
ibrce5 1
rbe5 R3
R
ib
ib 1
rbe5 R3
R
rbe5 R
1
R3
R3
rbe5
R
rce5
R3 R3
rbe5 R rbe5 R
1
T3 的射极电压不能 满足 T3 BE结导通的 要求→ T3截止
v0 VEE
习题3.9
电路如图3.9所示,T1与T2管为超β管, 电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。 (1)该电路采用了______。
A.共集-共基接法 B共集-共射接法 C共射-共基接法
(2)电路所采用的上述接法 是为了______. A.增大输入电阻 B.增大电流放大系数 C.展宽频带
v0d vid
R0d // RL ib2 R0d // RL
rbe 2ib 2
rbe 2
180.38
习题3.8
电路如图所示,T1与T2管的
特性相同,所有晶体管的β均相同,Rc1远 大与二极管的正向电阻。当vi1=vi2=0时, v0=0。
(a)求解电压放大 倍数的表达式;
(b)问当输入端有 共模输入电压时, v0=?简述理由。
(3)电路采用超B管能够_______. A.增大输入级耐压值 B.增大放大能力
C增大带负载能力 (4)T1与T2管的静态管 压降UCEQ约为______ A. 0.7V B. 1.4V C. 不可知
解:
(1) C (2) C (3) B (4) A
习题3.10 电路如图3.9所示, 试问:为什么说D1 与D2的作用是减少T1与 T2管集电结反向电流ICB0对输入电流的影响? 解:
各管参数相同 故有:
rbe5 rbe6 rbe1 5.25K
rce5 rce1 200 K
令 R R5 //R4 rbe6 3.97 K
vb5 ib rbe5 R
i0
ib
vb5 R3
ib 1
rbe5 R R3
R3
R3
rbe5
R rce5
R3
//
rbe5
R
1
R3
R3
rbe5
R
rce5
(2)差模输入电阻 Rid 2rbe1 10.5K
(3)差模输出电阻
恒流源(T3、T4)电路输出电阻r04:
r04
rce4 1
R2
(3) v CB≈0 →ICBO将大大 减小对输入电流的影响。 共射—共基组合电路→ D1D2和电流源I使T3 、T4 的基极电位高于T1 、T2 管 的射极电位两个二极管压降→ 使超β管的集射极形成可靠的嵌位作用→ 使超β管工作在v CB≈0 的状态。
习题3.12 某功率放大电路如图12所示,设T4、T5的
VBRCEO VCC V0m 13 12.24 25.24V
(3)输入电压有效值
vi
V0m 2
12.24 2
8.65V
半波正弦电流有效值:
IR
1
2
0
I
2 om
sin
td
t
I0m 2
V0m 2RL
12.24 28
0.77 A
两电阻R上的损耗功率:
13
rce3
VA IC3
120V 3.33mA
36K
R03
rce3 1
R3
rbe3
R3
R4 //re2
R2
1016K
习题3.7
电路如图3.7所示,具有理想的对
称性。设各管β均相同。
(1)说明电路中各晶体管的作用;
(2)若输入差模电压为
(Vi1-Vi2),则产生 的差模电流i0,求解 电路电流放大倍数Ai 的近似表达式。
V0m
VCC RL RL R
VCC
RL RL
R V0m
12.75V
取VCC 13V
(2)求ICM和V(BR)CEO最小值
当VCC 13V 时
V0m
VCC RL RL R
8 8.5
13
12.24V
I C M
V0m RL
12.24 8
1.57A
2Rc2 (Rc1 Rc2 )
2rbe1(Rc1 Rc2 rbe3 )
(2)输入端有共模输入电压时, v0=?
v0 VEE
理由: ①共模输入时→
vi1 vi2 IC1 IC 2
② T3 的射极电流>>基极电流
D上的电流<< T2的集电极负载R c1 上的电流
PR
2
I
2 R
R
2 0.77 2
0.5
0.59W
习题3.14 三极管T1和T2组成的微电流源电路 如图3.9所示。 (1)根据二极管电流方程,导出T1 和T2的工 作点电流IC1和IC2的关系式;
v01 1ib
rbe3
1 3
Av1
v01 vid
1rbe3 1 3 R1 rbe1
v01
iC 3
rbe3
3
,
v0d RciC3
Av3
v0d v01
3 Rc
rbe3
Av Av1Av3
1rbe3 1 3 R1 rbe1
(1)正负电源的最小值;
(2)根据VCC最小值,求三 极管的ICM和V(BR)CEO最小 值;
(3)当输出功率为最大值时, 输入电压有效值和两个电阻上 损耗的功率。
解: (1)正负电源的最小值;
电阻 R 对功放电路参数有影响
P0m
V02m 2RL
V0m 2RL P0m 2 8 9 12V
0 VBE VEE REE
0 0.7 (6)V
5.1K
1.04mA
1 ICQ1 ICQ 2 2 I EE 0.52mA
(2)共模输入电压vi1
差模输入电压vi2。
vic
1 2
vi1
vi2
4.995V
vid vi1 vi2 0.03V
rbe4
R2
rce1 //
R1 rbe3
2.96K
R0d rce2 // r04 180 K
(4)差模增益
vid rbe2ib2
v0d rce2 // r04 // RL ib2 R0d // RL ib2
Avd
3Rc
rbe3
1Rc
R1 rbe1
239.5
习题3.5 在题图3.5所示电路中,设各管β相同, T1和T2管的集电极面积分别为T3和T4管集电 极面积的n1和n2倍。
解:(1)由图可得:
IR IC3 IB2 IB3 IB1
IC3 IC3 / I01 / I02 /
IC5 26.5mA
I CQ1
ICQ 2
1 2
IC5
13.25mA
rbe1
1
VT
I CQ1
9.8M
Rid 2R1 rbe1 19.6M
(2)差模电压增益 A v d = A v 1 A v 3
vid R1 rbe1 ib ,
(2)当vi =vim时,电路可以获得最大输出功率
此时 v0m 20V ( VCC )
及
2 vim Avf 20V
20
20
vim
2 Avf
0.69V 2 20.5
P0m
V02m RL
1 VC2C 2 RL
1 20V 2
2 8
25W
习题3.13 电路如图3.13所示,已知输入为正 弦信号,RL 8 , R 0.5 ,要求最大输出功率 Pomax 9W ,试在三极管饱和压降可以忽略不计 的情况下,求下列各置:
v0 vi Avf 0.5 20.5 10.25V
输出功率P0
P0
v02 RL
10.25V 2
8
13.1W
电源功率P0
PD
2
VCC RL
V0m
2
20V 8
2 10.25V 23W
输出级的效率
P0 13.1 56.9%
PD 23
习题3.4 在题图3.4所示共发—共基差分电路中,
VB为共基管T3和T4提供偏置。设超β管T1和T2 管的 1 2 5000 , T3和T4管的 3 4 200 , 设T3和T4管的 VA
试求差模输入电阻Rid, 差模电压增益 A v d。
解:(1)差模输入电阻Rid 由图可得:
2mA
IC1
IC2
R2 R1
2 0.85 1.5
1.33mA
IC3
IC2
R2 R3
2
0.85 0.51