选择合理恰当的器件和工艺去完成某种电路的功能或应用 !
GMoore
目的:了解硅片制造工 艺流程的基本概念
5.5.2 MOS工艺演进
It is a CMOS world!
• 5.1 基本趋势: IC is a cost driven industry!
----集成度更高; (G.Moore’s law) ----工艺制造特征线宽更小;(scaling down) ----硅片尺寸更大(8“ main stream now, 12” coming) ----价值对当器件 (value transistors)
• 隔离(isolation):使器件之间电绝缘 常见隔离: BJT---pn junction;planar SiO2;trench; CMOS---LOCOS, STI; • 互连 (interconnect):有序连接实现功能! 多层布线是趋势
a 0.80um BiCMOS in ABQ
• 3.半导体制造工艺=
图形转移 (litho+etch) &43;CVD+Anneal: SiO2,epi, poly, SiN,metal,etc) +扩散,掺杂 (diffusion+implantation: B,P,As,Sb,N,O,etc)
• 4. 一个标准的双极工艺简介
• 5. MOS 工艺简介
半导体制造工艺流程简介
2004,8,14
目的:了解硅片制造工艺流程的基本概念
一.图例: 电路,版图,硅片截面
CMOS NPN Bipolar
二.工艺制造流程基本概念 1. Wafers & Chips(dies)
2. IC(集成电路)=器件+隔离+互连
• 器件 是IC的核心 如: Active device: BJT,CMOS,DMOS,EEPROM,IGBT,CCD,HBT,……etc. Passive devices: resistors,capacitors,inductors,… 半导体器件主要有67种,还有110个相关变种.