A图是单层石墨烯在不同温度下的ShdH震荡。 B图是单层石墨烯在ShdH震荡频率随栅极电压的变化 情况
通过对机械剥离法制备的石墨烯进行观察研究， 主要发现石墨烯在导带和价带之间有一个小小的重 叠，电子和空穴在其中都有一个很高的迁移率，这 使得它有非常好的导电性。 石墨烯只有一个原子厚度，它可以被制成尺寸不 到一个分子大小的晶体管，与其他材料不同的是， 石墨烯高度稳定，即使被切成1纳米宽的元件，导电 性也非常的好。 石墨烯单电子管在室温下也可以正常工作，因此 它具有取代硅的潜质。
Atomic-scale imaging of carbon nanofibre growth
nature JAN 29 2004
作者：Stig Helveg, Carlos Lo´ pez-Cartes, Jens Sehested,
Poul L. Hansen,Bjerne S. Clausen, Jens R. Rostrup-Nielsen, Frank Abild-Pedersen& Jens K. Nørskov
Electronic Confinement and Coherence in Patterned Epitaxial Graphene
science MAY 26 2006 作者：Claire Berger,Zhimin Song,Xuebin Li， Xiaosong Wu,Nate Brown,Ce´ cile
半金属机制： 对于特定自 旋方向上的 电子来说是 金属，而对 于自旋方向 相反的另一 半电子而言 是非金属
石墨烯纳 米带的半 金属机制 对于系统 尺寸的依 赖关系
该篇论文首先介绍了科学家已经预测到了半金属材 料的存在，所谓半金属，即仅对于一半的自由电子来 说是金属，而对于另一半电子则是绝缘材料。 在该论文中Son等人利用“第一原理”计算预测， 纳米尺度的带状石墨烯会有半金属的行为，当将均匀 的电磁场施加到这种带上时，这种性质就会出现。 这项工作有可能为探索基于石墨烯的“纳米自旋电 子材料”开辟一条道路。
石墨烯中的狄拉克费米子： a是BF对载流子浓度n的依赖 关系。（n正表示电子，n负 表示空穴）。b是分析中使 用的fan图像的例子以得到 BF。c是对于mc≈0.069和 mc≈0.023m0，△ς的SdHO 振幅(标记)作为T的函数； 实线是最佳拟合曲线。d是 电子和空穴的回旋质量mc作 为其浓度的函数，标记是实 验数据，实线是最佳拟合曲 线。e是石墨烯的电子能谱， 即零带隙二维半导体的能谱， 描述了速度为光速的三百分 之一的无质量狄拉克费米子。
Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene
nture NOV 10 2005
作者：K. S. Novoselov, A. K. Geim1, S. V. Morozov, D.
Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos& A. A. Firsov 被引次数：3483
science AUG 18 2006
作者：Taisuke Ohta, Aaron Bostwick, Thomas Seyller,
Karsten Horn, Eli Rotenberg 被引次数：743
单层石墨烯的电子结构。 A是价带和导带在第一布里渊区的K点接触。 B是由于石墨层的堆积而破坏了能带的对称性。 C是由于不对称性而使价带和导带之间形成能量间隙。
石墨烯聚苯乙烯复合材料在扫描电子显微镜和投射 电子显微镜下的图像
本文主要讲述了对氧化石墨剥离制得的单层氧 化石墨做一定化学处理之后，并入复合材料而 制备出石墨烯高分子复合材料的方法。这种石 墨烯高分子复合材料具有一些很优异的性质 （如在力学，电学，热学及其他方面）。
Controlling the Electronic Structure of Bilayer Graphene
南海燕
Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films
science OCT 22 2004 作者：K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang,
Y. Zhang,S. V. Dubonos,. V. Grigorieva,A. A. Firsov
Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene
nature
NOV 10 2005 作者：Yuanbo Zhang, Yan-Wen Tan, Horst L. Stormer &
Philip KiБайду номын сангаас 被引次数：3010
Naud,Didier Mayou,Tianbo Li， Joanna Hass, Alexei N. Marchenkov,Edward H. Conrad,Phillip N. First, Walt A. de Heer
