制绒的目与原理
根据工艺方法不同，制绒可分为碱制绒（仅适用于单晶硅制绒） 和酸制绒（可用于单晶和多晶硅表面的制绒）。RENA设备为酸制 绒设备，其目的主要有：
1.去除硅片表面的机械损伤层
2.清除表面油污和金属杂质
3.形成起伏不平的绒面，减少光的反射，增加硅片对太阳光的 吸收，增加PN结的面积，提高短路电流（Isc），最终提高电 池的光电转换效率。
前清洗工艺步骤： 制绒→碱洗 →酸洗→吹干
RENA Intex前清洗设备的主体分为以下八个槽，此外还有滚轮、排 风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
Etch bath
Dryer1
Rinse1
Alkaline Rinse
Rinse2
Acidic Rinse
Rinse3
Dryer2
Etch bath：刻蚀槽，用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3，主要工艺参数：
➢ 前清洗到扩散的产品时间: 最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化，到扩散污染炉管,从 而影响后面的电性能及效率
常见故障
原因及解决方法
刻蚀深度不 稳定
a观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为 不同的片子会对应不同的刻蚀速率。 b查看溶液颜色，正常的颜色应该是灰色偏绿。如果觉得颜色过浅， 流假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。
需要注意的是碱槽的喷嘴角度和流量需要控制好， 否则碱液易喷至Rinse1中，而Rinse1中洗下的酸液和上 述碱液易在该槽中生成盐，使该处的滤芯很快被堵住而 失效。
前清洗工序工艺要求
➢ 片子表面5S控制 不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。
➢ 称重 1.每批片子的腐蚀深度都要检测，不允许编造数据，搞混批次等。 2.要求每批测量4片。 3.放测量片时，把握均衡原则。如第一批放在1.3.5.7道，下一批则 放在2.4.6.8道，便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。
碱洗槽的作用： 1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。
Acidic Rinse：酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical:HCl(10%)&HF(5%); Bath lifetime:240hours; Bath processtemperature:20± 10 ℃
设备后区)
尘
机台窗户
需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘
运输硅片用的小 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以
推车
及碎硅片
承片盒
用HF和HCL,2:1的比例浸泡2小时,然后用清水冲洗至PH值呈中 性后吹干
放置承片盒的桌 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以
Confidential
二、RENA InOxSide后清洗工艺培训
后清洗的目的与原理
扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩 散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域 流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。
SPC控制 每批次抽取4片样品，测量腐蚀前后的质量差，然后根据公式可获得腐 蚀深度，125单晶要求控制腐蚀深度在4.4± 0.4µm ,同时制绒后的硅片反射 率要求控制在21%~24%之间。
刻蚀深度与电性能间的关系
设备的日常维护主要是滤芯的更换；视硅片清洗后 的质量排查可能的设备原因，调整喷淋和风刀的角度和 强度；药液寿命到后换药过程中清洗酸碱槽，以及清理 滚轮和各槽中碎片。
子
及碎硅片
设备显示器键盘 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭台面,表面应该无污物,灰
和鼠标
尘
电子天平台面
需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘以 及碎硅片
绝缘电阻测试台 需用蘸了酒精的丝光毛巾擦拭干净，表面应该无污物,灰尘以
面
及碎硅片
在制品和隔离品 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭,表面应该无污物,灰尘以
常见故障
原因及解决方法
观察设备下面的循环平衡有没有冒泡泡
原因分析：a: 可能风刀堵塞，使溶液跑到水槽2中；
b: 可能喷淋堵塞；
碱槽或酸槽 不循环
c: 可能滤芯堵塞； 解决方法：a:先期在初始界面处可以发现各自对应的模板,在“ready”“not ready”之间闪动，此时需要工艺立即 补液（HCL：HF：DI=8：3：23；KOH：
补液:
自动补液：当腐蚀深度控制在4.4± 0.4µm范围内时，硅片的腐蚀重量约 为0.3g/片，通过感应器计数，当跑片达到一定量时，机器自动对刻蚀槽 进行补液
手动补液：根据实际硅片的腐蚀情况，有时需要进行手动补液。通常每次 补液量如下：
Replenishment Etch bath: HF
5.000L
水纹片
用手可以抹去的，检查出料处滚轮的干净程度，一般是出料处风刀中间段滚轮 出现污染，需要设备擦拭，如果不严重，流假片也可以将脏东西带走。
工艺卫生
前后清洗附近地 用清水将拖把洗干净，拧干后将地面清理干净（须把拖把清
面
洗干净，不能只在地上喷了清水就拖地）
机台表面(包括 丝光毛巾用清水洗干净,拧干后擦拭台面,表面应该无污物,灰
当药液寿命（Bath lifetime）到后，需更换整槽药液。
酸洗槽的作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.HF可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片表面金属离子。
Rinse 1~3：水洗槽，水洗槽与槽之间相互联通。水洗槽中液面高度 Rinse 3＞Rinse 2 ＞ Rinse 1。进水口在Rinse 3处。 Dryer 1和Dryer 2为风刀，通过调节风刀的角度和吹风的压力，使硅 片被迅速吹干。
RENA前后清洗工艺培训
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太阳能电池的种类及效率
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制造太阳能电池的基本工艺流程
前清洗（制绒） 扩散
后清洗（刻边/去PSG） PECVD SiNx
丝网印刷 /烧结/测试
RENA清洗设备 注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同
一、RENA Intex前清洗工艺培训
滚轮分三段设定速度，其中converyor1≤converyor 2≤converyor 3，否 则前快后慢，易在设备中因为叠片而造成碎片。滚轮速度（即制绒时 间）根据需要的腐蚀深度来进行设置，生产过程中可根据测试结果来 进行滚轮速度修正。一般滚轮速度慢，则反应时间增加，腐蚀深度加 深，反之亦然。 (注:前清洗速度最好不要超过1.2m/min，速度过快，一方面硅片清洗 或吹不干净，扩散容易出现蓝黑点片；另一方面碎片高，有时碎片会 堵住喷淋口，清洗后出现脏片。此外，滚轮速度也不可太慢，否则影 响产量。)
滚轮速度较 低或较高
需要手动加液，一般按9升HF，6升HNO3进行补液。同时可以将温度 提高，以1度为一个单位升高（可在5~8度之间进行调整）。但是对于 温度的设定，我们一般选择较低的温度，因为较低的温度下可以得到 很稳定的化学反应，所以温度一般不建议调高，
b如果滚轮速度过高，在温度降低仍不能满足要求的情况下，可以加 水，但是仅能以5升为一个单位加入。
台面
及碎硅片
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1、载片盒必须放在桌子上（不论是否有硅片在内） 2、操作员工接触圆片时须戴棉胶双层手套，禁止直接接触片子的表面，戴有橡胶手套后也需 要尽量少的接触硅片表面。 3、接触设备按键时不准带手套,必须全部裸手 4、橡胶手套必须保持干净、清洁，及时更换，接触硅片时必须戴上手 套，且保证手套上赃物 5、操作人员身上穿的净化服和净化鞋,必须穿戴整齐，必须保持洁净， 并定期清洗,清洗周期为2周 6、设备里的碎片在每周设备PM时必须清理干净 7、按照标示摆放物品，除标示区域以外不允许摆放任何其他物品 8、流程单不允许放在片盒中靠着硅片，需铺在片盒底下 9、设备的窗户在无异常状态下必须关闭 10、去测试测试片时需用干净的泡沫盒搬送，不能直接用手搬送 11、经过前清洗的硅片必须放在承片盒中，不能直接放在工作台面上 12、碎片盒中的碎片应及时清理 13、下料处的硅片应及时接受，不允许等硅片掉到设备下料端的槽体中 后再取硅片 14、不良须返工的硅片不能放在碎片盒中，需放在固定的地方统一返工 15、测量测试片时需生产一批测量一批，不允许一次性侧量好几批，这 样容易发生混批现象 16、由于碱与酸反应会生成盐的结晶，所以待料停止15分钟以上需要冲洗碱槽滚轮、喷淋、 风刀。已避免喷淋口，风刀口被堵。 17、如果有一个小时以上的待料停产，我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥 发；并冲洗刻蚀槽滚轮，防止药液沉淀，产生滚轮印
DI=1：10）
前
b:通知设备通风刀（冒泡泡）或清洗更换滤芯 （补加了药水后还
清
没循环，浮标沉到底部不起来）
洗 碱槽或酸槽流 工艺需要检查槽中溶液是否满，如果不满则添加，如果是满的，则通知设备检
工 量变小
查滤芯是否需要更换或清洗。
艺
流量突变，不 能达到工 艺设定流 量
前清洗流量会突然变为0，此时设备会报警，工艺立即到现场通知生产停止投料， 通知设备人员调试设备，然后处理设备中的硅片，挑出外观未受影响的硅片继 续下传，外观受影响的隔离处理
➢ 刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立 即通知工艺人员。
➢ 产线上没有充足的片源时，工艺要求: 1.停机1小时以上，要将刻蚀槽的药液排到tank，减少药液的挥发。 2.停机15分钟以上要用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，以防酸碱形成的 结晶盐堵塞喷淋口及风刀。 3.停机1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生产前半小时 用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝制绒后的片子有滚轮印。