被引次数：1473
石墨烯薄膜的生长和表征 A是在4H-SiC表面多层石 墨烯的低能量电子衍射图。 B是石墨化4H-SiC在原子 力显微镜下的图像。 C是SiC表面单层石墨烯在 扫描传输显微镜下的图像。 D是C中的石墨烯通过光刻 之后的图像。 E是石墨烯晶格在扫描电 子显微镜下的图像 F是另一块石墨烯晶格在 电子力显微镜下的图像。
该组图是在T=1.7K时， 石墨烯中电阻、载流子 密度、和迁移率随门电 压的变化情况。a是无 磁场的条件下，在宽度 只有5um的石墨烯表面， 电阻随门电压的变化情 况，电压等于零时，电 阻达到一个峰值。（左 边是石墨烯的低能量能 带结构）。b是石墨烯 中载流子密度（空圈） 和迁移率（实圈）随门 电压的变化函数。
该篇论文首先介绍了石墨烯特殊的能带结构，导带和 价带在第一布里渊区的K点接触，即它是一种零带隙的 材料。 其次选择碱金属钾作为掺杂物来控制载流子密度，从 而改变电子附近的能量，使得导带和价带之间的距离发 生变化。 用碱金属作为掺杂能改变间隙，但是他同时会受到电 场作用的影响，因此这种方法并不是最好多的，日后可 能会用通过波矢量变化来改变石墨烯的电子结构。
Half-metallic graphene nanoribbons
nature NOV 16 2006
作者：Young-Woo Son，Marvin L. Cohen& Steven G. Louie 被引次数：876
在横向外部电场中的 石墨烯纳米带的能带结构 锯齿形石墨烯纳米带 整个数据中费米能量设置为0
a是图一的石墨烯在T=300mk、Vg=15v时测量到的霍尔电阻（黑色）和磁性电阻 （红色）随磁场的变化函数。 b是图一的石墨烯在B=9T、T=1.6K时测量到的霍尔电阻（黑色）和磁性电阻（橙 色）随门电压的变化函数。 c是石墨烯中朗道态密度能级和相应的量子霍尔电导率随能量的变化函数。
本文主要讲述了具有高载流子迁移率的单层石 墨烯磁场运输的试验研究。研究发现，通过电 磁场作用，能观察到半整数量子霍尔效应； Berry相位的相关性可以通过磁震荡确定。
为了解释 石墨烯中 载流子的 禁锢和相 干而对能 带中电子 的磁性传 输特性分 析所做的 图像。
朗道能级激发的能量变 化图
由电导波动和弱局域 性所导致的电子相干
该篇论文首先介绍了高真空条件下加热SiC制备石墨 烯的方法步骤，并且对其特性进行了一定的光学表征。 其次分析了由于石墨烯晶格与SiC的相互作用，以及 石墨烯能带中存在的狄拉克特性而导致其内部电子的量 子局限性和相位相干性。 通过该篇论文也证实了先前的可以通过电学和化学掺 杂来控制载流子密度的猜想是正确的。 最后对石墨烯晶格中存在的这种量子相干性提出了一 些应用前景，由于石墨烯能带可以被看作电子波导管， 因此可以制作纳米电子相干设备。
被引次数：1368
石墨烯聚苯乙烯复合材料的 制备过程。 a是氧化石墨材料 b是通过氧化石墨而制备的 石墨烯薄膜 c是原子力显微镜下厚度为 1nm的带有官能团的氧化石 墨烯片层。 d被异氰酸盐处理的氧化石 墨和未分解的聚苯乙烯在二 甲基甲酰胺中的悬浊液。 e是在甲醇上凝固之后的混 合粉末。 f是用同样方法处理过的聚 苯乙烯。 g是在聚苯乙烯表面处理得 到的复合材料在扫描电子显 微镜下的放大图像
对于单层石墨烯， 其载流子表现为无质量 的狄拉克费米子，在狄 拉克点（E=0）处，存在 一个朗道能级峰，使得 费米能级穿越狄拉克点 时，出现一个霍尔电导 平台的跳跃。纵向电导 表现极大，霍尔电导的 平台在±1/2,±3/2,± 5/2…. 4e2/h处表现为 半整数的霍尔量子效应。
该篇论文报道了一种由狄拉克(相对论)方程描述其电子 输运的凝聚态系统(石墨烯,即碳单原子层)的实验研究。 该论文还描述了几种实验结论：第一，石墨烯的电导率 从没有低于一个最小值，即使载流子的浓度趋近于零， 这个最小值相当于电导率的量子单元；第二，石墨烯中 的整数量子霍尔效应发生反常，其填充因子是半整数； 第三，石墨烯中无质量的载流子的回旋质量mc由方程 E=mcc*2描述。 石墨烯表现出了由狄拉克方程而非薛定谔方程描述的二 维粒子气的独特的电子性质，这将为在凝聚态实验中研 究量子场论的可能性。
被引次数：5242
机械剥离法制 备的石墨烯， A是在普通白 光下的图像， B是用原子力 显微镜观察的 边缘，C是用 原子力显微镜 观察的单层石 墨烯，D是在 扫描显微镜下 观察到的，E 是观察D时所 用的基底
少层石墨烯的场 效应：A是石墨烯 电阻率与栅极电 压在不同温度下 的关系，B是通过 一个70K的反向弯 转而得到的电导 率曲线，C是同一 薄膜空穴系数随 栅极电压的变化
石墨烯中的电场 效应：a是其中一 个实验器件（中 间的那个石墨烯 带的宽度为0.2nm） 的扫描电子显微 镜图。b是石墨烯 的电导率ς作为 门电压Vg的函数。 c是石墨烯的霍尔 系数RH作为门电压 Vg的函数。d是电 阻率ρ=1/ς的最 大值与器件的不 同迁移率μ的关 系。